【技术实现步骤摘要】
一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩
本专利技术涉及导流罩
,具体为一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩。
技术介绍
在单晶的拉制过程中,氩气由上而下吹入硅液表面,因为各石墨件之间以及石墨件与炉体之间存在一定的缝隙,氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面,因此会影响单晶的成晶以及热场的稳定,产生旁路,导流罩的使用可以弥补石墨件之间的缝隙,并且可以挡住因旁路产生的氩气进入液面,使液面更加洁净和稳定;现有装置存有以下几点不足:1、现有导流罩观察口,不能够很好的观察内部,不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况。2、副室炉过长,需要外部安装承托装置对副室炉进行承托,但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连,非常的麻烦。3、现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差,使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响,成品率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩,以解决上述
技术介绍
中提出现有导流罩观察口,不能够很好的观察内部,不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况;副室炉过长,需要外部安装承托装置对副室炉进行承托,但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连,非常的麻烦;现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差,使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响,成品率较低的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩,包括保温罩,所述保温罩底部的中间设置有外导流罩,所述外导流罩的内侧设 ...
【技术保护点】
1.一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩,包括保温罩(1),其特征在于:所述保温罩(1)底部的中间设置有外导流罩(4),所述外导流罩(4)的内侧设置有内导流罩(3),所述外导流罩(4)外侧的顶部设置有封气环(2),所述保温罩(1)顶部的一端设置有观察口(5),所述观察口(5)内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜(6),所述保温罩(1)顶部的中间设置有封闭阀(9),所述封闭阀(9)的顶部设置有副室炉(7),所述保温罩(1)顶部的两侧铰接有支撑架(8)。/n
【技术特征摘要】
1.一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩,包括保温罩(1),其特征在于:所述保温罩(1)底部的中间设置有外导流罩(4),所述外导流罩(4)的内侧设置有内导流罩(3),所述外导流罩(4)外侧的顶部设置有封气环(2),所述保温罩(1)顶部的一端设置有观察口(5),所述观察口(5)内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜(6),所述保温罩(1)顶部的中间设置有封闭阀(9),所述封闭阀(9)的顶部设置有副室炉(7),所述保温罩(1)顶部的两侧铰接有支撑架(8)。
2.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩,其特征在于:所述观察镜(6)与水平方向呈45°夹角。
3.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石...
【专利技术属性】
技术研发人员:武建军,张培林,柴利春,张作文,王志辉,
申请(专利权)人:大同新成新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山西;14
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。