【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器
本技术属于半导体技术、设备领域,尤其是涉及一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器。
技术介绍
氧是CZ硅单晶中含量最高,行为最复杂的一种杂质,晶体中的氧既有益又有害,因此,在拉制硅单晶过程中需要对氧含量进行控制。直拉硅单晶中氧的主要来源是石英坩埚对硅单晶的氧沾污。在1420℃以上高温下,硅熔体和石英坩埚进行化学反应造成熔硅中氧含量增加,这是硅中氧的主要来源。成晶率是衡量单晶生产水平的重要指标,成晶率越高,说明单晶的断苞比例越少,生产能力越优秀。目前使用的主加热器包括发热体短支、发热体长支和加热器脚,一方面,因稳温过程液面长时间处于同一位置且高温运转,使得石英坩埚被熔硅腐蚀产生液位线,而液位线处的原有涂层被破坏,导致此处熔硅与坩埚反应剧烈,生成氧含量较多从而导致氧高。另一反面,因稳温过程高温时间较长,且加热器发热体长支的长度比较长,导致石英坩埚与熔硅反应面积较大,产生了较多的氧。同样地,等径过程石英坩埚下部与熔硅反应剧烈,产生更多的氧,而随着熔体对流进入单晶中的氧也更多。而且,目前的主加热器的发热体均为直角结构,加热器上表面氧化物易聚集,造成炉内环境差,影响单晶成晶率。
技术实现思路
针对现有的主加热器存在的不足,本技术旨在提供一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器,包括:发热体,所述发热体为多段式曲线结构;若干个 ...
【技术保护点】
1.一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器,其特征在于:包括:/n发热体(1),所述发热体(1)为多段式曲线结构;/n若干个加热器腿部(2),所述若干个加热器腿部(2)用于支撑所述发热体(1)。/n
【技术特征摘要】
1.一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器,其特征在于:包括:
发热体(1),所述发热体(1)为多段式曲线结构;
若干个加热器腿部(2),所述若干个加热器腿部(2)用于支撑所述发热体(1)。
2.根据权利要求1所述的一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器,其特征在于:
所述多段式曲线结构的折弯处均为圆弧结构,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍志强,武志军,郭谦,郭志荣,王胜利,康学兵,赵志远,韩凯,张文霞,高润飞,
申请(专利权)人:内蒙古中环光伏材料有限公司,
类型:新型
国别省市:内蒙古;15
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。