一种样品台组件及MPCVD设备制造技术

本实用新型专利技术涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种样品台组件及MPCVD设备，所述样品台组件包括与样品台连接的第一调谐件，所述第一调谐件的上表面低于样品台的上表面，所述第一调谐件的外径大于样品台的外径，所述第一调谐件与样品台同轴，提供了一种放电面积较大、适于制备大面积金刚石膜的样品台组件。适于制备大面积金刚石膜的样品台组件。适于制备大面积金刚石膜的样品台组件。

【技术实现步骤摘要】
一种样品台组件及MPCVD设备


[0001]本技术涉及微波等离子体
，具体而言，涉及一种样品台组件及MPCVD设备。

技术介绍

[0002]微波等离子体化学气相沉积法，是当今制备高质量金刚石膜的先进方法，该方法需要用到微波等离子体化学气相沉积设备（简称MPCVD），MPCVD是将微波发生器产生的微波经波导传输系统导入反应腔，并通入甲烷与氢气的混合气体，在微波的激励下，反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离化、产生等离子体，在样品台上沉积从而得到金刚石膜。
[0003]受现有技术样品台组件结构的影响，等离子体的放电面积较小（见图1），无法满足大面积金刚石膜的制备条件，严重制约了MPCVD设备的应用前景。

技术实现思路

[0004]本技术的目的，在于克服现有技术的不足，提供了一种放电面积较大、适于制备大面积金刚石膜的样品台组件。
[0005]本技术的另一目的，在于提供了一种MPCVD设备，其采用了上述样品台组件。
[0006]本技术的目的通过以下技术方案来实现：
[0007]一种样品台组件，包括与样品台连接的第一调谐件，所述第一调谐件的上表面低于样品台的上表面，所述第一调谐件的外径大于样品台的外径，所述第一调谐件与样品台同轴。
[0008]进一步的，所述第一调谐件设置有第一定位孔，所述样品台设置在第一定位孔中。
[0009]进一步的，还包括与第一调谐件连接的第二调谐件，所述第二调谐件与第一调谐件之间设置有间隙，所述第二调谐件的上表面低于第一调谐件的下表面，所述第二调谐件的外径大于第一调谐件的外径并且小于反应腔的内径，所述第二调谐件与样品台同轴。
[0010]进一步的，还包括设置在第一调谐件与第二调谐件之间的支承件，所述支承件的外径小于第一调谐件的外径，所述支承件与样品台同轴。
[0011]进一步的，所述第一调谐件设置有第二定位孔，所述第二调谐件设置有第三定位孔，所述支承件的一端设置在第二定位孔中，所述支承件的另一端设置在第三定位孔中。
[0012]进一步的，还包括与第一调谐件连接的调谐环，所述调谐环的上表面低于样品台的上表面并且高于第一调谐件的上表面，所述调谐环与样品台同轴。
[0013]进一步的，所述调谐环的内径大于样品台的外径。
[0014]进一步的，所述调谐环的外径小于第一调谐件的外径。
[0015]进一步的，所述第一调谐件设置有定位环槽，所述调谐环设置在定位环槽中。
[0016]一种MPCVD设备，所述MPCVD设备包括所述样品台组件。
[0017]本技术具有以下优点：
[0018]1. 结构简单，便于加工制作；
[0019]2. 放电面积较大，适于大面积金刚石膜的制备，应用前景较好。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1 为现有技术样品台组件的等离子体场强仿真图；
[0022]图2 为本技术样品台组件的剖切示意图；
[0023]图3 为本技术MPCVD设备的反应腔部分剖切示意图；
[0024]图4 为本技术样品台组件的等离子体场强仿真图；
[0025]图中：1
‑
样品台，2
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第一调谐件，3
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第二调谐件，4
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反应腔，5
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支承件，6
‑
调谐环。
实施方式
[0026]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0029]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]如图2至图4所示，一种样品台组件，包括与样品台1连接的第一调谐件2；为了增大等离子体的放电面积，所述第一调谐件2的上表面低于样品台1的上表面，所述第一调谐件2的外径大于样品台1的外径，所述第一调谐件2与样品台1同轴。
[0031]进一步的，所述第一调谐件2设置有第一定位孔，所述样品台1设置在第一定位孔中；具体的，所述第一调谐件2的上表面设置有第一定位孔，所述第一定位孔的轴线与第一
调谐件2的轴线重合，所述第一定位孔与样品台1同轴，所述样品台1可拔插的设置在第一定位孔中。
[0032]进一步的，还包括与第一调谐件2连接的第二调谐件3，为了进一步增大等离子体的放电面积，所述第二调谐件3与第一调谐件2之间设置有间隙，所述第二调谐件3的上表面低于第一调谐件2的下表面，所述第二调谐件3的外径大于第一调谐件2的外径并且小于反应腔4的内径，所述第二调谐件3与样品台1同轴。
[0033]进一步的，还包括设置在第一调谐件2与第二调谐件3之间的支承件5，所述支承件5的一端与第一调谐件2连接，所述支承件5的另一端与第二调谐件3连接，所述支承件5的外径小于第一调谐件2的外径，所述支承件5与样品台1同轴。
[0034]进一步的，所述第一调谐件2设置有第二定位孔，所述第二调谐件3设置有第三定位孔，所述支承件5的一端设置在第二定位孔中，所述支承件5的另一端设置在第三定位孔中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种样品台组件，其特征在于：包括与样品台（1）连接的第一调谐件（2），所述第一调谐件（2）的上表面低于样品台（1）的上表面，所述第一调谐件（2）的外径大于样品台（1）的外径，所述第一调谐件（2）与样品台（1）同轴。2.根据权利要求1所述的样品台组件，其特征在于：所述第一调谐件（2）设置有第一定位孔，所述样品台（1）设置在第一定位孔中。3.根据权利要求1或2任一项所述的样品台组件，其特征在于：还包括与第一调谐件（2）连接的第二调谐件（3），所述第二调谐件（3）与第一调谐件（2）之间设置有间隙，所述第二调谐件（3）的上表面低于第一调谐件（2）的下表面，所述第二调谐件（3）的外径大于第一调谐件（2）的外径并且小于反应腔（4）的内径，所述第二调谐件（3）与样品台（1）同轴。4.根据权利要求3所述的样品台组件，其特征在于：还包括设置在第一调谐件（2）与第二调谐件（3）之间的支承件（5），所述支承件（5）的外径小于第一调谐件（2）的外径，所述支承件（5）与样品...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄春林，刘文科，胡宗义，李俊宏，李东亚，
申请(专利权)人：成都沃特塞恩电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：