The invention is applicable to the field of semiconductor technology, and provides an electron beam exposure method, an electron beam lithography method and a metal line preparation method. The electron beam exposure method includes: first electron beam exposure processing of the substrate according to the first layout pattern; second electron beam exposure processing of the substrate according to the second layout pattern, in which the second layout pattern is the preset distance of the first layout pattern translating along the line length direction in the first layout pattern. Obtained. After two exposures, the effect of two exposures is superimposed to avoid the breakpoints caused by insufficient energy at the spot splicing point, so that the whole pattern is evenly exposed. Moreover, it is not necessary to increase the exposure dose to ensure a smaller line size.
【技术实现步骤摘要】
电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法
本专利技术属于半导体
,尤其涉及一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。
技术介绍
电子束曝光技术是集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等高新技术于一体的新型技术,是推动微电子和微细加工技术进一步发展的关键技术之一。电子束曝光技术主要适用于0.5微米以下的超微细加工,可以实现数十纳米线条的曝光。电子束曝光是由高斯圆形束对版图图形进行逐点写入,版图图形尺寸是电子束束斑直径的整数倍。在版图图形尺寸与电子束束斑直径相等时,电子束束斑拼接处通常会由于曝光能量不足出现断点,导致整个图形的曝光不均匀。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法,以解决现有技术中电子束曝光不均匀的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种电子束曝光方法,包括:根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理;根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理,其中,所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。可选的,所述预设距离为电子束的束斑直径的1/4至3/4。进一步的,所述预设距离为电子束的束斑直径的1/2。可选的,所述第一版图图形和/或所述第二版图图形中至少一条线条的线条宽度与电子束的束斑直径相等。可选的,所述第一电子束曝光处理和/或所述第二电子束曝光处理的曝光剂量为200uC/cm2至600uC/cm2,束流小于或等于2nA。本专利技术实施例的第二方面提供了一种电子束光刻方法,包括:在基片表面涂覆电子束光刻胶;通过如本 ...
【技术保护点】
1.一种电子束曝光方法,其特征在于,包括:根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理;根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理,其中,所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。
【技术特征摘要】
1.一种电子束曝光方法,其特征在于,包括:根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理;根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理,其中,所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。2.如权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于,所述预设距离为电子束的束斑直径的1/4至3/4。3.如权利要求2所述的电子束曝光方法,其特征在于,所述预设距离为电子束的束斑直径的1/2。4.如权利要求1所述的电子束曝光方法,其特征在于,所述第一版图图形和/或所述第二版图图形中至少一条线条的线条宽度与电子束的束斑直径相等。5.如权利要求1至4任一项所述的电子束曝光方法,其特征在于,所述第一电子束曝光处理和/或所述第二电子束曝光处理的曝光剂量为200uC/cm2至600uC/cm2,束流小于或等于2nA。6.一种电子束光刻方法,其特征在于,包括:在基片表面涂覆电子束光刻胶;通过如权利要求1至5任一项所述的电子束曝光方法对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩婷婷,冯志红,吕元杰,敦少博,顾国栋,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:河北,13
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