半导体器件制造技术

根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到栅电极。

semiconductor device

Semiconductor devices according to an embodiment may include: a luminescent structure, including a first conductive semiconductor layer, an active layer located on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer located on the active layer; a transistor, arranged on the luminescent structure and comprising a semiconductor layer, a source electrode, a gate electrode and a drain electrode; and a second electrode, arranged on the second conductive semiconductor layer. The conductive semiconductor layer is electrically connected to the leakage electrode and the second conductive semiconductor layer; the first bonding pad is arranged on the luminous structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer; the second bonding pad is arranged on the transistor and electrically connected to the source electrode; and the third bonding pad is arranged on the transistor and electrically connected to the grid electrode.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
实施例涉及一种半导体器件。此外，实施例涉及包括半导体器件的显示面板、包括半导体器件的显示装置、以及包括半导体器件的通信装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是在施加电流时发光的半导体器件之一。发光二极管可以在低电压下发射高效率的光，因此具有优异的节能效果。随着发光二极管的亮度问题得到改善，发光二极管已经广泛地应用于各种装置，例如液晶显示装置的光源、电子标牌、显示器、家用电器等。这种半导体器件可以包括发光二极管、激光二极管、量子点器件等。同时，已经研究了通过将晶体管连接到发光二极管来有效地驱动发光二极管的方法。由于构成发光二极管和晶体管的材料通常不同，因此已经研究了发光二极管和晶体管的材料和制造方法。此外，已经进行了研究以改善发光二极管和晶体管的特性并提高产率。
技术实现思路
技术问题实施例可以提供能够提高光提取效率并提供有效驱动的半导体器件，以及包括该半导体器件的显示面板和显示装置。实施例可以提供能够提高光提取效率、提供有效控制、和使用光来传送数据的通信装置。技术方案根据实施例的半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电类型半导体层上并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上并电连接到第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到栅电极。根据实施例的显示面板包括：基板；半导体器件，设置在基板上，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电类型半导体层上并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上并电连接到第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到栅电极。根据实施例的显示装置包括：基板；半导体器件，设置在基板上；以及控制单元，配置为控制半导体器件的光发射，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电类型半导体层上并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上并电连接到第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到栅电极。根据实施例的通信装置包括：基板；半导体器件，设置在基板上；以及控制单元，配置为控制半导体器件的光发射，并调制和传送数据，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电类型半导体层上并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上并电连接到第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到源电极；以及第三接合焊盘，设置在晶体管上并电连接到栅电极。根据实施例的半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第一电极，电连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，设置在第二导电类型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层。根据实施例的显示面板包括：基板；半导体器件，设置在基板上，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第一电极，电连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，设置在第二导电类型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层。根据实施例的显示装置包括：基板；半导体器件，设置在基板上；以及控制单元，配置为控制半导体器件的光发射，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第一电极，电连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，设置在第二导电类型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层。根据实施例的通信装置包括：基板；半导体器件，设置在基板上；以及控制单元，配置为控制半导体器件的光发射，并调制和传送数据，其中，所述半导体器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层，设置在第一导电类型半导体层上的有源层，以及设置在有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第一电极，电连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，设置在第二导电类型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电类型半导体层。有益效果在根据实施例的半导体器件、和包括该半导体器件的显示面板和显示装置中，可以提高光提取效率，并且可以提供有效的驱动。在根据实施例的通信装置中，可以提高光提取效率，可以提供有效控制，并且可以通过使用光来传送数据。附图说明图1是示出根据本专利技术实施例的半导体器件的视图。图2a和图2b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成发光结构和第一绝缘层的示例的平面图和截面图。图3a和图3b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成第二电极的示例的平面图和截面图。图4a和图4b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法蚀刻发光结构的部分区域的示例的平面图和截面图。图5a和图5b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成半导体层的示例的平面图和截面图。图6a和图6b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成第二绝缘层的示例的平面图和截面图。图7a和图7b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成晶体管的示例的平面图和截面图。图8a和图8b分别是示出根据本专利技术实施例的半导体器件的另一示例的平面图和截面图。图9是图8a和图8b中所示的半导体器件的等效电路图。图10a和图10b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成发光结构和第一绝缘层的示例的平面图和截面图。图11a和图11b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成第二电极的示例的平面图和截面图。图12a和图12b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法蚀刻发光结构的部分区域的示例的平面图和截面图。图13a和图13b分别是示出通过根据本专利技术实施例的半导体器件制造方法形成第一半导体层和第二半导体层的示例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在所述发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，并电连接到所述漏电极和所述第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在所述发光结构上，并电连接到所述第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述源电极；以及第三接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述栅电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.30 KR 10-2016-0038240;2016.06.30 KR 10-2011.一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；晶体管，设置在所述发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，并电连接到所述漏电极和所述第二导电类型半导体层；第一接合焊盘，设置在所述发光结构上，并电连接到所述第一导电类型半导体层；第二接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述源电极；以及第三接合焊盘，设置在所述晶体管上，并电连接到所述栅电极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管设置在所述有源层上。3.根据权利要求1所述的半导体器件，包括第一绝缘层，设置在所述第二电极和所述晶体管之间。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述晶体管包括：所述栅电极，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述栅电极上；所述半导体层，设置在所述第二绝缘层上；所述源电极，电连接到所述半导体层的第一区域；以及所述漏电极，电连接到所述半导体层的第二区域，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并电连接到所述第二电极。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第三绝缘层，设置在所述源电极、所述漏电极和所述第二绝缘层上，其中，所述第一接合焊盘设置在所述第三绝缘层上，穿过所述第一绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，金青松，文智炯，朴鲜雨，宋俊午，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR