发光二极管制造技术

根据一实施例的发光二极管，包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一导电型半导体层电接通；第二焊盘金属层，通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，并与所述第一焊盘金属层在水平方向上隔开；以及上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，并具有分别使所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管
本专利技术涉及发光二极管，更详细地，涉及高效率发光二极管。
技术介绍
通常，氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)之类Ⅲ族元素的氮化物热稳定性优异，并具有直接跃迁型能带(band)结构，因此最近作为可视光线和紫外线区段的光源用物质备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色和绿色发光二极管应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、汽车前照灯、高密度光源、高分辨率输出系统和光通信等多种应用领域。发光二极管需要用于输入电流的电极。进而，p型氮化镓类半导体层由于电阻率高，因此产生电流集中的问题，为了弥补该问题，通常在p型氮化镓类半导体层中使用欧姆接触的铟锡氧化物(ITO)。但是，在芯片级发光二极管之类高功率发光二极管的情况下，形成有用于保护发光二极管的绝缘层，在绝缘层上形成有电极焊盘之类追加性金属层。此时，为了将电极焊盘与透明电极层电接通，需要蚀刻绝缘层而使ITO暴露，在蚀刻绝缘层的期间，ITO可能会被蚀刻剂损伤。尤其，ITO的光吸收率相对高，难以增加厚度，具有大致约100nm左右的厚度。由于ITO的厚度相对薄，在蚀刻绝缘层时，p型氮化镓类半导体层可能会暴露，由此，p欧姆特性变差，可能会导致不良。为了防止该问题，可以在蒸镀绝缘层之前，在ITO上追加形成额外的金属层或者代替ITO使用金属欧姆层。但是，当在ITO上追加额外的金属层或者代替ITO使用金属欧姆层时，制造工艺变得复杂，制造费用增加。另一方面，在LED灯丝灯之类一般照明中使用发光二极管。在棒状的基底上，利用焊线电连接多个发光二极管。但是，最近开发有利用柔性(可挠性)灯带能够将灯丝形状多样变形的技术。但是，利用焊线的电连接对灯带的变形脆弱，容易产生断路等不良。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供一种使用透明欧姆层且具有简单结构而结构稳定性和工艺稳定性提高的发光二极管。本专利技术所要解决的另一课题是提供一种能够防止产生断路等不良的简单的芯片级封装结构的发光二极管。根据本专利技术的一实施例的发光二极管包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一导电型半导体层电接通；第二焊盘金属层，通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，并与所述第一焊盘金属层在水平方向上隔开；以及上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，并具有分别使所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。根据本专利技术的另一实施例的发光二极管包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述第一导电型半导体层暴露的开口部和使所述ZnO层暴露的开口部；第一凸起焊盘，布置在所述下绝缘层上，并通过所述下绝缘层的开口部与所述第一导电型半导体层电接通；以及第二凸起焊盘，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。根据本专利技术的实施例，作为透明电极层使用光吸收率低的ZnO层，从而能够形成厚的透明电极层。由此，即使下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度形成为比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄，也能够使下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度充分厚。因此，无需在形成下绝缘层之前，在透明电极层上形成额外的金属反射层或者代替透明电极层形成金属反射层，因此能够提供工艺简便且结构稳定性提高的发光二极管。进而，根据本专利技术的实施例，能够提供无需焊线就能够进行倒装芯片焊接的小型发光二极管。针对本专利技术的其他优点和效果，通过具体实施方式将更加清楚。附图说明图1是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光二极管的简要的俯视图。图2是沿着图1的截取线A-A'截取的截面图。图3是沿着图1的截取线B-B'截取的截面图。图4是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光二极管的制造方法的俯视图。图5是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光二极管的简要俯视图。图6是沿着图5的截取线C-C'截取的截面图。图7是沿着图5的截取线D-D'截取的截面图。图8是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光二极管的制造方法的简要俯视图。图9是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光二极管的简要俯视图。图10是沿着图9的截取线E-E'截取的截面图。图11是沿着图9的截取线F-F'截取的截面图。图12是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光二极管的制造方法的简要俯视图。图13是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光二极管的简要俯视图。图14是沿着图13的截取线G-G'截取的截面图。图15是用于说明根据本专利技术的一实施例的LED灯的简要截面图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。下面介绍的实施例是为了使本专利技术所属
的通常的技术人员充分了解本专利技术的构思而作为例子提供的。因此，本专利技术不限于以下说明的实施例，还能够以其它形式具体化。还有，在附图中，为了便利，有时也夸大表现构成要件的宽度、长度、厚度等。此外，当记载为一个构成要件在其它构成要件的“上方”或“上”时，不仅包括各个部分在其它部分的“正上方”或“正上”的情况，还包括各构成要件与其它构成要件之间还夹设其它构成要件的情况。相同的附图标记贯穿整个说明书表示相同的构成要件。根据本专利技术的一实施例，提供一种发光二极管，所述发光二极管包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一导电型半导体层电接通；第二焊盘金属层，通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，并与所述第一焊盘金属层在水平方向上隔开；以及上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，并具有分别使所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。通过采用光吸收率低的ZnO层，能够将下绝缘层的开口部之下的ZnO层保留到充分厚，从而结构稳定性提高。此外，无需在下绝缘层之下使用金属反射层，因此制造工艺简单，工艺稳定性提高。可以是，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄40nm至100nm。进而，可以是，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度是100nm以上。通过将所述下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度确保在100nm以上，能够保证稳定的欧姆接触。所述下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度的上限没有特别限制，例如可以是500nm以下。另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一导电型半导体层电接通；第二焊盘金属层，通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，并与所述第一焊盘金属层在水平方向上隔开；以及上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，并具有分别使所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.08.11 KR 10-2017-0102453;2018.07.27 KR 10-2011.一种发光二极管，包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层上的台面，所述台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于所述第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖所述ZnO层和台面，并具有使所述ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并与所述第一导电型半导体层电接通；第二焊盘金属层，通过所述下绝缘层的开口部与所述ZnO层电接通，并与所述第一焊盘金属层在水平方向上隔开；以及上绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，并具有分别使所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度比被所述下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄40nm至100nm。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层的开口部之下的所述ZnO层的厚度是100nm以上。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层沿着所述台面圆周使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层与沿着所述台面圆周暴露的第一导电型半导体层接通。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层包括沿着所述台面圆周使所述第一导电型半导体层暴露的多个开口部，所述第一焊盘金属层通过所述多个开口部与所述第一导电型半导体层接通。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述台面包括沿着侧面布置的多个槽，所述下绝缘层的多个开口部对应于所述多个槽布置。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述台面具有通过所述第二导电型半导体层和活性层使所述第一导电型半导体层暴露的贯通孔，所述下绝缘层具有在所述贯通孔内使所述第一导电型半导体层暴露的开口部，所述第一焊盘金属层在所述贯通孔内与所述第一导电型半导体层接通。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述贯通孔具有沿着发光二极管的长度方向长的形状。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一焊盘金属层覆盖所述贯通孔，所述第二焊盘金属层的局部沿着所述贯通孔的长度方向布置在所述贯通孔的两侧。10.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述下绝缘层沿着所述台面圆周使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层还与沿着所述台面圆周暴露的所述第一导电型半导体层接通。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述上绝缘层的第一开口部和第二开口部定义发光二极管的焊盘区域。12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发光二极管还包括第一凸起焊盘和第二凸起焊盘，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李剡劤，申赞燮，梁明学，李珍雄，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR