【技术实现步骤摘要】
本技术涉及等离子体,具体而言,涉及等离子体腔体组件及等离子体设备。
技术介绍
1、等离子设备主要用于各种材料的表面改性处理,例如表面清洗、表面活化、表面刻蚀、表面接枝、表面沉积、表面聚合以及等离子体辅助化学气相沉积,该设备主要由放电腔、工作室、抽真空系统、高频电源和自动控制系统组成,在真空放电腔中,通过射频电场使气体发生放电,从而形成等离子体。
2、反应腔的腔体结构,是影响等离子体设备反应腔内电场集中程度的原因之一。
3、现有技术的等离子体设备,受腔体结构的影响,反应腔内电场分布不集中,不利于设备功率及其作业效率的提升。
技术实现思路
1、本技术的目的,在于克服现有技术的不足,提供了一种反应腔内电场更集中的等离子体腔体组件。
2、本技术的另一目的,在于提供一种等离子体设备,其采用了上述等离子体腔体组件。
3、本技术的目的通过以下技术方案来实现:
4、一种等离子体腔体组件,包括波导管、转换部和喷射管,所述转换部包括锥形结构,所述锥形结构的大端与波导管的第一宽边面连接,所述锥形结构的小端朝向波导管的第二宽边面,所述喷射管与波导管的第二宽边面连接并与波导管连通,所述喷射管与锥形结构同轴设置,所述锥形结构居中设置在波导管的窄边面之间,所述锥形结构的锥角α∈[60°,85°]。
5、进一步的,所述大端的直径为φ1,所述波导管的窄边面内壁之间的距离为d,所述φ1∈[0.75d,d]。
6、进一步的,所述波导管的
7、进一步的,所述小端伸入到阶梯状通孔中的长度为l1,所述第一孔洞的深度为l2,所述第二孔洞的深度为l3,所述l2+l3=l,所述l1∈(0,l)。
8、进一步的,所述l2=l3。
9、进一步的,所述φ2∈(φ1,1.2φ1)。
10、进一步的,所述φ3∈(0.8φ1,φ1)。
11、进一步的,所述转换部设置有通道。
12、进一步的,所述波导管与喷射管之间设置有能够被电磁波穿透的隔板。
13、一种等离子体设备,包括所述等离子体腔体组件。
14、本技术具有以下优点:
15、与现有技术等离子体腔体组件相比,本技术等离子体腔体组件反应腔内的电场更加集中,更利于设备功率及其作业效率的提升。
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1.一种等离子体腔体组件,包括波导管(1)、转换部(2)和喷射管(3),所述转换部(2)包括锥形结构,所述锥形结构的大端与波导管(1)的第一宽边面连接,所述锥形结构的小端朝向波导管(1)的第二宽边面,所述喷射管(3)与波导管(1)的第二宽边面连接并与波导管(1)连通,其特征在于:所述喷射管(3)与锥形结构同轴设置,所述锥形结构居中设置在波导管(1)的窄边面之间,所述锥形结构的锥角α∈[60°,85°]。
2.根据权利要求1所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述大端的直径为Φ1,所述波导管(1)的窄边面内壁之间的距离为D,所述Φ1∈[0.75D,D]。
3.根据权利要求2所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述波导管(1)的第二宽边面设置有阶梯状通孔,所述喷射管(3)通过阶梯状通孔与波导管(1)连通,所述阶梯状通孔与锥形结构同轴设置,所述阶梯状通孔包括第一孔洞和第二孔洞,所述第一孔洞的直径为Φ2,所述第二孔洞的直径为Φ3,所述Φ1∈(Φ3,Φ2)。
4.根据权利要求3所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述小端伸入到阶梯状通孔中的长度为L1,所
5.根据权利要求4所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述L2=L3。
6.根据权利要求5所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述Φ2∈(Φ1,1.2Φ1)。
7.根据权利要求6所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述Φ3∈(0.8Φ1,Φ1)。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述转换部(2)设置有通道(4)。
9.根据权利要求8所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述波导管(1)与喷射管(3)之间设置有能够被电磁波穿透的隔板(5)。
10.一种等离子体设备,其特征在于:包括权利要求1至9任意一项所述的等离子体腔体组件。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体腔体组件,包括波导管(1)、转换部(2)和喷射管(3),所述转换部(2)包括锥形结构,所述锥形结构的大端与波导管(1)的第一宽边面连接,所述锥形结构的小端朝向波导管(1)的第二宽边面,所述喷射管(3)与波导管(1)的第二宽边面连接并与波导管(1)连通,其特征在于:所述喷射管(3)与锥形结构同轴设置,所述锥形结构居中设置在波导管(1)的窄边面之间,所述锥形结构的锥角α∈[60°,85°]。
2.根据权利要求1所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述大端的直径为φ1,所述波导管(1)的窄边面内壁之间的距离为d,所述φ1∈[0.75d,d]。
3.根据权利要求2所述的等离子体腔体组件,其特征在于:所述波导管(1)的第二宽边面设置有阶梯状通孔,所述喷射管(3)通过阶梯状通孔与波导管(1)连通,所述阶梯状通孔与锥形结构同轴设置,所述阶梯状通孔包括第一孔洞和第二孔洞,所述第一孔洞的直径为φ2,所述第二孔洞的直径为φ3,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄春林,刘文科,胡宗义,李东亚,李俊宏,
申请(专利权)人:成都沃特塞恩电子技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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