用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器制造技术

技术编号:26280895 阅读:31 留言:0更新日期:2020-11-10 18:49
本实用新型专利技术公开了一种用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器,包括分别位于正三角形3个端点的三个加热器脚;三个加热器叶片组件围合形成一个圆筒,相邻的加热器叶片组件之间设有间隙Ⅰ;所述三个加热器脚位于圆筒的内表面的底部;在2个相邻的加热器叶片组件之间设置一个加热器脚。本实用新型专利技术还同时公开了该三相交流加热器的使用方法。本实用新型专利技术利用三相交流加热器形成内部磁场,不仅起到横向磁场和旋转磁场的作用,而且节省了外置磁场设备的造价及运维费用,大大降低了产品的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器
本技术涉及直拉单晶炉热场
,特别是涉及一种用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器。
技术介绍
直拉单晶炉是在惰性气体(氩气为主)环境中,使用加热器将多晶硅等多晶材料熔化,并采用直拉法生长无位错单晶的设备。加热器是单晶炉热场的核心部件,提供多晶熔化长晶的热能,目前使用最多的加热器是圆筒鸟笼状石墨加热器,底部一般有两个或四个连接电极的脚,图1所示为两个脚的石墨加热器。单晶炉的供电电源通常为低压大电流的直流电源,一般要求电源的输出功率在0~180KW,输出电压在0~60V范围内可调,输出电流在0~3000A范围内可调,电源的正负电极连接加热器脚,提供电能转换为热能。采用传统的用直拉法生长晶体时,采用以加热器围绕坩埚外部的加热方式,坩埚中熔体由于温度场的非均匀性,存在温度梯度产生的熔体热对流,熔体易出现涡流,晶体-熔体界面形状、温度梯度以及杂质浓度分布的均匀性难于控制,不易达到点缺陷的平衡。所以,为了使直拉单晶的杂质分布以及与杂质有关的材料特性得到比较全面改善,在晶体生长时向熔体空间引入外加磁场,导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器,其特征是:包括分别位于正三角形3个端点的三个加热器脚(1);/n三个加热器叶片组件围合形成一个圆筒,相邻的加热器叶片组件之间设有间隙Ⅰ;所述三个加热器脚(1)位于圆筒的内表面的底部;在2个相邻的加热器叶片组件之间设置一个加热器脚(1);/n每个加热器叶片组件由相互对称的加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)组成;加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)之间设有间隙Ⅱ,加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)的顶部相连,加热器叶片Ⅰ(21)的底部与一个加热器脚(1)相连,加热器叶片Ⅱ(22)的底部与另一个加热器脚(1)相连。/n

【技术特征摘要】
1.用于直拉单晶炉热场的三相交流加热器,其特征是:包括分别位于正三角形3个端点的三个加热器脚(1);
三个加热器叶片组件围合形成一个圆筒,相邻的加热器叶片组件之间设有间隙Ⅰ;所述三个加热器脚(1)位于圆筒的内表面的底部;在2个相邻的加热器叶片组件之间设置一个加热器脚(1);
每个加热器叶片组件由相互对称的加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)组成;加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)之间设有间隙Ⅱ,加热器叶片Ⅰ(21)和加热器叶片Ⅱ(22)的顶部相连,加热器叶片Ⅰ(21)的底部...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈益军潘金平肖世豪周永前饶伟星高海军杨国梁陈洪苏文霞徐斌
申请(专利权)人:浙江海纳半导体有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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