The invention relates to the technical field of solar cell silicon wafer production equipment, in particular to an improved atomizing spraying structure. By installing the first and second inner tubes in the spraying long tubes, the existing spraying pressure and atomizing ability are improved, and some dirt adhered on the surface of the silicon wafer can be cleaned and the liquid can be reduced. Medium usage.
【技术实现步骤摘要】
改良型雾化喷淋结构
本专利技术涉及太阳能电池硅片生产设备
，尤其涉及一种改良型雾化喷淋结构。
技术介绍
硅片，又叫做“芯片”、集成电路块。一只硅片里面通常含有数十到数万个硅晶体管组成的电路，完成一个或者数个功能。硅片在制作过程中需要清洗和烘干，现有的硅片雾化喷淋装置(如图1-3所示)，在对硅片进行雾化喷淋时，液体从进口6进入，下端的一排均匀小孔7喷出，内部没有均流结构，导致喷出的液体两端出液量和压力比中间的出液量和压力要小，喷淋不均匀，影响硅片清洁效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决现有技术中硅片雾化喷淋装置清洗效果不佳的技术问题，本专利技术提供一种改良型雾化喷淋结构。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改良型雾化喷淋结构，包括喷淋长管、第一内管和第二内管，喷淋长管的上侧中间设置有主进口，喷淋长管的底部沿喷淋长管长度方向设置有多个均匀的主出孔，第一内管和第二内管均设置在喷淋长管内部，第一内管和第二内管的轴线和喷淋长管的长度方向相平行，第一内管和第二内管的两端均封闭，第一内管位于第二内管的上方，第一内管的上面开设有一个进风口和多个出风小孔，进风口位于中间，出风小孔位于进风口的两边且向第一内管的两端延伸，出风小孔的密度从中间向两边逐渐变大，第二内管的底部沿第二内管长度方向设置有多个均匀的出液口，进风口连通有进气管，第二内管连通有进液管。改良后的雾化喷淋结构，外部空气介质由进风口先充进第一内管，由第一内管上面的出风小孔出风，把气体均匀的排入喷淋长管中，第一内管上面的出风小孔在靠近进风口的位置出风小孔比较疏松，远离次进风口的位...
【技术保护点】
1.一种改良型雾化喷淋结构，其特征在于：包括喷淋长管(1)、第一内管(2)和第二内管(3)，喷淋长管(1)的上侧中间设置有主进口(11)，喷淋长管(1)的底部沿喷淋长管(1)长度方向设置有多个均匀的主出孔(12)，第一内管(2)和第二内管(3)均设置在喷淋长管(1)内部，第一内管(2)和第二内管(3)的轴线和喷淋长管(1)的长度方向相平行，第一内管(2)和第二内管(3)的两端均封闭，第一内管(2)位于第二内管(3)的上方，第一内管(2)的上面开设有一个进风口(21)和多个出风小孔(22)，进风口(21)位于中间，出风小孔(22)位于进风口(21)的两边且向第一内管(2)的两端延伸，出风小孔(22)的密度从中间向两边逐渐变大，第二内管(3)的底部沿第二内管(3)长度方向设置有多个均匀的出液口(31)，进风口(21)连通有进气管(4)，第二内管(3)连通有进液管(5)。
【技术特征摘要】
1.一种改良型雾化喷淋结构，其特征在于：包括喷淋长管(1)、第一内管(2)和第二内管(3)，喷淋长管(1)的上侧中间设置有主进口(11)，喷淋长管(1)的底部沿喷淋长管(1)长度方向设置有多个均匀的主出孔(12)，第一内管(2)和第二内管(3)均设置在喷淋长管(1)内部，第一内管(2)和第二内管(3)的轴线和喷淋长管(1)的长度方向相平行，第一内管(2)和第二内管(3)的两端均封闭，第一内管(2)位于第二内管(3)的上方，第一内管(2)的上面开设有一个进风口(21)和多个出风小孔(22)，进风口(21)位于中间，出风小孔(22)位于进风口(21)的两边且向第一内管(2)的两端延伸，出风小孔(22)的密度从中间向两边逐渐变大，第二内管(3)的底部沿第二内管(3)长度方向设置有多个均匀的出液口(31)，进风口(21)连通有进气管(4)，第二内管(3)连通有进液管(5)。2.如权利要求1所述的改良型...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳俊，张凯胜，姚伟忠，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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