【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主张于2002年12月11日申请,标题为Low temperature processfor passivation application的美国专利申请案第10/317,774号的优先权,其全文合并于此以供参考。本专利技术是关于改良的有机电激发光装置以及用来制造有机电激发光装置的改良的方法。有机电激发光装置包含有机发光二极管和高分子发光二极管,其应用在许多装置中,例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机(camcorders)以及个人数字助理。
技术介绍
在过去二十年中,出现了基于来自小型有机分子(有机发光二极管或OLEDs)或导电高分子(高分子发光二极管或PLEDs)薄层所发射的光线的新颖的平面显示器技术。与液晶显示器(LCDs)相比,此技术以较低的能量耗损提供对比度较高的显示器,并且提供速度足以用于影像应用的响应时间。以OLED和PLED技术为基础的显示器展现出比液晶显示器(LCDs)宽广许多的视角。目前,全球有多于七十家公司正在研发基于OLED或PLED结构的显示器技术。预测以OLEDs为基础的显示器的销售,例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机、个人数字助理、导航系统、游戏机以及次笔记型(subnotebook)个人计算机,在2005年会成长至高于十亿美元。OLED和PLED两者的基本装置配置是多层或三明治型结构,包含一玻璃基板、一透明阳极、两层或多层具有不同的电荷传导或发光特性的有机层以及一金属阴极。该有机层的型态一般是从半结晶型至非晶型。与无机LEDs不同,对于OLEDs和PLEDs并没有晶格适配的要求,这大大放宽了可用的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置,其特征在于,所述的电子装置至少包含一种有机电激发光装置,其中,该电子装置的一上层在沉积一保护涂层于该上层之前先施以一氢气等离子体处理。2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述的上层是一阴极层或一铝涂层。3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述的保护涂层是氮化硅。4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述的有机电激发光装置至少包含一基板;一位于该基板上的阳极层;一位于该阳极层上的有机层;一位于该有机层上的阴极层;以及位于该阴极层上的保护涂层;其中所述的有机电激发光装置的上层是所述的阴极层。5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述的阳极层是氧化铟锡(ITO)、氧化锡、导电碳、B共轭高分子或其混合物。6.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积该保护层之前,先通过暴露该阴极层在一氢气等离子体中一段长达十分钟的时间来对该阴极层施以氢气等离子体处理。7.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积该保护层之前,先通过暴露该阴极层在一氢气等离子体中一段介于四分钟和七分钟之间的时间来对该阴极层施以氢气等离子体处理。8.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述的阴极层是暴露在该氢气等离子体中一段介于两分钟和七分钟之间的时间,并且其中在至少一部分的暴露期间,氢气是以每分钟约一至六升的流速传送至该PECVD反应室。9.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述的有机电激发光装置是一有机发光二极管或一高分子发光二极管。10.一种有机电激发光装置,包含一基板;一位于该基板上的阳极层;一位于该阳极层上的有机层;一位于该有机层上的阴极层;一位于该阴极层上的内封装层,其中,该内封装层附着在该阴极层之上;以及一位于该内封装层上的外封装层。11.如权利要求10所述的有机电激发光装置,其特征在于,所述的内封装层是折射率为1.95或更高的氮化硅薄膜。12.如权利要求10所述的有机电激发光装置,其特征在于,所述的内封装层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室或一化学气相沉积(CVD)反应室中沉积至该阴极层上,且其中在至少一部分的该内封装层沉积期间,该PECVD或CVD反应室中的压力是介于1.0托耳和1.4托耳之间。13.如权利要求10所述的有机电激发光装置,其特征在于,所述的内封装层是在具有一载座(susceptor)的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该阴极层上,并且其中在至少一部分的内封装层沉积期间,该PECVD反应室内的功率约为C1×1500瓦至约C1×2500瓦,其中C1=[该PECVD载座的尺寸/200,000平方公厘]。14.如权利要求10所述的有机电激发光装置,其特征在于,所述的内封装层是在一等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室中沉积至该阴极层上,并且其中在至少一部份的内封装层沉积期间,该PECVD反应室内的温度是受限于该有机电激发光装置中有机层的物理限制。15.如权利要求10所述的有机电激发光装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔马克,竹原孝子,尚泉源,威廉·R·哈什巴杰,
申请(专利权)人:应用材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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