开口钝化球栅阵列焊盘制造技术

导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括导电凸块焊盘上的导电凸块。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开口钝化球栅阵列焊盘相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2016年2月1日提交的题为“OPEN-PASSIVATIONBALLGRIDARRAYPADS(开口钝化球栅阵列焊盘)”的美国临时专利申请No.62/289,636的权益，该临时申请的公开通过援引被明确地整体纳入于此。
本公开一般涉及集成电路(IC)。更具体而言，本公开涉及开口钝化球栅阵列焊盘。背景用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工艺。前端制程工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、分隔件、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。中部制程工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于：中部制程触点、通孔或者非常靠近半导体器件晶体管或其他有源器件的其他层。后端制程工艺可包括用于互连在前端制程和中部制程工艺期间创建的半导体器件的一系列晶片处理步骤。现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体地，用于后端制程工艺中的半导体制造的导电材料镀敷的形成是工艺流程中日益挑战的部分。这在保持小特征大小方面尤其正确。保持小特征大小的同样挑战也适用于玻璃基无源(POG)技术，其中高性能组件(诸如，电感器和电容器)被构建在也可具有非常低损耗的高度绝缘基板上。玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件，诸如，通常用于移动射频(RF)芯片设计(例如，移动RF收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。由于成本和功耗的考量，迁移到深亚微米工艺节点使得移动RF收发机的设计复杂性变得复杂。间隔考虑也影响移动RF收发机设计深亚微米工艺节点。例如，移动RF收发机的制造可包括在管芯区域边界处占据浪费空间并涉及增加成本的虚区域。概述导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括导电凸块焊盘上的导电凸块。一种用于制造导电凸块组装件的方法可包括在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处制造导电凸块焊盘。该方法还可包括将包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口与第二钝化层开口相归并。第二钝化层开口可包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘。该方法可进一步包括将导电材料沉积在导电凸块焊盘上。导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括用于组装在导电凸块焊盘上的装置。这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。附图简述为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。图2A解说了在晶片上制造玻璃基无源器件之后该晶片的玻璃管芯。图2B提供了图2A的玻璃管芯的一角的放大视图。图3A示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电焊盘的导电凸块组装件的布局图和截面图。图3B示出了图2A和2B中示出的玻璃管芯的导电凸块组装件的截面图和布局图。图4A示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的截面图。图4B进一步解说了图3B中示出的导电凸块组装件的截面图。图5是解说了根据本公开的各方面的构造包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的方法的工艺流程图。图6是根据本公开的一方面的采用共用器的射频(RF)前端(RFFE)模块的示意图。图7是根据本公开的各方面的将共用器用于芯片集以提供载波聚集的WiFi模块和射频(RF)前端(RFFE)模块的示意图。图8是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。图9是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。详细描述以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文所述的，术语“和/或”的使用旨在代表“可兼性或”，而术语“或”的使用旨在代表“排他性或”。现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体地，用于后端制程(BEOL)工艺中的半导体制造的导电材料镀敷的形成是工艺流程中日益挑战的部分。这在保持小特征大小方面尤其正确。保持小特征大小的同样挑战也适用于玻璃基无源(POG)技术，其中高性能组件(诸如，电感器和电容器)被构建在也可具有非常低损耗的高度绝缘基板上。玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件，诸如通常用于移动射频(RF)芯片设计(例如，移动RF收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。由于成本和功耗的考量，通过迁移到深亚微米工艺节点而使得移动RF收发机的设计复杂性复杂化。间隔考虑也影响移动RF收发机设计深亚微米工艺节点。例如，移动RF收发机的制造可包括在管芯区域边界处占据浪费空间并涉及增加成本的虚区域。本公开的各方面提供了用于开口钝化球栅阵列焊盘的技术。用于开口钝化球栅阵列焊盘的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)工艺、中部制程(MOL)工艺和后端制程(BEOL)工艺。将理解，术语“层”包括膜且不应被解读为指示纵向或横向厚度，除非另外声明。如本文中所描述的，术语“基板”可指代已切割晶片的基板或可指代尚未切割的晶片的基板。类似地，术语芯片和管芯可被可互换地使用，除非这种互换将难以置信。如本文所描述的，后端制程互连层可以指用于电耦合到集成电路的前端制程有源器件的导电互连层(例如，金属一(M1)、金属二(M2)、金属三(M3)、金属四(M4)等)。该后端制程互连层可以电耦合到中部制程互连层以用于例如将M1连接到集成电路的氧化物扩散(OD)层。后端制程第一通孔(V2)可以将M2连接到M3或其他后端制程互连层。本公开的各方面提供了用于减少管芯区域边界处的虚区域以提供成本降低的技术。一般而言，一旦晶片上的集成电路的制造完成，该晶片就沿切割线(例如，切割道)被分割。切割线指示晶片将在何处被分隔或分离成各个片。切割线可限定已在晶片上制造的各种集成电路的轮廓。一旦限定了切割线，晶片就可被锯成或以其他方式分成各片以形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电凸块组装件，包括：无源基板；由所述无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘；第二钝化层开口，所述第二钝化层开口在所述无源基板上且与包围靠近所述无源基板的边缘的所述导电凸块焊盘的所述第一钝化层开口归并；以及所述导电凸块焊盘上的导电凸块。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.01 US 62/289,636;2016.03.22 US 15/077,8691.一种导电凸块组装件，包括：无源基板；由所述无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘；第二钝化层开口，所述第二钝化层开口在所述无源基板上且与包围靠近所述无源基板的边缘的所述导电凸块焊盘的所述第一钝化层开口归并；以及所述导电凸块焊盘上的导电凸块。2.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块焊盘包括非焊料掩膜定义(NSMD)的焊盘。3.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块焊盘与所述无源基板的边缘之间的距离为约42.5微米。4.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述无源基板的边缘包括切割道的一部分。5.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块组装件包括球栅阵列(BGA)组装件。6.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块包括焊球。7.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块组装件被集成到滤波器中且所述无源基板包括玻璃基板。8.如权利要求7所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述滤波器包括共用器、三工器、低通滤波器和/或陷波滤波器。9.如权利要求7所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述滤波器被组装在射频(RF)前端模块的印刷电路板(PCB)上。10.如权利要求1所述的导电凸块组装件，其特征在于，所述导电凸块组装件被集成到射频(RF)前端模块中，所述RF前端模块被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、移动电话以及便携式计算机。11.一种用于制造导电凸块组装件的方法，包括：在支撑所述导电凸块组装件的无源基板的边缘处制造导电凸块焊盘；将包围所述导电凸块焊盘的第一钝化层开口与包围靠近所述无源基板的所述边缘的所述导电凸块焊盘的第二钝化层开口相归并；以及在所述导电凸块焊盘上沉积导电材料。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，制造所述导电凸块焊盘包括：在所述无源基板的所述边缘处移除所述导电凸块焊盘与切割道的一部分之间的第一钝化层块；以及在所述无源基板的所述边缘处将所述导电凸块焊盘布置在第二钝化层上靠近所述切割道的所述一部分。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，进一步包括：使用非焊料掩膜定义(NSMD)的工艺来在所述第二钝化层上定义焊盘图案；以及在所述焊盘图案中沉积后端制程(B...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·金，M·F·维纶茨，C·H·尹，C·左，D·F·伯蒂，J·金，N·S·慕达卡特，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US