【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及集成电路制造,特别是涉及半导体器件的精细构图 方法。
技术介绍
在现有技术的集成电路制造中,利用光刻法的从顶部向下构图 (patterning)技术已被广泛使用。在该从顶部向下构图的方法中,先使 光致抗蚀剂构成图案,再利用它对下面的目标层构图。但是随着集成电 路尺度减小到纳米量级,从顶部向下构图的光刻法由于光致抗蚀剂材料 特性而受到限制。例如,线分辨率和线边缘粗糙度受到光致抗蚀剂材料的聚合物分子 的大尺寸的限制。此外,细高形的的光致抗蚀剂结构也易使图案毁损。因此,如Nealey等人在美国专利No. US2006/0134556中所揭示的 那样,已经开发了利用共聚物材料的从底部向上构图技术。但是,即使就从底部向上构图来说,仍希望有一种用于获得各种构 图尺度的技术。此外还希望有一种用于获得比常规光刻法所能达到的更 小尺度的技术。
技术实现思路
因此,本专利技术的一个方面是在集成电路制造期间的构图方法,图像 层被激活,从而在两个最靠近的激活区域各形成各自的第一种聚合物链6段(polymer block)。此外,在图像层上形成嵌段共聚物层,并且在图像 层的区域上两个最靠近的激活区域的外边缘之间,由嵌段共聚物形成多 个第一种聚合物链段、多个第二种聚合物链段和多个第三种聚合物链段。 第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段是互不相同 的种类,例如包含不同的材料。在本专利技术的一个实施例中,在图像层的区域上两个最靠近的激活区 域的外边缘之间,形成三个第一种聚合物链段、四个第二种聚合物链段 和两个第三种聚合物链段。在本专利技术的另一实施例中,第 ...
【技术保护点】
一种集成电路制造期间的构图方法,所述方法包括: 激活图像层,从而在两个最靠近的激活区域各形成各自的第一种聚合物链段; 在图像层上形成嵌段共聚物层;以及 在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上,由嵌段共聚物形成多 个第一种聚合物链段、多个第二种聚合物链段和多个第三种聚合物链段, 其中,第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段是互不相同的种类。
【技术特征摘要】
KR 2007-12-14 10-2007-0131049;US 2008-9-12 12/283,1. 一种集成电路制造期间的构图方法,所述方法包括激活图像层,从而在两个最靠近的激活区域各形成各自的第一种聚合物链段;在图像层上形成嵌段共聚物层;以及在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上,由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段、多个第二种聚合物链段和多个第三种聚合物链段,其中,第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段是互不相同的种类。2. 权利要求1中所述的方法,进一步包括在图像层的所述区域上形成三个第一种聚合物链段、四个第二种聚 合物链段和两个第三种聚合物链段。3. 权利要求2中所述的方法,进一步包括第二种聚合物链段与第一以及第三种聚合物链段交错形成。4. 权利要求3中所述的方法,其中每一激活区域具有宽度X,并且,两个最靠近的激活区域之间的间距PX表示如下PX= (4n) *X, n为正整数。5. 权利要求4中所述的方法,其中第一、第二和第三种聚合物链段中的每一链段具有相同的宽度X。6. 权利要求2中所述的方法,进一步包括在两个最靠近的激活区域的外边缘之间顺序相邻地形成以下序列-第一种聚合物链段、第二种聚合物链段、第三种聚合物链段、另一第二 种聚合物链段、另一第一种聚合物链段、另一第二种聚合物链段、另一 第三种聚合物链段、另一第二种聚合物链段以及另一第一种聚合物链段。7. 权利要求6中所述的方法,其中嵌段共聚物是PMMA (聚甲 基丙烯酸甲酯)/PS (聚苯乙烯)/PAMS (聚丙烯酰胺)共聚物。8. 权利要求7中所述的方法,其中第一种聚合物链段是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)链段,第二种聚合物链段是PS (聚苯乙烯)链段, 第三种聚合物链段是PAMS (聚丙烯酰胺)链段。9. 权利要求8中所述的方法,其中激活区域比图像层的其他区域 更具有亲水性。10. 权利要求l中所述的方法,其中激活区域比图像层的其他区域更具有亲水性。11. 权利要求l中所述的方法,其中嵌段共聚物包括至少一种均 聚物。12. 权利要求1中所述的方法,进一步包括 第二种聚合物链段与第一以及第三种聚合物链段交错形成。13. 权利要求12中所述的方法,进一步包括去除第二种聚合物链段,然后按照保留在图像层上的第一和第三种 聚合物链段,对目标层构图。14. 权利要求12中所述的方法,进一步包括去除第二种聚合物链段、以及第一种聚合物链段和第三种聚合物链 段中的一种聚合物链段,然后按照保留在图像层上的第一种聚合物链段 和第三种聚合物链段中的一种聚合物链段,对目标层构图。15. 权利要求12中所述的方法,进一步包括去除第一种聚合物链段和第三种聚合物链段中的一种聚合物链段, 然后按照保留在图像层上的第二种聚合物链段、以及第一种聚合物链段 和第三种聚合物链段中的一种聚合物链段,对目标层构图。16. 权利要求12中所述的方法,进一步包括-去除从图像层的第一区域上所形成的第一、第二和第三种聚合物链段中选择的第一组至少一种链段;以及去除从图像层的第二区域上所形成的第一、第二和第三种聚合物链 段中选择的第二组至...
【专利技术属性】
技术研发人员:李时镛,金京泽,金贤友,尹东基,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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