【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于改善自由基浓度的侧面注入设计
本公开内容的实施方式一般涉及制造半导体器件。更具体言之,本文描述的实施方式涉及使用来自远程等离子体源的离子、自由基和电子的改进式侧面注入来制造浮栅NAND存储器器件和其他晶体管栅极结构。
技术介绍
闪存(如NAND闪存器件)是广泛用于大容量存储应用的常用类型的非易失性存储器。NAND闪存器件通常具有堆叠型栅极结构,其中隧道氧化物(TO)、浮栅(FG)、多晶硅间电介质(IPD)和控制栅(CG)依序堆叠在半导体基板上。浮栅、隧道氧化物和基板的下面部分大体形成NAND闪存器件的单元(或存储器单元)。浅沟槽隔离(STI)区域设置在隧道氧化物相邻的每个单元与浮栅之间的基板中,以将该单元与相邻单元分离。在写入NAND闪存器件期间,向控制栅施加正电压,该电压将电子从基板吸引到浮栅中。为了抹除NAND闪存器件的数据,将正电压施加到基板以将电子从浮栅释出并通过隧道氧化物。电子流由感测电路感测,而使得返回“0”或“1”作为当前指示。浮栅中的电子量和“0”或“1”特性形成用于在NAND闪存器件中存储数据的基础。浮栅通常由隧道氧化物而与半导体基板隔离,以及由多晶硅间电介质而与控制栅隔离,这防止电子在例如基板和浮栅之间或浮栅和控制栅之间泄漏。为了使NAND闪存器件能够持续物理地按比例增减(scaling),业界已经使用氮化工艺将氮结合到浮栅的表面中以改善隧道氧化物的可靠性或者将掺杂剂扩散抑制在浮栅之外。然而,氮化工艺也不合意地将氮结合到浅沟槽隔离区域中。结合在相邻浮栅结构之间的浅沟槽隔离区域中的氮形成 ...
【技术保护点】
1.一种用于基板处理系统的腔室入口组件,包括:/n腔室入口;/n用于输送管线的外部耦接件;/n用于处理腔室的处理区域的内部耦接件,所述内部耦接件和所述外部耦接件分别在所述腔室入口的内端和外端上,其中所述内部耦接件的横截面面积大于所述外部耦接件的横截面面积;/n纵向剖面,所述纵向剖面包含所述内端和所述外端以及第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧位于所述腔室入口的相对侧上,其中所述纵向剖面的形状包含以下各者中的至少一个:三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形;和/n盒,所述盒包含所述腔室入口并经配置以设置到所述处理腔室的侧壁中。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180130 IN 201841003399;20180124 US 62/621,4601.一种用于基板处理系统的腔室入口组件,包括:
腔室入口;
用于输送管线的外部耦接件;
用于处理腔室的处理区域的内部耦接件,所述内部耦接件和所述外部耦接件分别在所述腔室入口的内端和外端上,其中所述内部耦接件的横截面面积大于所述外部耦接件的横截面面积;
纵向剖面,所述纵向剖面包含所述内端和所述外端以及第一侧和第二侧,所述第一侧和所述第二侧位于所述腔室入口的相对侧上,其中所述纵向剖面的形状包含以下各者中的至少一个:三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形;和
盒,所述盒包含所述腔室入口并经配置以设置到所述处理腔室的侧壁中。
2.如权利要求1所述的腔室入口组件,其中:
腔室入口纵轴,所述腔室入口纵轴从所述处理区域的中心穿过所述内端并延伸到所述外部耦接件,
输送管线纵轴,所述输送管线纵轴与所述输送管线平行,所述输送管线纵轴从所述输送管线延伸并穿过所述外部耦接件,并且
所述腔室入口纵轴与所述输送管线纵轴成10度至70度之间的角度。
3.如权利要求2所述的腔室入口组件,其中所述输送管线纵轴在所述内端和所述外端之间的一点处与所述第一侧相交。
4.如权利要求1所述的腔室入口组件,其中所述第一侧是弯曲的。
5.如权利要求4所述的腔室入口组件,其中当所述第一侧接近所述内部耦接件时,所述第一侧与所述外部耦接件处的所述输送管线对齐,且朝向所述第二侧弯曲。
6.如权利要求1所述的腔室入口组件,其中所述第一侧是直的且与所述输送管线的内壁对齐。
7.如权利要求1所述的腔室入口组件,其中所述第一侧是直的且与所述输送管线的内壁形成小于180°的角度。
8.如权利要求1所述的腔室入口组件,其中所述外部耦接件的长度小于所述外端的长度。
9.一种用于基板处理系统的输送管线的入口构件,包括:
第一端,所述第一端用于耦接到所...
【专利技术属性】
技术研发人员:庄野贤一,维希瓦·库马尔·帕迪,克里斯托弗·S·奥尔森,汉瑟·劳,阿古斯·索菲安·查德拉,泰万·基姆,托宾·卡芙曼·奥斯本,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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