一种两通路TVS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电路同时保护。本发明专利技术通过两颗芯片并联后与第三颗芯片叠加的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和多路保护的特性，并且器件具有封装体积小，成本低的优点。

A two channel TVS device and its preparation method

The invention provides a two-channel TVS device, which comprises three TVS chips, wherein two TVS chips are connected in parallel and the third TVS chip is connected in series to form the two-channel TVS device. Traditional TVS devices are single-channel devices, which are implemented by single chip or two chips or multiple chips in series and superimposed. It is impossible to protect two circuits simultaneously with large surge capacity. The device has the advantages of small package size and low cost by superposing the two chips in parallel with the third chip, so that the device has the characteristics of large surge capacity and multi-channel protection at the same time.

【技术实现步骤摘要】
一种两通路TVS器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种两颗TVS并联后与第三颗TVS串联的大浪涌TVS(TransientVoltageSuppressors)器件及其制备方法。
技术介绍
随着电子信息技术的发展，半导体器件日趋小型化，高密度和多功能化，尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求。瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件，正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小，体积小，响应快，漏电流小，可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。随着科技的发展我们希望TVS具有更大抗浪涌能力，并能对两路甚至多路电路同时防护。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种使用两颗TVS并联后与第三颗TVS串联封装两通路TVS器件及其制备方法，来保证器件能同时对两路电路防护。本专利技术采用的技术方案为：一种两通路TVS器件，包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。具体地，所述两通路TVS器件的结构由上到下依次为两颗并排设置的版面较小的TVS和一颗版面较大的TVS，两颗版面较小TVS的结构从上到下依次为上框架、焊料、芯片、焊料、铜片或者中间框架，一颗版面较大的TVS的结构从上到下依次为铜片或中间框架、焊料、芯片、焊料、下框架，所述铜片或者中间框架为三颗TVS芯片共用。上述两通路TVS器件的制备方法包括以下步骤：步骤A：把铜片或中间框架、TVS芯片和下框架用焊料进行粘结，然后低温预回流使焊料凝固；步骤B：把两颗TVS芯片分别与两个上框架用焊料进行粘接，然后低温预回流使焊料凝固；步骤C：在经步骤A处理的铜片或中间框架上点两排锡膏，把经步骤B处理的芯片与锡膏对齐叠合；步骤D：隧道炉焊接；步骤E：塑封，测试。本专利技术的有益效果是：本专利技术是一种双向双路钳位防浪涌器件。可以同时对两路电路实现浪涌防护，本专利技术可以有集成度要求的电路上使用，并且具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。附图说明图1是本专利技术两通路TVS器件制造方法步骤A的状态示意图；图1A为正视图，图1B为侧视图。图2是本专利技术两通路TVS器件制造方法步骤B的状态示意图；图2A为正视图，图2B为侧视图。图3是本专利技术两通路TVS器件制造方法步骤C的状态示意图；图3A为正视图，图3B为侧视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例和附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。如图1-3所示，本专利技术的两通路TVS器件，包括三颗TVS芯片100、200、300，其中两颗TVS芯片100、200版面是4.5×2.5mm，其并联后与第三颗版面是4.5×2.5mm的TVS芯片300串联组成所述两通路TVS器件；具体结构为，两颗TVS芯片100、200上部通过焊料101、201与上框架102、202焊接在一起，下部通过焊料103、203与铜片或者框架400连接，铜片或者框架400下部通过焊料301与芯片300焊接在一起，芯片300下部通过焊料302与下框架303焊接在一起，铜片或者框架400为三颗芯片共用。上述两通路TVS器件的制备方法包括以下步骤：步骤A：把铜片或中间框架400、TVS芯片300和下框架303用焊料进行粘结，然后低温预回流使焊料凝固；使用的TVS芯片耐压为29V，预回流温度260℃；步骤B：把两颗TVS芯片100、200分别与两个上框架102、202用焊料进行粘接，然后低温预回流使焊料凝固；使用的TVS芯片耐压为29V，预回流温度260℃；步骤C：在经步骤A处理的铜片或中间框架400上点两排锡膏，把经步骤B处理的芯片100、200与锡膏对齐叠合；步骤D：隧道炉焊接；隧道炉温度400℃max；步骤E：塑封，测试；使用的封装为SMC-3封装，器件抗浪涌能力达到6KV以上，双向抗浪涌。以上已将本专利技术做详细说明，但以上所述，仅为本专利技术的较好的实施例，不应当限定本专利技术实施的范围。即，凡是根据本专利技术申请范围所作的等效变化与修饰等，都应仍然属于本专利技术的专利涵盖范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种两通路TVS器件，其特征在于，包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。

【技术特征摘要】
1.一种两通路TVS器件，其特征在于，包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。2.根据权利要求1所述的两通路TVS器件，其特征在于，所述两通路TVS器件的结构由上到下依次为两颗并排设置的版面较小的TVS和一颗版面较大的TVS，两颗版面较小TVS的结构从上到下依次为上框架、焊料、芯片、焊料、铜片或者中间框架，一颗版面较大的TVS的结构从上到下依次为铜片或中间框架、焊料、芯片、焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，苏海伟，魏峰，单少杰，杨琨，姜洪源，金志任，蒋立柱，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31