一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备制造技术

本实用新型专利技术涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备，所述样品台底座设置有平底盲孔，所述平底盲孔底面设置有第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕第一通孔设置，所述第一环形凹槽底面均匀设置有多个第二通孔，所述平底盲孔底面与第一通孔的孔壁之间设置有倒角，所述平底盲孔、第一通孔与第一环形凹槽同轴，提供了一种散热结构易于加工、散热效果较好、被散热部位温差较小的样品台底座。被散热部位温差较小的样品台底座。被散热部位温差较小的样品台底座。

【技术实现步骤摘要】
一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备


[0001]本技术涉及微波等离子体
，具体而言，涉及一种样品台底座、样品台组件及MPCVD设备。

技术介绍

[0002]微波等离子体化学气相沉积法，是当今制备高质量金刚石膜的先进方法，该方法需要用到微波等离子体化学气相沉积设备（简称MPCVD），MPCVD是将微波发生器产生的微波经波导传输系统导入反应腔，并通入甲烷与氢气的混合气体，在微波的激励下，反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离化、产生等离子体，在样品台上沉积从而得到金刚石膜。
[0003]MPCVD反应腔内的温度非常高，而样品台底座长时间置于该高温环境中，如不及时有效的助其散热降温，势必降低其使用寿命甚至损坏。
[0004]现有技术的样品台底座，其螺旋状的散热结构较难加工，且散热效果不理想、温差较大（见图5），严重制约了MPCVD设备的应用前景。

技术实现思路

[0005]本技术的目的，在于克服现有技术的不足，提供了一种散热结构易于加工、散热效果较好、被散热部位温差较小的样品台底座。
[0006]本技术的另一目的，在于提供了一种样品台组件，其采用了上述样品台底座。
[0007]本技术的又一目的，在于提供了一种MPCVD设备，其采用了上述样品台组件。
[0008]本技术的目的通过以下技术方案来实现：
[0009]一种样品台底座，所述样品台底座设置有平底盲孔，所述平底盲孔底面设置有第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕第一通孔设置，所述第一环形凹槽底面均匀设置有多个第二通孔，所述平底盲孔底面与第一通孔的孔壁之间设置有倒角，所述平底盲孔、第一通孔与第一环形凹槽同轴。
[0010]进一步的，还包括环绕第一环形凹槽设置的第二环形凹槽，所述第二环形凹槽底面设置有第三环形凹槽和第四环形凹槽，所述第四环形凹槽环绕第三环形凹槽设置，所述第三环形凹槽底面均匀设置有多个第三通孔，所述第四环形凹槽底面均匀设置有多个第四通孔，所述第二环形凹槽与第一通孔同轴。
[0011]一种样品台组件，包括所述样品台底座，还包括与所述样品台底座连接的上面板，所述平底盲孔与上面板形成用于冷却介质流通的第一通道，所述第二环形凹槽与上面板形成用于冷却介质流通的第二通道。
[0012]进一步的，所述上面板设置有与所述倒角匹配的凸起，所述凸起包括圆台和球体，所述圆台直径较大的一端与上面板连接，所述圆台直径较小的一端与球体连接。
[0013]进一步的，所述底座与上面板之间设置有第一密封圈，所述第一密封圈环绕第二通道设置。
[0014]进一步的，所述底座与上面板之间设置有第二密封圈，所述第二密封圈设置在第
一通道与第二通道之间。
[0015]进一步的，还包括第一管道、第二管道、第三管道和第四管道，所述第一管道、第二管道、第三管道和第四管道分别与第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔连通。
[0016]进一步的，所述样品台底座与上面板之间可拆卸的连接。
[0017]一种MPCVD设备，所述MPCVD设备包括所述样品台组件。
[0018]一种MPCVD设备，所述MPCVD设备包括所述样品台组件，所述第一管道、第三管道与冷却介质输入端连接，所述第二管道、第四管道与冷却介质输出端连接。
[0019]本技术具有以下优点：
[0020]1. 平底盲孔、环形凹槽加通孔的散热结构，大大降低了加工难度；
[0021]2. 平底盲孔可使冷却介质与被散热件直接接触，提高了热交换的效率，使被散热件能够更快的散热；
[0022]3. 平底盲孔、环形凹槽与第一通孔同轴设置，使得冷却介质始终以第一通孔为中心流入流出，避免了因冷却介质流入流出不同心而造成散热不均，从而导致局部温差过大，可靠的保证了散热的均匀性；
[0023]4. 第二通孔均匀设置，可使冷却介质更加均匀的流入流出，使散热更加均匀从而进一步降低温差。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1 为样品台底座的剖切示意图；
[0026]图2 为样品台底座的立体剖切示意图；
[0027]图3 为样品台组件的剖切示意图；
[0028]图4 为样品台组件的立体剖切示意图；
[0029]图5 为使用现有技术样品台底座的样品台组件热仿真图；
[0030]图6 为采用本技术样品台底座的样品台组件热仿真图；
[0031]图中：1
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样品台底座，2
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平底盲孔，3
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第一通孔，4
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第一环形凹槽，5
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第二通孔，6
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第二环形凹槽，7
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第三环形凹槽，8
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第四环形凹槽，9
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第三通孔，10
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第四通孔，11
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上面板，12
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第一通道，13
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第二通道，14
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第一密封圈，15
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第二密封圈，16
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第一管道，17
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第二管道，18
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第三管道，19
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第四管道，20
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凸起，21
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钼台。
实施方式
[0032]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0033]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0034]此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种样品台底座（1），其特征在于：所述样品台底座（1）设置有平底盲孔（2），所述平底盲孔（2）底面设置有第一通孔（3）和第一环形凹槽（4），所述第一环形凹槽（4）环绕第一通孔（3）设置，所述第一环形凹槽（4）底面均匀设置有多个第二通孔（5），所述平底盲孔（2）底面与第一通孔（3）的孔壁之间设置有倒角，所述平底盲孔（2）、第一通孔（3）与第一环形凹槽（4）同轴。2.根据权利要求1所述的样品台底座（1），其特征在于：还包括环绕第一环形凹槽（4）设置的第二环形凹槽（6），所述第二环形凹槽（6）底面设置有第三环形凹槽（7）和第四环形凹槽（8），所述第四环形凹槽（8）环绕第三环形凹槽（7）设置，所述第三环形凹槽（7）底面均匀设置有多个第三通孔（9），所述第四环形凹槽（8）底面均匀设置有多个第四通孔（10），所述第二环形凹槽（6）与第一通孔（3）同轴。3.一种样品台组件，其特征在于：包括权利要求2所述的样品台底座（1），还包括与所述样品台底座（1）连接的上面板（11），所述平底盲孔（2）与上面板（11）形成用于冷却介质流通的第一通道（12），所述第二环形凹槽（6）与上面板（11）形成用于冷却介质流通的第二通道（13）。4.根据权利要求3所述的样品台组件，其特征在于：所述上面板（11）设置有与所述倒角匹配的凸起（20），所述凸起（...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄春林，刘文科，胡宗义，李俊宏，李东亚，
申请(专利权)人：成都沃特塞恩电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：