发光器件封装制造技术

根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架包括贯穿第一框架的上表面和下表面设置的第一开口部，该第二框架与第一框架间隔开并包括第二开口部；第一导电层和第二导电层，该第一导电层和第二导电层分别布置在第一开口部和第二开口部中；布置在第一框架和第二框架之间的本体；第一树脂，该第一树脂布置在所述本体上；以及发光器件，该发光器件布置在粘合剂上。根据实施例的发光器件包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架并与第一结合部间隔开的第二结合部，第一结合部和第二结合部分别布置在第一开口部和第二开口部上，并且，由第一导电层和第一框架的合金形成的第一合金层布置在第一导电层和第一框架之间。

Luminescent Device Packaging

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件封装
实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够容易地用于功率控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。按照长波长的顺序，紫外线可以被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、假币的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此已经进行了能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
技术实现思路
技术问题实施例可以提供能够改善光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。实施例提供了一种半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其可以防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象(re-meltingphenomenon)。技术解决方案根据实施例的发光器件封装包括：第一框架和第二框架，该第一框架包括贯穿第一框架的上表面和下表面设置的第一开口部，该第二框架与第一框架间隔开并包括第二开口部；第一导电层和第二导电层，该第一导电层和第二导电层分别布置在第一开口部和第二开口部中；该布置在第一框架和第二框架之间的本体；第一树脂，该第一树脂布置在所述本体上；以及发光器件，该发光器件布置在第一树脂上，其中，该发光器件包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架并与第一结合部间隔开的第二结合部，第一结合部和第二结合部分别布置在第一开口部和第二开口部上，并且，由第一导电层和第一框架的合金形成的第一合金层可以布置在第一导电层和第一框架之间。根据实施例，由第二导电层和第二框架的合金形成的第二合金层可以布置在第二导电层和第二框架之间。根据实施例，第一框架和第二框架可以包括支撑构件和包围该支撑构件的第一金属层。根据实施例，所述本体可以包括凹部，该凹部在从所述本体的上表面到所述本体的下表面的方向上凹进地设置。根据实施例，第一开口部包括与第一框架的上表面相邻地形成的上部区域和与第一框架的下表面相邻地设置的下部区域，并且第一开口部的上部区域的外周可以小于第一开口部的下部区域的外周。根据实施例，第一开口部包括第一点，在该第一点处，第一开口部具有在第一方向上的最小外周，并且基于与该第一方向垂直的方向，该第一点可以离第一开口部的上部区域比离第一开口部的下部区域更近。根据实施例，第一树脂可以布置在所述本体的所述凹部中。根据实施例，第一框架和第二框架可以包括在从其下表面朝向其上表面的方向上凹进地设置的下凹部。根据实施例的发光器件封装还可以包括布置在该下凹部中的树脂层。根据实施例，所述发光器件还可以包括第一导体和第二导体，该第一导体和第二导体具有比第一结合部和第二结合部的宽度小的宽度。根据实施例，第一导体和第二导体可以分别布置在第一开口部和第二开口部中。根据实施例的发光器件封装包括：封装本体，该封装本体包括腔体；和发光器件，该发光器件布置在所述腔体中。当从封装本体的顶部观察时，该封装本体被设置成正方形形状，其包括具有第一长度且平行于发光器件的长轴方向布置的第一外侧面、以及具有第一长度且平行于发光器件的短轴方向布置的第二外侧面。当从封装本体的顶部观察时，所述发光器件被设置成在发光器件的长轴方向上具有至少1000微米的长度的矩形形状。当从封装本体的顶部观察时，所述腔体的底表面可以围绕发光器件设置成矩形形状。有益效果根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高光提取效率、电特性和可靠性。根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高工艺效率并提出了新的封装结构，从而降低了制造成本并提高制造产量。根据实施例，半导体器件封装设置有具有高反射率的本体，从而能够防止反射器变色，由此提高半导体器件封装的可靠性。根据实施例，该半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够在将半导体器件封装重新结合到基板等的过程期间防止在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象。附图说明图1是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的俯视图。图2是示出了图1中所示的发光器件封装的仰视图。图3是沿着图1中所示的发光器件封装的线D-D截取的剖视图。图4至图7是描述根据本专利技术的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。图8是示出了根据本专利技术的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：第一框架和第二框架，所述第一框架包括贯穿所述第一框架的上表面和下表面设置的第一开口部，所述第二框架与所述第一框架间隔开并包括第二开口部；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别布置在所述第一开口部和所述第二开口部中；布置在所述第一框架和所述第二框架之间的本体；第一树脂，所述第一树脂布置在所述本体上；以及发光器件，所述发光器件布置在所述第一树脂上，其中，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部电连接到所述第一框架，所述第二结合部在与所述第一结合部间隔开的同时电连接到所述第二框架，其中，所述第一结合部和所述第二结合部分别布置在所述第一开口部和所述第二开口部上，并且其中，由所述第一导电层和所述第一框架的合金形成的第一合金层布置在所述第一导电层和所述第一框架之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.01 KR 10-2017-01118461.一种发光器件封装，包括：第一框架和第二框架，所述第一框架包括贯穿所述第一框架的上表面和下表面设置的第一开口部，所述第二框架与所述第一框架间隔开并包括第二开口部；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别布置在所述第一开口部和所述第二开口部中；布置在所述第一框架和所述第二框架之间的本体；第一树脂，所述第一树脂布置在所述本体上；以及发光器件，所述发光器件布置在所述第一树脂上，其中，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部电连接到所述第一框架，所述第二结合部在与所述第一结合部间隔开的同时电连接到所述第二框架，其中，所述第一结合部和所述第二结合部分别布置在所述第一开口部和所述第二开口部上，并且其中，由所述第一导电层和所述第一框架的合金形成的第一合金层布置在所述第一导电层和所述第一框架之间。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，由所述第二导电层和所述第二框架的合金形成的第二合金层布置在所述第二导电层和所述第二框架之间。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一框架和所述第二框架中的每一个均包括支撑构件和包围所述支撑构件的第一金属层。4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体包括凹部，所述凹部在从所述本体的上表面到所述本体的下表面的方向上凹进地设置。5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一开口部包括与所述第一框架的上表面相邻地布置的上部区域和与所述第一框架的下表面相邻地布置的下部区域，并且所述第一开口部的所述上部区域的外周...

【专利技术属性】
技术研发人员：任仓满，金基石，金元中，宋俊午，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR