主动元件基板制造技术

本发明专利技术公开了一种主动元件基板，包括可挠基板、无机绝缘层、有机绝缘图案、导电元件及周边走线。可挠基板具有主动区、主动区外的周边区以及连接于主动区与周边区之间的可弯折区。无机绝缘层设置于可挠基板上且具有位于可弯折区的沟槽。有机绝缘图案设置于无机绝缘层的沟槽。周边走线由主动区延伸至位于周边区的导电元件。周边走线设置于有机绝缘图案上，且有机绝缘图案位于周边走线与可挠基板之间。

【技术实现步骤摘要】
主动元件基板
本专利技术是有关于一种元件基板，且特别是有关于一种主动元件基板。
技术介绍
随着显示科技的发展，显示面板应用范围日益广泛。举例而言，在早期，显示面板多用做电子装置(例如：电视、电脑、手机等)的屏幕，而应用在电子装置上的显示面板多为硬质显示面板；在近期，则有人将显示面板应用在穿戴装置(例如：手表、衣服等)，而应用在穿戴装置上的显示面板多为可挠式显示面板。可挠式显示面板需具备相当的可弯曲程度。换言之，当可挠式显示面板弯曲时，可挠基板上的构件(例如：薄膜晶体管、数据线、扫描线、周边走线等)需随之弯曲并维持正常功能。然而，在现有的可挠式显示面板中，可挠式像素阵列基板包括至少一层整面性的无机绝缘层。当可挠式显示面板弯曲时，脆弱的无机绝缘层往往易断裂，并牵连邻近膜层(例如：第一导电层、第二导电层等)出现裂痕，进而导致可挠式显示面板失效。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件基板，弯折耐受特性佳。本专利技术的一种主动元件基板包括可挠基板、无机绝缘层、有机绝缘图案、导电元件及周边走线。可挠基板具有主动区以及主动区外的周边区以及连接于主动区与周边区之间的可弯折区。无机绝缘层设置于可挠基板上，且具有位于可弯折区的第一沟槽。有机绝缘图案设置于无机绝缘层的第一沟槽。导电元件设置于周边区。周边走线由主动区延伸至位于周边区的导电元件。位于可弯折区的周边走线设置于有机绝缘图案上，且有机绝缘图案位于周边走线与可挠基板之间。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板更包括薄膜晶体管，设置于主动区。薄膜晶体管包括半导体图案、栅极、源极以及漏极。半导体图案设置于可挠基板上。源极与漏极位于栅极上方，且与半导体图案电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的无机绝缘层包括第一绝缘层及第二绝缘层。第一绝缘层覆盖半导体图案。第二绝缘层覆盖栅极以及第一绝缘层，其中第一沟槽贯穿第一绝缘层与第二绝缘层。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的无机绝缘层更具有第一贯孔及第二贯孔。源极与漏极设置于无机绝缘层上且分别通过第一贯孔及第二贯孔与半导体图案电性连接。周边走线、源极与漏极属于同一膜层。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案具有背向可挠基板的上表面。第二绝缘层具有背向可挠基板的上表面。有机绝缘图案的上表面与可挠基板的距离大于或等于第二绝缘层的上表面与可挠基板的距离。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案的上表面具有多个凸起部，周边走线共形地设置于多个凸起部上。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板更包括平坦层、第一电极及像素定义层。平坦层覆盖薄膜晶体管。第一电极设置于平坦层上且与薄膜晶体管的漏极电性连接。像素定义层设置于平坦层与第一电极上，且具有与部分第一电极重叠的开口。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的平坦层覆盖周边走线，而像素定义层覆盖位于周边走线上的平坦层。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的平坦层的材料、像素定义层的材料以及有机绝缘图案的材料相同。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板更包括第三绝缘层。第三绝缘层覆盖周边走线与第二绝缘层。其中可挠基板具有厚度H1及杨氏模数E1，第一沟槽具有深度H2，有机绝缘图案具有杨氏模数E2，第三绝缘层具有厚度H3及杨氏模数E3，H1·E1+H2·E2≤H3·E3。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板更包括缓冲层。缓冲层具有覆盖可挠基板的可弯折区的薄部，其中有机绝缘图案设置于缓冲层的薄部上，缓冲层的薄部具有厚度H4及杨氏模数E4。H1·E1+H2·E2+H4·E4≤H3·E3。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案具有多个凸起部，每一凸起部朝远离可挠基板的第一方向凸起，而周边走线设置于多个凸起部上。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的周边走线具有多个弯曲段，每一弯曲段朝第二方向弯曲，而第一方向与第二方向交错。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案的多个凸起部排成多列，相邻两列的多个凸起部彼此错开。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的周边走线具有多个弯曲段，而周边走线的多个弯曲段分别设置于有机绝缘图案的多个凸起部上。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案还包括基部，基部设置于无机绝缘层的第一沟槽，多个凸起部设置于基部的表面上，每一凸起部的侧壁与基部的表面夹有角度θ，而100°≤θ≤160°。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的有机绝缘图案还包括基部，基部设置于无机绝缘层的第一沟槽，多个凸起部设置于基部的表面上，凸起部具有厚度h，厚度h与基部的厚度和为H，而0.5μm≤h≤2.5μm，且1μm≤H≤5μm。在本专利技术的一实施例中，上述的主动元件基板的可挠基板具有相对的内表面及外表面，薄膜晶体管设置于可挠基板的内表面上，而主动元件基板更包括保护膜，设置于可挠基板的外表面上，其中保护膜与主动区和周边区重叠而未与可弯折区重叠。在本专利技术的一实施例中，在由主动区指向周边区的方向上，第一沟槽具宽度L0μm(微米)，可弯折区具宽度L1μm，而L1+20μm＜L0<3·L1。基于上述，本专利技术的实施例的主动元件基板于可弯折区的第一沟槽内设置有机绝缘图案，周边走线设置于有机绝缘图案上，以跨越可弯折区而由主动区延伸至周边区。由于有机绝缘图案的材质较软、不易因弯曲而断裂(crack)，因此，当可弯折区弯曲时，周边走线不易受有机绝缘图案的牵连而断裂，主动元件基板的弯折耐受性佳。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的主动元件基板10的上视示意图。图2为图1的主动元件基板10的可弯折区110c的局部I的上视放大示意图。图3A至图3Q为本专利技术一实施例的主动元件基板的制造流程剖面示意图。图4为本专利技术的另一实施例的主动元件基板10A的剖面示意图。图5为本专利技术的另一实施例的主动元件基板10B的可弯折区110c的局部区域I的上视放大示意图。图6为本专利技术又一实施例的主动元件基板10C的可弯折区的局部区域I的上视放大示意图。图7为本专利技术再一实施例的主动元件基板10D的可弯折区的局部区域I的上视放大示意图。其中，附图标记：10、10A、10B：主动元件基板142：第二绝缘层100：硬质载板143：第一沟槽110：可挠基板144：第一贯孔110a：主动区145：第二贯孔110b：周边区146：第三贯孔110c：可弯折区147：第四贯孔111：内表面150：第一导电层112：外表面151：栅极115、116：保护膜152：连接元件120、120A：缓冲层153：导电元件120e：凹陷160：有机绝缘图案122：薄部161：基部130：半导体图案161a：表面140：无机绝缘层161b：底面140s、162b：侧壁162：凸起部140t：上表面162a：顶面141：第一绝缘层170：第二导电层141h、142h：贯孔171：源极172：漏极D1：第一方向173：周边走线D2：第二方向173a、173b：弯曲段D3：第三方向180：平坦层DL：数据线181：第五贯孔H、H1、H3、H4、h：厚度182：第一电极H2：深度185：第三绝缘层L0、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：一可挠基板，具有一主动区、该主动区外的一周边区以及连接于该主动区与该周边区之间的一可弯折区；一无机绝缘层，设置于该可挠基板上，且该无机绝缘层具有位于该可弯折区的一第一沟槽；一有机绝缘图案，设置于该无机绝缘层的该第一沟槽；一导电元件，设置于该周边区；以及一周边走线，由该主动区延伸至位于该周边区的该导电元件，其中位于该可弯折区的该周边走线设置于该有机绝缘图案上，且该有机绝缘图案位于该周边走线与该可挠基板之间。

【技术特征摘要】
2018.07.09 TW 1071236681.一种主动元件基板，其特征在于，包括：一可挠基板，具有一主动区、该主动区外的一周边区以及连接于该主动区与该周边区之间的一可弯折区；一无机绝缘层，设置于该可挠基板上，且该无机绝缘层具有位于该可弯折区的一第一沟槽；一有机绝缘图案，设置于该无机绝缘层的该第一沟槽；一导电元件，设置于该周边区；以及一周边走线，由该主动区延伸至位于该周边区的该导电元件，其中位于该可弯折区的该周边走线设置于该有机绝缘图案上，且该有机绝缘图案位于该周边走线与该可挠基板之间。2.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括一薄膜晶体管，设置于该主动区，其中该薄膜晶体管包括：一半导体图案，设置于该可挠基板上；一栅极；一源极以及一漏极，位于该栅极上方，且与该半导体图案电性连接。3.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层包括：一第一绝缘层，覆盖该半导体图案；以及一第二绝缘层，覆盖该栅极以及该第一绝缘层，其中该第一沟槽贯穿该第一绝缘层与该第二绝缘层。4.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层更具有一第一贯孔及一第二贯孔，该源极与该漏极设置于该无机绝缘层上且分别通过该第一贯孔及该第二贯孔与该半导体图案电性连接，而该周边走线、该源极与该漏极属于同一膜层。5.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，该有机绝缘图案具有背向该可挠基板的一上表面，该第二绝缘层具有背向该可挠基板的一上表面，而该有机绝缘图案的该上表面与该可挠基板的距离大于或等于该第二绝缘层的该上表面与该可挠基板的距离。6.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，该有机绝缘图案的一上表面具有多个凸起部，而该周边走线共形地设置于该些凸起部上。7.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：一平坦层，覆盖该薄膜晶体管；一第一电极，设置于该平坦层上且与该薄膜晶体管的该漏极电性连接；以及一像素定义层，设置于该平坦层与该第一电极上，且具有与部分的该第一电极重叠的一开口。8.如权利要求7所述的主动元件基板，其特征在于，该平坦层覆盖该周边走线，而该像素定义层覆盖位于该周边走线上的该平坦层。9.如权利要求7所述的主动元件基板，其特征在于，该平坦层的材料、该像素定义层的材料以及该有机绝缘图案的材料相同。10.如权利要求2所述的主动元件基板，其特征在于，该无机绝缘层包括：一第一绝缘层，覆盖该半导体图案；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王培筠，陈佳楷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71