等离子晶圆处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了等离子晶圆处理装置，中央气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面中心，周边气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面边缘，增加质量流量计检测设定气体通道的反应气体流量，处理器根据质量流量计检测的流量值，调节相应的管路设置的质量流量控制器，灵活调整中央气体通道同周边气体通道的进气比例，实现对基座上的晶圆上表面不同区域的等离子体浓度比例的控制，从而灵活的调节反应腔内不同区域的反应气体分布，进而控制等离子体刻蚀处理速率的变化，使得晶圆圆心处的等离子体刻蚀处理速率与晶圆边缘处的等离子体刻蚀处理速率一致，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种等离子晶圆处理装置。

技术介绍

1、在半导体行业中，现有的晶圆处理装置，在进行等离子处理时，来自外部气源的反应气体通过气体喷淋头进入真空反应腔或者喷淋板上部的区域，反应气体被电离后生成等离子体，对放置在基座上的静电吸盘上的晶圆进行等离子体处理。在等离子体处理过程中，由于反应腔内不同区域的反应气体分布不均匀，导致真空反应腔中产生的等离子体的浓度也不均匀，从而引起晶圆圆心处的等离子体处理速率通常会与晶圆边缘处的等离子体处理速率发生不一致，产生晶圆处理的不均匀，影响产品良率。

2、现有的一种等离子晶圆处理装置如图1所示，外部气源仅通过一条气体通道传输，给定的中心和外侧气体流量相对固定，无法调节晶圆圆心和晶圆边缘的等离子浓度比例，导致无法控制晶圆反应速率，产生晶圆处理不均匀现象。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种等离子晶圆处理装置，能灵活的调节反应腔内不同区域的反应气体分布，进而控制等离子体刻蚀处理速率的变化，使得晶圆圆心处的等离子体刻蚀处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子晶圆处理装置，其特征在于，其包括一个处理器、一个反应腔(1)、一个中央气体通道(4)、M个周边气体通道(5)、一个质量流量计(7)及至少一个质量流量控制器(8)，M为正整数；

2.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的等离子晶圆处理装置...

【技术特征摘要】

1.一种等离子晶圆处理装置，其特征在于，其包括一个处理器、一个反应腔(1)、一个中央气体通道(4)、m个周边气体通道(5)、一个质量流量计(7)及至少一个质量流量控制器(8)，m为正整数；

2.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的等离子晶圆处理装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：邹文慧，
申请(专利权)人：宸微设备科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：

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