包括ZnO透明电极的发光元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光元件。发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于台面上；第一电极，位于第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，第二电极延伸部与ZnO透明电极接触，ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于第二区域的厚度，多个凸出部之间的间距小于从第二电极延伸部至邻近于第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括ZnO透明电极的发光元件
本技术涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括多个凸出部，从而提高发光效率，并提高电特性的包括ZnO透明电极的发光元件。
技术介绍
在利用氮化物系半导体的发光二极管中，氮化物系p型半导体层具有相对低于n型半导体层的导电性。因此，电流在p型半导体层无法沿水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(currentcrowding)。在电流集中于半导体层内的情况下，发光二极管对静电放电变得薄弱，并且可能发生漏电及效率下降(droop)。并且，p型半导体层相比于n型半导体层不易于形成与金属性电极之间的欧姆接触，或与金属性电极之间的接触电阻高。因此，为了有效地分散电流，且顺利地形成欧姆接触，曾经在发光元件的制造中应用在p型半导体层上形成如ITO等透明电极及电流阻断层的技术。然而，仅由电流阻断层及ITO透明电极使电流在整个p型半导体层均匀分散是有限度的。尤其，由于ITO随厚度的透光性低下，所以增加ITO的厚度是有限度的，因此在ITO内的水平方向电阻相对较高，且电流分散也随之有限。
技术实现思路
技术问题本技术要解决的课题是提供一种电阻低且提高了电流分散效率的包括ZnO透明电极的发光元件。本技术要解决的又一课题是提供一种通过对ZnO透明电极表面进行图案化，从而提高光提取效率的发光元件。本技术要解决的又一课题是提供一种控制ZnO透明电极的形状，从而电特性得到提高的发光元件。技术方案根据本技术的一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括位于活性层及所述活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于所述台面上；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度，所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。所述ZnO透明电极的第一区域的最大厚度可以是所述ZnO透明电极的第二区域的厚度的2至6倍。所述ZnO透明电极的第二区域可以具有250nm以上的厚度。所述ZnO透明电极的第二区域可以具有300至500nm的厚度。所述ZnO透明电极的凸出部可以具有1至1.5μm的高度。所述凸出部各自的下表面的直径或者对应所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径可以是所述凸出部间的间距的1.5至3倍。所述凸出部各自的下表面的直径或者对应于所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径可以为1至3μm。位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度可以大于所述ZnO透明电极的平均厚度。位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度可以与所述ZnO透明电极的第一区域的厚度相同。所述发光元件还可以包括位于所述台面与所述ZnO透明电极之间的电流阻断层，所述电流阻断层包括：焊盘电流阻断层，位于所述第二电极焊盘的下部；以及延伸部电流阻断层，位于所述第二电极延伸部的下部。所述延伸部电流阻断层可以被所述ZnO透明电极所覆盖，所述焊盘电流阻断层可以被所述ZnO透明电极部分覆盖，在所述第二电极焊盘与所述焊盘电流阻断层之间的一部分可以夹设有所述ZnO透明电极。夹设于所述第二电极焊盘与所述焊盘电流阻断层之间的一部分的所述ZnO透明电极的厚度可以大于所述ZnO透明电极的平均厚度。所述发光元件还可以包括至少局部地覆盖所述发光结构体的上表面及所述ZnO透明电极的钝化层。位于所述ZnO透明电极的第二区域上的钝化层的部分的厚度可以大于位于所述ZnO透明电极的第一区域上的钝化层的部分的厚度。所述第二区域可以对应于未形成所述凸出部的部分。根据本技术的另一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括位于活性层及所述活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于所述台面上；第一电极，与所述第二导电型半导体层绝缘，且位于所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极的上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，被所述第二电极延伸部的侧面以及在水平方向上与所述第二电极延伸部的侧面相隔预定距离的虚拟的边界线包围的区域与所述ZnO透明电极的第一区域相互不重叠，所述预定距离大于所述多个凸出部之间的间距。所述第二区域的厚度可以小于所述多个凸出部的高度。所述预定距离可以小于从所述第二电极延伸部到邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。有益效果根据本技术，提供具有包括透光率相对较高的ZnO透明电极的透明电极的发光元件，从而相对于应用ITO的情况而言，能够以更厚的厚度形成透明电极。因此，能够提高在透明电极的水平方向的电流分散效率。并且，所述透明电极形成为相对较厚的厚度，从而能够在表面形成凸出部，并且通过所述凸出部能够提高发光元件的光提取效率。附图说明图1是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图。图2及图3是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的剖面图。图4是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的放大剖面图。图5及图6是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的放大平面图。图7是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的放大立体图。图8a至图8c是用于说明根据本技术的另一实施例的发光元件的放大立体图。图9及图10是用于说明根据本技术的另一实施例的发光元件的剖面图及放大剖面图。图11是用于说明将根据本技术的一实施例的发光元件应用到照明装置的示例的分解立体图。图12是用于说明将根据本技术的一实施例的发光元件应用到显示装置的示例的剖面图。图13是用于说明将根据本技术的一实施例的发光元件应用到显示装置的示例的剖面图。图14是用于说明将根据本技术的一实施例的发光元件应用到前照灯的示例的剖面图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本技术的实施例。为了将本技术的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本技术并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到某构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分均“直接”布置于在其他构成要素的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间夹设有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。以下，参照图1至图7对本技术的一实施例的发光元件进行说明。图1是用于说明根据技术的一实施例的发光元件的平面图，图2及图3分别是图示对应图1的A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于所述台面上；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，所述第一导电性半导体层、所述活性层以及所述第二导电型半导体层构成为发光结构体，所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度，所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.15 KR 10-2015-01001931.一种发光元件，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；ZnO透明电极，位于所述台面上；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，至少一部分位于所述ZnO透明电极上，且包括第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘开始延伸的一个以上的第二电极延伸部，其中，所述第一导电性半导体层、所述活性层以及所述第二导电型半导体层构成为发光结构体，所述第二电极延伸部与所述ZnO透明电极接触，所述ZnO透明电极包括第一区域及第二区域，所述第一区域包括向所述ZnO透明电极上表面的上部凸出且以预定的图案布置的多个凸出部，与所述多个凸出部的高度对应的部分的厚度大于所述第二区域的厚度，所述多个凸出部之间的间距小于从所述第二电极延伸部至邻近于所述第二电极延伸部的一凸出部之间的水平方向最短距离。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述ZnO透明电极的第一区域的最大厚度是所述ZnO透明电极的第二区域的厚度的2至6倍。3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述ZnO透明电极的第二区域具有250nm以上的厚度。4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述ZnO透明电极的第二区域具有300至500nm的厚度。5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述ZnO透明电极的凸出部具有1至1.5μm的高度。6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述凸出部各自的下表面的直径或者对应所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径，是所述凸出部间的间距的1.5至3倍。7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，所述凸出部各自的下表面的直径或者对应于所述凸出部各自的下表面的内切圆的直径为1至3μm。8.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度大于所述ZnO透明电极的平均厚度。9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于，位于所述第二电极延伸部的下部的ZnO透明电极的厚度与所述ZnO透明电极的第一区域的厚度相同。10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：申赞燮，梁明学，尹馀镇，李剡劤，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR