【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
半导体模块包含IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体芯片,设置有从其正面垂直延伸出的多个销状的外部连接端子。外部连接端子在半导体模块的内部与半导体芯片的控制电极和主电极电连接。半导体装置具备多个这样的半导体模块,且具备安装于各半导体模块的外部连接端子的印刷电路基板或母线。由此,半导体装置作为例如电力变换装置发挥作用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-142124号公报专利文献2:日本特开2017-163016号公报
技术实现思路
技术问题在上述半导体装置中,外部连接端子从印刷电路基板突出。即,在半导体装置的正面的正上方需要用于允许外部连接端子突出的空间。因此,无法在半导体装置的正面的正上方配置绝缘片等。另外,在半导体装置的正面的正上方配置其它装置的情况下,需要腾出外部连接端子突出的部分的空间。此外,由于半导体装置需要这样的空间,所以有时半导体装置的设置自由度也被半导体装置的设置位置所限制。本专利技术是鉴于这一情况而作出的,目的在于提供正面的正上方不受空间限制的半导体装置及半导体装置的制造方法。技术方案根据本专利技术的一个观点,提 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其特征在于,具有半导体模块和第一导通基板,/n所述半导体模块具有半导体元件和第一外部连接端子,所述第一外部连接端子的第一一端部与所述半导体元件电连接,所述第一外部连接端子的第一另一端部从所述半导体元件延伸出,/n所述第一导通基板具备贯通主面而形成的第一端子孔,所述第一另一端部从所述第一端子孔的第一入口向第一出口嵌合到所述第一端子孔并被焊料固定,所述第一导通基板与所述第一外部连接端子电连接,/n在所述第一端子孔和所述第一另一端部的至少任一方形成作为阶梯差、锥形部或突起的第一卡止部,所述第一另一端部相对于所述第一端子孔的插通被所述第一卡止部卡止而使所述第一另一端部留在所述第一端子孔。/n
【技术特征摘要】
20191106 JP 2019-2015591.一种半导体装置,其特征在于,具有半导体模块和第一导通基板,
所述半导体模块具有半导体元件和第一外部连接端子,所述第一外部连接端子的第一一端部与所述半导体元件电连接,所述第一外部连接端子的第一另一端部从所述半导体元件延伸出,
所述第一导通基板具备贯通主面而形成的第一端子孔,所述第一另一端部从所述第一端子孔的第一入口向第一出口嵌合到所述第一端子孔并被焊料固定,所述第一导通基板与所述第一外部连接端子电连接,
在所述第一端子孔和所述第一另一端部的至少任一方形成作为阶梯差、锥形部或突起的第一卡止部,所述第一另一端部相对于所述第一端子孔的插通被所述第一卡止部卡止而使所述第一另一端部留在所述第一端子孔。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体模块具有对所述半导体元件和所述第一外部连接端子的所述第一一端部进行封装的封装部,所述第一外部连接端子的所述第一另一端部从所述封装部延伸出,
所述第一导通基板在所述封装部的外侧设置于所述第一另一端部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体模块具有对所述半导体元件、所述第一外部连接端子和所述第一导通基板进行封装的封装部。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一卡止部为所述阶梯差的情况下,所述第一卡止部形成于所述第一端子孔的内周和所述第一另一端部的侧周面的至少任一方。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述阶梯差形成于所述第一另一端部的第一前端面的周边部,
在所述第一前端面的中心部设置有第一突起部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述阶梯差形成于所述第一另一端部的第一前端面的周边部,
所述第一端子孔为柱状的中空,所述第一突起部嵌合到所述第一端子孔的所述第一入口,所述第一卡止部卡止到所述第一端子孔的所述第一入口的周边部。
7.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述阶梯差包括形成于所述第一另一端部的第一前端面的周边部的第一阶梯差和形成于从所述第一端子孔的所述第一入口到所述第一出口的中途的第二阶梯差,
所述第一前端面嵌合到从所述第一端子孔的所述第二阶梯差到所述第一出口之间,所述第一另一端部的所述第一阶梯差卡止到所述第一端子孔的所述第二阶梯差。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一突起部为间隔件。
9.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一突起部与所述第一前端面形成为一体。
10.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一卡止部为所述突起的情况下,所述第一卡止部沿着所述第一端子孔的内周或所述第一另一端部的侧周面的周径而形成于至少一部分。
11.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述突起沿着所述第一另一端部的侧周面的周径而形成于该侧周面的至少一部分,
所述第一前端面位于从所述第一端子孔的所述第一入口到所述第一出口之间,所述第一另一端部嵌合到所述第一端子孔,所述第一卡止部卡止到所述第一端子孔的所述第一入口的周边部。
12.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一卡止部为锥形部的情况下,在所述第一端子孔的内周面和所述第一另一端部的侧周面的至少任一方形成有所述第一卡止部。
13.根据权利要求12所述的半导体...
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