薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤、金属蚀刻初始步骤、第一金属蚀刻步骤、第二金属蚀刻步骤、以及电流侦测步骤。透过侦测基板上集流体层的电流变化可准确侦测出金属蚀刻终点。

METHOD FOR DETERMINING METAL Etching TERMINAL POINT OF METAL LAYER ON THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法
本专利技术是有关于一种测定方法，特别是有关于一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其不受溶液颜色和实施所述测定方法的人员的视觉辨识能力等因素所干扰。
技术介绍
在薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)领域，玻璃/金属结构的金属蚀刻终点(EndPointDetermination,EPD)的测定主要采用在蚀刻过程中目视的方法进行判定。所述方法是利用铜和钼颜色以及透明玻璃颜色的色差来进行EPD的判断，而在进行蚀刻的溶液中同时存在溶液颜色的干扰以及不同观察人员和观察习惯的影响，且人眼观察本身会有一定的延时。在多层金属结构中，存在多层金属EPD的撷取需求。由于在所述多层金属结构中的第二层以及第三层金属厚度较小，导致色差辨识难度大以及人员观察误差大，其EPD撷取通常作为蚀刻工艺的参考选项而不是主控选项，对所述EPD的撷取技术和认识还有待进一步提高故，有必要提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，以解决现有技术所存在的以人眼辨识金属蚀刻终点的低精准度问题。本专利技术主要目的在于提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述集流体层；以及所述电流侦测步骤，包括至少在所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第二金属蚀刻步骤中所述铜层被蚀刻至露出所述集流层的时点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述第一金属蚀刻步骤以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述金属蚀刻初始步骤、所述第一金属蚀刻步骤、以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述集流体层是以铂或碳制造。本专利技术另一目的在于提供一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、钼层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；所述第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述钼层；所述第三金属蚀刻步骤，包括蚀刻所述钼层；以及所述电流侦测步骤，包括至少在所述第三金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流/时间的斜率绝对值发生骤降时，所述骤降时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第三金属蚀刻步骤中所述钼层被蚀刻至露出所述集流层的时点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括至少在所述第三金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流/时间的斜率绝对值发生骤降时，所述骤降时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述第二金属蚀刻步骤以及所述第三金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流/时间的斜率绝对值发生骤降时，所述骤降时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述第一金属蚀刻步骤、所述第二金属蚀刻步骤、以及所述第三金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流/时间的斜率绝对值发生骤降时，所述骤降时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述电流侦测步骤，包括在所述金属蚀刻初始步骤、所述第一金属蚀刻步骤、所述第二金属蚀刻步骤、以及所述第三金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流/时间的斜率绝对值发生骤降时，所述骤降时点判定为金属蚀刻终点。在本专利技术较佳实施例中，所述集流体层是以铂或碳制造。相较于现有技术，本专利技术具有下列优点。本专利技术薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，不受溶液颜色和人员因素干扰。本专利技术测定方法，兼容单层、多层金属层数的EPD测定。本专利技术测定方法基于TFT基板在蚀刻过程中的法拉第电流特性，来完成EPD的测定，因此能相较以人员目测的方式有更高的准确性。法拉第电流的采集由铜层或是钼层下方的集流体层完成，以铂或碳制造的集流体层性质稳定，进而能提升EPD测定的精度。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，且配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法的第1实施例的步骤流程图。图2是本专利技术第1实施例对应金属蚀刻初始步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图3是本专利技术第1实施例对应第一金属蚀刻步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图4是本专利技术第1实施例对应第二金属蚀刻步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图5是本专利技术第1实施例对应电流侦测步骤的电流-时间曲线图。图6是本专利技术薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法的第2实施例的步骤流程图。图7是本专利技术第2实施例对应金属蚀刻初始步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图8是本专利技术第2实施例对应第一金属蚀刻步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图9是本专利技术第2实施例对应第二金属蚀刻步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图10是本专利技术第2实施例对应第三金属蚀刻步骤的薄膜晶体管基板半成品侧面剖视图。图11是本专利技术第1实施例对应电流侦测步骤的电流-时间曲线图。具体实施方式本专利技术薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)基板金属层的金属蚀刻终点测定方法的第1实施例：选用铂或是碳作为集流体，以测定TFT基板的铜层30的金属蚀刻终点(EndPointDetermination,EPD)。由于TFT基板或者类似的阻挡层/导电层/PR(Photoresist)层的结构下，其蚀刻过程的电化学电流本身是具有一定的特征的，如图1所示。请参照图1，本专利技术薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法的第1实施例包括下列步骤：基板提供步骤S101、金属蚀刻初始步骤S102、第一金属蚀刻步骤S103、第二金属蚀刻步骤S104、以及电流侦测步骤S105。请参照图2，所述基板提供步骤S101，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板10、集流体层20、铜层30以及光阻层40，其中，所述光阻层40上形成有二相见间隔的光阻块41，所述集流体层20是以铂或碳制造。所述金属蚀刻初始步骤S102，包括开始蚀刻所述铜层30，其中，所述两光阻块41之间的所述铜层30上的线宽为L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于，所述金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述集流体层；以及所述电流侦测步骤，包括至少在所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第二金属蚀刻步骤中所述铜层被蚀刻至露出所述集流层的时点。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于，所述金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第一金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层，使所述铜层被蚀刻出一介于两所述光阻块之间的梯形槽；第二金属蚀刻步骤，包括持续蚀刻所述铜层以露出所述集流体层；以及所述电流侦测步骤，包括至少在所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点，其中，所述金属蚀刻终点为所述第二金属蚀刻步骤中所述铜层被蚀刻至露出所述集流层的时点。2.如权利要求1所述的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于：所述电流侦测步骤，包括在所述第一金属蚀刻步骤以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。3.如权利要求1所述的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于：所述电流侦测步骤，包括在所述金属蚀刻初始步骤、所述第一金属蚀刻步骤、以及所述第二金属蚀刻步骤中通过所述集流体层持续测定电流值，其中，当所述电流值发生骤降时，所述骤降的时点判定为金属蚀刻终点。4.如权利要求1所述的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于：所述集流体层是以铂或碳制造。5.一种薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法，其特征在于，所述金属蚀刻终点测定方法包括：基板提供步骤，包括提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括依序迭设的玻璃基板、集流体层、钼层、铜层以及光阻层，其中，所述光阻层上形成有二相见间隔的光阻块；金属蚀刻初始步骤，包括开始蚀刻所述铜层；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅园，李金城，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44