发光器件封装制造技术

根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及贯穿该上表面和下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括分别布置在第一开口和第二开口上的第一结合部和第二结合部，其中所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，该凹部可以与第一开口和第二开口竖直地重叠，并且该凹部可以在所述本体的侧表面处暴露。

Luminescent Device Packaging

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装
实施例涉及一种半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够方便地用于功率控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。按照长波长的顺序，紫外线可以被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、假币的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
技术实现思路
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。实施例可以提供一种半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其可以防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象(re-meltingphenomenon)。根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及贯穿该上表面和下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括分别布置在第一开口和第二开口上的第一结合部和第二结合部，其中，所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，其中，该凹部可以与第一开口和第二开口竖直地重叠，并且其中，该凹部可以在所述本体的侧表面处暴露。根据实施例，所述本体的侧表面可以包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，并且所述凹部可以贯穿第一侧表面和第二侧表面。根据实施例，所述本体的侧表面可以具有在第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。根据实施例，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件的第一结合部朝向发光器件的第二结合部的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。根据实施例，所述本体可以包括第一部分和第二部分，其中，该第二部分可以布置在发光器件下方以提供第一开口和第二开口，其中第一部分可以设置在第二部分周围，其中第二部分的厚度可以设置成小于第一部分的厚度，其中第一部分的下表面和第二部分的下表面可以设置成彼此成台阶状，并且其中第二部分的下表面可以布置得高于第一部分的下表面。根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一树脂，该第一树脂布置在所述本体和发光器件之间；以及上凹部，该上凹部设置在第二部分的上表面上，并且第一树脂可以布置在该上凹部处。根据实施例，该上凹部可以包括第一上凹部和第二上凹部，并且第一上部凹部可以围绕第一开口设置，并且第二上部凹部可以围绕第二开口设置。根据实施例，该上凹部还可以包括第三上凹部，并且该第三上凹部可以在第一开口和第二开口之间布置在所述上表面上。根据实施例，第一结合部和第二结合部可以在第三方向上与第一开口和第二开口重叠，其中第三方向可以垂直于第一方向和第二方向，并且可以是从所述本体的下表面朝向所述本体的上表面的方向。根据实施例，第一结合部和第二结合部的下表面的面积可以设置成分别大于第一开口和第二开口的上部区域的面积。根据实施例的发光器件封装可以包括导体，该导体布置在第一开口和第二开口中并分别电连接到第一结合部和第二结合部。根据实施例的发光器件封装可以包括布置在所述本体的下表面下方的电路板，并且所述本体的第二部分的下表面可以布置成与电路板的上表面间隔开以提供空间。根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及从上表面贯穿到下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括布置在第一开口上的第一结合部和布置在第二开口上的第二结合部，其中所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，并且其中该凹部可以通过贯穿所述本体的侧表面当中的、彼此面对的第一侧表面和第二侧表面而设置。根据实施例，该凹部可以布置在所述本体的下表面上，并且包括多个区域，所述多个区域被布置成在从所述本体的下表面朝向所述本体的上表面的方向上凹进，并且所述多个区域中的至少两个区域可以设置成彼此连接。根据实施例，该凹部可以包括贯穿第一侧表面和第二侧表面的第一下凹部、以及贯穿第一侧表面和第二侧表面的第二下凹部，并且第一下凹部和第二下凹部可以布置成与第一侧表面和第二侧表面间隔开。根据实施例，第一下凹部可以设置成暴露于第一侧表面和第二侧表面，并且第二下凹部可以布置成暴露于第一侧表面和第二侧表面。根据实施例，该凹部可以包括：第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：本体，所述本体包括上表面、下表面、将所述上表面和所述下表面连接的侧表面、以及第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口贯穿所述上表面和所述下表面；和发光器件，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部和所述第二结合部分别布置在所述第一开口和所述第二开口上，其中，所述本体包括设置在所述下表面上的凹部，其中，所述凹部与所述第一开口及所述第二开口竖直地重叠，并且其中，所述凹部在所述本体的侧表面处暴露。

【技术特征摘要】
2018.01.03 KR 10-2018-00005061.一种发光器件封装，包括：本体，所述本体包括上表面、下表面、将所述上表面和所述下表面连接的侧表面、以及第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口贯穿所述上表面和所述下表面；和发光器件，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部和所述第二结合部分别布置在所述第一开口和所述第二开口上，其中，所述本体包括设置在所述下表面上的凹部，其中，所述凹部与所述第一开口及所述第二开口竖直地重叠，并且其中，所述凹部在所述本体的侧表面处暴露。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体的所述侧表面包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，并且所述凹部贯穿所述第一侧表面和所述第二侧表面。3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述本体的所述侧表面具有在所述第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述凹部包括：第一凹部，所述第一凹部在与从所述发光器件的所述第一结合部朝向所述发光器件的所述第二结合部的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，所述第二凹部在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体包括第一部分和第二部分，其中，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金元中，宋俊午，金基石，任仓满，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR