半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，电子设备逐渐小型化、轻量化以及高性能化。也谋求在电子设备中搭载的半导体装置小型化、薄型化以及高密度化。半导体芯片(存在简称为芯片的情况)有时会安装于接近其尺寸的封装。这样的封装被称为芯片尺寸封装(ChipScalePackage；CSP)。作为制造CSP的一个工艺，能够举出晶圆级封装(WaferLevelPackage；WLP)。在WLP中，在通过切割使封装单片化之前，在芯片电路形成面形成外部电极等，最后再将包含芯片的封装晶圆切割而使其单片化。作为WLP，能够举出扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下存在简记为FO-WLP的情况)中，通过封装部件覆盖半导体芯片而形成半导体芯片封装体，使其成为比芯片尺寸大的区域，不仅在半导体芯片的电路面也在封装部件的表面区域形成重布线层、外部电极。例如，在专利文献1中记载了使用用于暂时固定芯片的胶带的WLP等制造方法。在专利文献1的方法中，通过将芯片的电路面朝向基板上的胶带的粘接剂层粘贴的方式(存在称为倒装式的情况)粘贴芯片。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2012-62372号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1的方法中，在对芯片进行树脂封装后，将胶带和基板从通过树脂对芯片进行封装而成的层(存在称之为芯片封装层的情况)剥离，在露出的电路面形成电极。这样，在专利文献1的方法中，在芯片电路面形成电极时芯片封装层不被基板支承，因此存在由于伴随着封装树脂的固化的应力而发生芯片封装层的翘曲的隐患。如果产生芯片封装层的翘曲，则在芯片电路面难以形成重布线层和电极。本专利技术的目的在于提供一种能够抑制封装体的翘曲的半导体装置的制造方法。用于解决技术问题的技术方案本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板的所述粘接剂层上，将具有电路面和与所述电路面位于相反侧的元件背面的多个半导体元件以所述元件背面朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于所述支承基板的所述半导体元件进行封装，形成封装体的工序；在所述封装体上形成外部端子电极，使贴装于所述支承基板的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将所述支承基板从所述封装体剥离而使所述半导体元件的所述元件背面露出的工序；在露出的所述半导体元件的所述元件背面形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。在本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法中，优选进一步包含：在形成了所述保护膜之后，将所述封装体贴装于第一支承片的工序；使在所述第一支承片上贴装的所述封装体单片化的工序。在本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法中，优选在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后且将所述支承基板从所述封装体剥离之前，进一步包含将所述封装体贴装于第二支承片的工序，将所述封装体的所述外部端子电极向所述第二支承片贴装。在本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法中，优选在将所述封装体贴装于所述第二支承片、将所述支承基板从所述封装体剥离之后，在露出的所述半导体元件的所述元件背面形成所述保护膜形成层。在本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法中，优选进一步包含在形成了所述保护膜之后，使贴装于所述第二支承片的所述封装体单片化的工序。在本专利技术一个形态的半导体装置的制造方法中，优选进一步包含：在形成了所述保护膜后，将所述封装体从所述第二支承片剥离而贴装于第三支承片的工序；使贴装于所述第三支承片的所述封装体单片化的工序。根据本专利技术的一个形态，提供一种能够抑制封装体的翘曲的半导体装置的制造方法。附图说明图1A是对第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图1B是对第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图1C是对第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图2A是紧接着图1A、图1B以及图1C对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图2B是紧接着图1A、图1B以及图1C对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图2C是紧接着图1A、图1B以及图1C对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图2D是紧接着图1A、图1B以及图1C对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图3A是紧接着图2A、图2B、图2C以及图2D对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图3B是紧接着图2A、图2B、图2C以及图2D对第一实施方式的制造方法进行说明的剖面图。图4是在第一实施方式中使用的双面粘接片的剖面图。图5A是对第二实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图5B是对第二实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图5C是对第二实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图5D是对第二实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图6A是对第三实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图6B是对第三实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。具体实施方式〔第一实施方式〕以下，对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。本实施方式的半导体装置的制造方法包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板的所述粘接剂层上，将具有电路面和与所述电路面位于相反侧的元件背面的多个半导体元件以所述元件背面朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对在所述支承基板上贴装的所述半导体元件进行封装而形成封装体的工序；在所述封装体上形成外部端子电极，使贴装于所述支承基板的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将所述支承基板从所述封装体剥离而使所述半导体元件的所述元件背面露出的工序；在露出的所述半导体元件的所述元件背面形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序；在形成了所述保护膜之后，将所述封装体贴装于第一支承片的工序；使在所述第一支承片上贴装的所述封装体单片化的工序。图1(图1A、图1B以及图1C)、图2(图2A、图2B、图2C以及图2D)以及图3(图3A和图3B)是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子的图。(半导体芯片贴装工序)在图1A和图1B中表示的是对在具有粘接剂层的支承基板10上贴装作为半导体元件的半导体芯片CP的工序(存在称之为半导体芯片贴装工序的情况)进行说明的剖面示意图。需要说明的是，在图1A中表示的是一个半导体芯片CP，但在本实施方式中，如图1B所示，将多个半导体芯片CP贴装于粘接剂层。在贴装半导体芯片CP时，可以逐个贴装，也可以同时贴装多个半导体芯片CP。在本实施方式中，在贴装于支承基板10的双面粘接片20所具备的粘接剂层上贴装半导体芯片CP。·双面粘接片在图4中表示的是双面粘接片20的剖面示意图。双面粘接片20具有基材21、第一粘接剂层22、第二粘接剂层23。基材21具有第一基材面211、与第一基材面211位于相反侧的第二基材面212。第一粘接剂层22形成于第一基材面211。第二粘接剂层23形成于第二基材面212。在本实施方式中，在第一粘接剂层22贴装半导体芯片CP，第二粘接剂层23贴装于支承基板10。如图1所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：在具有粘接剂层的支承基板的所述粘接剂层上，将具有电路面和与所述电路面位于相反侧的元件背面的多个半导体元件以所述元件背面朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对在所述支承基板上贴装的所述半导体元件进行封装而形成封装体的工序；在所述封装体上形成外部端子电极，使贴装于所述支承基板的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将所述支承基板从所述封装体剥离而使所述半导体元件的所述元件背面露出的工序；在露出的所述半导体元件的所述元件背面形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.31 JP 2016-1691521.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：在具有粘接剂层的支承基板的所述粘接剂层上，将具有电路面和与所述电路面位于相反侧的元件背面的多个半导体元件以所述元件背面朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对在所述支承基板上贴装的所述半导体元件进行封装而形成封装体的工序；在所述封装体上形成外部端子电极，使贴装于所述支承基板的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将所述支承基板从所述封装体剥离而使所述半导体元件的所述元件背面露出的工序；在露出的所述半导体元件的所述元件背面形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步包含：在形成了所述保护膜之后，将所述封装体贴装于第一支...

【专利技术属性】
技术研发人员：筱田智则，根本拓，中西勇人，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP