The invention provides a manufacturing method of a semiconductor module and a semiconductor module, which can improve the reliability of the semiconductor module. In the resin moulding process of semiconductor module (SA), IGBT chips (10), diode chips, control chips and chip mounting parts (TAB1-4) are moulded by resin moulding in the way that the backs of chip mounting parts (TAB1-4) are exposed from the backs of seals (BS6). After the resin moulding, the insulating layer (70) is pasted on the back (BS6) of the sealing body (MR) by covering the back (exposed) of the chip mounting parts (TAB1-4), and then the TIM layer (80) is pasted on the insulating layer (70). The area of TIM layer (80) in the top view is contained in the area of insulation layer (70).
【技术实现步骤摘要】
半导体模块的制造方法及半导体模块
本专利技术涉及例如功率半导体模块(IPM(IntelligentPowerModule,智能功率模块)、电子装置等)的制造方法及其结构。
技术介绍
在日本特开2012-195492号公报(专利文献1)中记载有关于具有MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)的功率半导体模块及其安装结构的技术。该功率半导体模块为如下结构:具备搭载有功率半导体元件的第一金属板和未搭载功率半导体元件的第二金属基板,并使上述第一金属基板的与功率半导体元件搭载面相反侧的背面露出于树脂封装件外而形成散热面。在日本特开2005-109100号公报(专利文献2)中记载有具备功率芯片的半导体装置及其制造技术。具体而言,公开了在上述专利文献2所记载的半导体装置的装配中,将安装有金属箔的树脂片配置于树脂密封用模具的内部底面而进行树脂模制的技术。专利文献1:日本特开2012-195492号公报专利文献2:日本特开2005-109100号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在功率类的半导体模块中,在搭载半导体芯片的芯片搭载部不从密封体露出的全模制型的结构中,从芯片搭载部向密封体的外部的散热性差。因此,本专利技术专利技术人研究了在具备供多个半导体芯片分别搭载的多个芯片搭载部的半导体模块中,使多个芯片搭载部的一部分露出于密封体的外部的结构。本专利技术专利技术人进行了研究而发现,在使多个芯片搭载部的一部分露出于密封体的外部的结构的半导体模块中,当将半导体模块安装于散热板上时,存 ...
【技术保护点】
1.一种半导体模块的制造方法,具有以下的工序:(a)准备第一半导体芯片,所述第一半导体芯片内置有第一功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第一半导体芯片的所述第一面具备与所述第一功率晶体管电连接的第一端子,所述第一半导体芯片的所述第二面形成有与所述第一功率晶体管电连接的第二端子;(b)准备第二半导体芯片,所述第二半导体芯片内置有第二功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第二半导体芯片的所述第一面具备与所述第二功率晶体管电连接的第三端子,所述第二半导体芯片的所述第二面形成有与所述第二功率晶体管电连接的第四端子;(c)在所述(a)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第一芯片搭载部上,以所述第一芯片搭载部的所述第一面与所述第一半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第一接合材料而搭载所述第一半导体芯片;(d)在所述(b)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第二芯片搭载部上,以所述第二芯片搭载部的所述第一面与所述第二半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第二接合材料而搭载所述第二半导体芯片;(e)在所述(c)以及(d ...
【技术特征摘要】
2017.06.30 JP 2017-1286401.一种半导体模块的制造方法,具有以下的工序:(a)准备第一半导体芯片,所述第一半导体芯片内置有第一功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第一半导体芯片的所述第一面具备与所述第一功率晶体管电连接的第一端子,所述第一半导体芯片的所述第二面形成有与所述第一功率晶体管电连接的第二端子;(b)准备第二半导体芯片,所述第二半导体芯片内置有第二功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第二半导体芯片的所述第一面具备与所述第二功率晶体管电连接的第三端子,所述第二半导体芯片的所述第二面形成有与所述第二功率晶体管电连接的第四端子;(c)在所述(a)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第一芯片搭载部上,以所述第一芯片搭载部的所述第一面与所述第一半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第一接合材料而搭载所述第一半导体芯片;(d)在所述(b)工序之后,在具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的第二芯片搭载部上,以所述第二芯片搭载部的所述第一面与所述第二半导体芯片的所述第二面相向的方式,经由导电性的第二接合材料而搭载所述第二半导体芯片;(e)在所述(c)以及(d)工序之后,经由第一导电性部件将所述第一半导体芯片的所述第一端子与所述第二芯片搭载部电连接;(f)在所述(c)以及(d)工序之后,经由第二导电性部件将所述第二半导体芯片的所述第三端子与引线电连接;(g)在所述(e)以及(f)工序之后,利用具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的密封体以使所述第一芯片搭载部的所述第二面和所述第二芯片搭载部的所述第二面分别从所述密封体的所述第二面露出的方式将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第一芯片搭载部的一部分、所述第二芯片搭载部的一部、所述第一导电性部件、所述第二导电性部件、所述引线的一部分密封;(h)在所述(g)工序之后,在所述密封体的所述第二面上以覆盖所述第一芯片搭载部的所述第二面和所述第二芯片搭载部的所述第二面的方式粘贴绝缘层;以及(i)在所述(h)工序之后,在所述绝缘层上粘贴传热材料层,其中,所述(i)工序之后,在俯视图中所述传热材料层的区域被包含于所述绝缘层的区域中。2.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,在所述(i)工序之后,在透视俯视图中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片各自位于所述传热材料层的区域的内侧。3.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,在所述(g)工序之后且所述(h)工序之前,具有对从所述密封体露出的多根所述引线的各引线的一部分进行切割、成形的工序。4.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,在俯视图中所述密封体具有分别从所述密封体的所述第一面贯穿至所述第二面的第一貫通孔以及第二貫通孔,所述绝缘层以及所述传热材料层位于所述第一貫通孔与所述第二貫通孔之间。5.根据利要求4所述的半导体模块的制造方法,其中,在所述第一貫通孔和所述第二貫通孔中分别安装螺栓部件,通过所述螺栓部件将所述密封体与散热板接合。6.根据利要求5所述的半导体模块的制造方法,其中,在俯视图中所述绝缘层和所述传热材料层跨假想线的两侧而配置,所述假想线是连结所述第一貫通孔和所述第二貫通孔各自的中心的线。7.根据利要求6所述的半导体模块的制造方法,其中,在俯视图中沿所述假想线的方向所配置的所述绝缘层的一条边与所述假想线之间的距离和所述绝缘层的另一条边与所述假想线之间距离相同。8.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,所述半导体模块还具备对所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片进行控制的控制芯片,在透视俯视图中所述控制芯片位于所述绝缘层的区域和所述传热材料层的区域。9.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,所述第一芯片搭载部和所述第二芯片搭载部各自的厚度是所述绝缘层和所述传热材料层各自的厚度以上。10.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,所述第一半导体芯片中的所述第一端子是发射极端子且所述第二端子是集电极端子,所述第二半导体芯片中的所述第三端子是发射极端子且所述第四端子是集电极端子。11.根据利要求1所述的半导体模块的制造方法,其中,在所述(i)工序之后,在俯视图中所述绝缘层具有沿第一方向延伸的第一边、所述第一边的相对侧的第二边、沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第三边和所述第三边的相对侧的第四边,并且,在俯视图中所述传热材料层具有沿所述第一方向延伸的第五边、所述第五边的相对侧的第六边、沿所述第二方向延伸的第七边和所述第七边的相对侧的第八边,另外,在俯视图中所述传热材料层的所述第五边位于所述绝缘层的所述第一边与所述绝缘层的所述第二边之间,所述传热材料层的所述第六边位于所述绝缘层的所述第二边与所述传热材料层的所述第五边之间,所述传热材料层的所述第七边位于所述绝缘层的所述第三边与所述绝缘层的所述第四边之间,所述传热材料层的所述第八边位于所述绝缘层的所述第四边与所述传热材料层的所述第七边之间。12.一种半导体模块的制造方法,具有以下的工序:(a)准备第一半导体芯片,所述第一半导体芯片内置有第一功率晶体管,并具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,所述第一半导体芯片的所述第一面具备与所述第一功率晶体管电连接的第一端子,所述第一半导体芯片的所述第二面形成有与所述第一功率晶体管电连接的第二端子;(b)准备第二半导体芯片,所述第二半导体芯片内置有第二功率晶体管,并具有第一面和所述第一面的相反侧的第二面,所述第二半导体芯片的所述第一面具备与所述第二功率晶体管电连接的第三端子,所述第二半导体芯片的所述第二面形成有与所述第二功率晶体管电连接的第四端子;(c)在所述(a)工序之后,...
【专利技术属性】
技术研发人员:武藤邦治,板东晃司,
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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