【技术实现步骤摘要】
一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法
本专利技术涉及器件模型开发
,特别是涉及一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法。
技术介绍
现有技术中的OLED模型是利用现有的二极管、电阻、电容模型组合建立子电路,从而搭建起模型。然而现有的二极管、电阻、电容模型不是为新型器件OLED所特别设计的,所以就会造成OLED的仿真结果的准确性受到限制,由于是几个器件的组合所以仿真时间也会较长。此外在文献调研上看,OLED的电流-电压(I-V)特性受到重点关注,对OLED的电容-电压(C-V)特性关注较少,而在实际需求中,对OLED的C-V特性关注很多。在目前的工业应用中,还没有一种集成在仿真器中的集约模型(compactmodel),而现有的OLED的子电路模型(subcktmodel)的仿真在精度和效率方面表现得都不是很好。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足,本专利技术的目的在于提供一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,能够有效地提高OLED的仿真精度和仿真效率。为实现上述目的,本专利技术提供的一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,包括以下步骤:1)获取器件的电流-电压和电容-电压数据;2)根据所述数据建立曲线拟合多项式;3)建立Verilog-A表达式,得到仿真OLED模型;4)分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合;5)进行模型验证。进一步地,所述步骤2)进一步包括,去 ...
【技术保护点】
1.一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,包括以下步骤:/n1)获取器件的电流-电压和电容-电压数据;/n2)根据所述数据建立曲线拟合多项式;/n3)建立Verilog-A表达式,得到仿真OLED模型;/n4)分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合;/n5)进行模型验证。/n
【技术特征摘要】
1.一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)获取器件的电流-电压和电容-电压数据;
2)根据所述数据建立曲线拟合多项式;
3)建立Verilog-A表达式,得到仿真OLED模型;
4)分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合;
5)进行模型验证。
2.根据权利要求1所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,在所述步骤2)之前,还包括,去除所述数据的坏点和噪声点。
3.根据权利要求1所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,所述步骤2)进一步包括,
将电流-电压特性曲线分为反向区、开启区、饱和区并分别建立拟合多项式;
将电容-电压特性曲线分为平坦区、上升区、下降区并分别建立拟合多项式。
4.根据权利要求3所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,在所述电流-电压特性曲线中,
以所述电压为0的点作为所述反向区和所述开启区的开启分界点;
以所述电流对所述电压求二阶导数为0的点作为所述开启区和所述饱和区的饱和分界点;
所述电压小于0的区域为所述反向区,所述电压大于0小于所述饱和分界点的区域为所述开启区,所述电压大于所述饱和分界点的区域为所述饱和区。
5.根据权利要求3所述的一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,在所述电容-电压特性曲线中,
以所述电压为0的点作为所述下降区和所述上升区的上升分界点;
以所述电容对所述电压求二阶导数为0的点作为所述上升区和所述平坦区的平坦分界点;
所述电压小于0的区域为所述下降区,所述电压大于0小于所述平坦分界点的区域为所述上升区,所述电压大于所述平坦分界点的区域为所述平坦区。
6.根据权利要求3所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,建立所述电压-电流特性曲线拟合多项式包括以下步骤:
设所述电压为x,所述电流为y;
用最小二乘法进行电压-电流多项式拟合;
所述电压-电流拟合多项式的系数小于等于3;
所述电压-电流拟合多项式为:y=k3x³+k2x²+k1x¹+k0;
其中所述k0、k1、k2、k3为常数。
7.根据权利要求6所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法,其特征在于,所述开启区和所述饱和区在建立...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫雷雨,张万鑫,李翡,刘伟平,
申请(专利权)人:南京九芯电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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