被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法制造方法及图纸

本公开内容提供一种被配置为用于在基板(10)上进行溅射沉积的系统(100)。该系统(100)包括具有处理区(112)的溅射沉积腔室(110)、布置于该处理区(112)的第一侧处的一或多个溅射沉积源(120)及布置在该处理区(112)的第二侧处的屏蔽装置(130)，其中该屏蔽装置(130)包括安装至该溅射沉积腔室(110)的框架组件(132)及可分离地安装于该框架组件(132)上的一或多个传导片(134)，其中所述一或多个传导片(134)提供沿该处理区(112)布置的表面(136)。

A system configured for sputtering deposition on a substrate, a shielding device for a sputtering chamber, and a method for providing electrical shielding in a sputtering chamber.

The present disclosure provides a system (100) configured for sputtering deposition on a substrate (10). The system (100) includes a sputtering deposition chamber (110) having a processing zone (112), one or more sputtering deposition sources (120) arranged at the first side of the processing area (112) and a shielding device (130) arranged at second sides of the processing area (112), wherein the shielding device (130) includes a frame component (132) installed to the sputtering chamber (110). One or more transmission pieces (134) are detachable to be installed on the frame component (132), wherein one or more of the conduction pieces (134) provide a surface (136) arranged along the processing area (112).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法
本公开内容的实施方式涉及被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的实施方式具体地涉及AC溅射或具有AC部件的溅射(且具体而言为RF溅射)中使用的电屏蔽件。
技术介绍
用于在基板上进行层沉积的技术例如包括溅射沉积、热蒸发及化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用以在诸如绝缘材料层的基板上沉积材料层，例如薄膜。在溅射沉积工艺期间，以在等离子体区中所产生的离子撞击具有待沉积在基板上的靶材料的靶，以从靶的表面逐出(dislodge)靶材料原子。被逐出的原子可在基板上形成材料层。在反应性的溅射沉积工艺中，被逐出的原子可与等离子体区带中的气体(例如氮或氧)反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。在溅射沉积工艺期间，例如在制造显示器、触控屏面板或薄膜电池时，不均匀的薄膜沉积或打弧(arcing)可能由于真空处理腔室(例如溅射沉积腔室)内的电位差而发生。打弧可能例如损坏基板载体和/或基板。进一步地，打弧可能影响基板上沉积的材料层的均质性和/或纯度。此外，从AC电源到真空处理腔室内的结构(例如接地结构)且回到AC电源的电路径的存在可能导致寄生等离子体(parasiticplasma)的形成。寄生等离子体可能减少溅射沉积工艺的效率(例如，基板表面上的溅射功率及沉积速率)。进一步地，可能减少材料层的品质，例如均质性和/或纯度。进一步地，溅射沉积系统的效率可能取决于其相关于跨基板区域和/或跨薄膜厚度的同质薄膜属性而产生均质薄膜沉积的能力。空间(例如，针对定义溅射沉积系统中的沉积区的元件的空间布置)内及时间内的几何形状及电的均质性是有益的，例如，沿基板的输送方向(例如在直列式沉积系统内从沉积隔室到沉积隔室)是有益的。综上所述，克服了本领域中至少一部分的问题的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的新系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法是有益的。本公开内容具体地旨在提供可减少或甚至防止溅射沉积腔室中的打弧和/或寄生等离子体发生的系统、屏蔽装置及方法。
技术实现思路
鉴于以上所述，提供被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的进一步方面、益处及特征由权利要求、本说明及随附的绘图得以显现。依据本公开内容的一方面，提供一种被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统。该系统包括具有处理区的溅射沉积腔室、布置于该处理区的第一侧处的一或多个溅射沉积源及布置在该处理区的第二侧处的屏蔽装置，其中该屏蔽装置包括安装至该溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于该框架组件上的一或多个传导片，且其中所述一或多个传导片提供沿该处理区布置的表面。依据本公开内容的一方面，提供一种用于溅射沉积腔室的屏蔽装置。该屏蔽装置包括：框架组件，被配置为安装至该溅射沉积腔室且在该溅射沉积腔室中沿处理区而安装；及一或多个传导片，可分离地安装于该框架组件上，其中所述一或多个传导片被配置为面向该处理区。依据本公开内容的进一步方面，提供一种用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽方法。该方法包括以下步骤：使用可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片在该溅射沉积腔室中沿处理区提供等位(equipotential)面。实施方式亦针对用于实现所公开的方法的装置，且包括用于执行各所述方法方面的装置部件。这些方法方面可以硬件元件、由适当软件所编程的电脑、由该两者的任何组合或以任何其他方式来执行。并且，依据本公开内容的实施方式亦针对用于操作所述装置的方法。用于操作所述装置的这些方法包括用于实现该装置的每个功能的方法方面。附图说明以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被具体理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可以通过参照实施方式获得。附图涉及本公开内容的实施方式且说明如下：图1A示出依据本文中所述的实施方式的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统的示意性俯视图；图1B示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置的示意性俯视图；图2示出依据本文中所述的进一步实施方式的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统的示意性俯视图；图3示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置的透视前视图；图4示出图3的屏蔽装置的透视后视图；图5示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的框架组件的示意图；图6示出图5的框架组件的截面示意图；图7示出依据本文中所述的实施方式的附接至屏蔽装置的接地装置的示意图；图8A及8B示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的安装结构的示意图；图9示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的安装装置的示意图；及图10示出依据本文中所述的实施方式的用于在溅射沉积腔室提供电屏蔽的方法的流程图。具体实施方式现将详细参照本公开内容的各种实施方式，其中的一或多个实例被绘示于附图中。在以下附图说明内，相同的附图标号指示相同的元件。一般而言，仅针对个别实施方式的差异做出描述。以解释本公开内容的方式来提供各实例，且各实例不意味著作为本公开内容的限制。进一步地，作为一个实施方式的部分而阐明或描述的特征可用在其他实施方式上或与其他实施方式结合使用以产生又一另外的实施方式。意在本说明中包括此类修改及变化。被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统例如可用在制造显示器或其部件(例如薄膜晶体管)时。在溅射沉积工艺期间，打弧和/或寄生等离子体可能发生。打弧及寄生等离子体可能影响溅射沉积工艺的工艺稳定性、工艺效率及工艺品质中的至少一项。具体而言，打弧可能由于溅射沉积腔室内的电位差而发生。打弧可能损坏例如是基板和/或具有定位于载体上的基板的载体。进一步地，打弧可能影响基板上沉积的材料层的均质性及纯度中的至少一者。并且，从AC电源到溅射沉积腔室内的结构(例如接地结构)的电路径可能存在使得可能导致寄生等离子体的形成。寄生等离子体可能减少溅射沉积工艺的效率，例如基板表面上的沉积速率。进一步地，可能减少材料层的品质(例如，均质性和/或纯度)。并且，由不均一的AC馈入及AC回传路径所致的电位差造成不均一的等离子体状态。这可能造成不均匀的薄膜沉积状态及造成相对于薄膜的预期属性(例如机械、光学、电和/或化学属性)而言的均匀性降低的薄膜。本公开内容提供沿溅射沉积腔室的处理区的至少一部分安装的屏蔽装置(例如电屏蔽件)，该溅射沉积腔室的处理区的至少一部分由于其AC环境中的受限定的等电位面，对于充当阴极的溅射靶充当受限定及有效的阳极。通过可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片提供屏蔽装置的电屏蔽。所述一或多个传导片提供扁平的等位面或区域。可减少或甚至避免在溅射沉积工艺期间的打弧和/或寄生等离子体的发生。具体而言，可防止由打弧所致的对于基板的损害。可减少或甚至避免由打弧和/或寄生等离子体产生的微粒而导致的材料层污染。可改善基板上沉积的材料层的均质性及纯度。进一步地，所述一或多个传导片被可分离地安装在框架组件上。屏蔽装置允许促进系统(例如，直列式处理系统)的维护及减少系统的停机时间。可增加系统的效率及处理量。在某些实现方式中，所述一或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统，包括：溅射沉积腔室，具有处理区；一或多个溅射沉积源，所述一或多个溅射沉积源布置于所述处理区的第一侧处；及屏蔽装置，所述屏蔽装置布置于所述处理区的第二侧处，其中所述屏蔽装置包括被安装至所述溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于所述框架组件上的一或多个传导片，其中所述一或多个传导片提供沿所述处理区布置的表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统，包括：溅射沉积腔室，具有处理区；一或多个溅射沉积源，所述一或多个溅射沉积源布置于所述处理区的第一侧处；及屏蔽装置，所述屏蔽装置布置于所述处理区的第二侧处，其中所述屏蔽装置包括被安装至所述溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于所述框架组件上的一或多个传导片，其中所述一或多个传导片提供沿所述处理区布置的表面。2.如权利要求1所述的系统，其中所述一或多个传导片被配置为提供等位面。3.如权利要求1或2所述的系统，进一步包括一或多个接地装置，所述一或多个接地装置被配置为将所述框架组件及所述一或多个传导片中的至少一者接地。4.如权利要求3所述的系统，其中所述接地装置包括连接装置及连接线路，且其中所述连接装置被配置为将所述连接线路连接至所述屏蔽装置。5.如权利要求1至4任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片具有粗化表面，和/或其中所述一或多个传导片被至少部分地涂层。6.如权利要求1至5任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片具有小于3mm的厚度。7.如权利要求1至6任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片的材料选自由以下所组成的群组：铝、铜、钢、钛及其任何组合。8.用于溅射沉积腔室的屏蔽装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·沃纳·兹巴于尔，乌韦·亨克尔，约翰尼斯·蒂尔，卡马尔·埃尔萨尔，斯特凡·凯勒，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US