晶圆的双面研磨方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。

Double side grinding method for wafer

The invention provides a double-sided grinding method for a wafer. In the double face grinding machine, a carrier is arranged between the upper and lower plates attached with a grinding cloth, the support hole of the carrier is formed to support the wafer, and the wafer is sandwiched between the upper and lower plates for grinding, in which the carrier is then fitted to the double-sided grinding machine and used in advance and used in advance. The double side lapping machine, which is different on both sides of the grinding machine, performs a two stage double-sided grinding consisting of one grinding and two grinding. One grinding uses a slurry containing abrasive particles, two grinding uses an inorganic alkali solution without abrasive particles, and a carrier of the two order double-sided grinding. Two side lapping machine for wafer grinding is used for double side grinding of wafer. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of scars on the wafer after the carrier is placed between the upper and lower plates.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆的双面研磨方法
本专利技术涉及一种晶圆的双面研磨方法，于一双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘之间配设一载体，将一晶圆支承于形成在该载体的支承孔，并夹在该上下定盘之间而进行双面研磨。
技术介绍
同时研磨晶圆的双面时，通过双面研磨机用的载体支承晶圆。此载体形成为厚度较晶圆薄，具有用以将晶圆支承于双面研磨机的上定盘与下定盘之间的指定位置的一支承孔。晶圆被插入而受支承于此支承孔，以设置于上定盘及下定盘的对向面的研磨布等的研磨具夹住晶圆的上下表面，一边供给研磨剂于研磨面而一边进行研磨(专利文献1)。〔现有技术文献〕〔专利文献〕专利文献1：日本特开2007-21680号公报
技术实现思路
申请人发现，进行如此的双面研磨方法时，有于被双面研磨的晶圆产生伤痕的状况。于此，对于此伤痕进行精心调查时，发现特别容易发生于将载体配置于上下定盘间紧接之后的数批中的研磨晶圆。本专利技术鉴于前述问题，目的在于提供一种晶圆的双面研磨方法，能够抑制于上下定盘间配置载体紧接之后的研磨晶圆伤痕的产生。为了达成前述目的，本专利技术提供一种晶圆的双面研磨方法，于一双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘之间配设一载体，形成于该载体的支承孔支承一晶圆，并将该晶圆夹在该上下定盘之间而进行双面研磨，其中该载体在被配设于该双面研磨机以前，预先使用与用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机相异的双面研磨机而予以，进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，该一次研磨使用含有磨粒的泥浆，该二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行了该两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。依照如此的双面研磨方法，即使配设于双面研磨机以前的载体表面形成有自然氧化膜、或是附着有泥浆残渣、研磨残渣等，亦能够通过上述的两阶段双面研磨将其在配设以前除去。因此，通过使用进行了此种两阶段双面研磨的载体以进行晶圆的双面研磨，能够防止由于此些发尘物(颗粒)而于双面研磨中的晶圆产生伤痕。特别是对防止载体配设紧接之后的研磨晶圆的伤痕的产生有效果。又，由于载体的两阶段双面研磨与晶圆的双面研磨于不同的双面研磨机分别进行，因此载体于两阶段研磨所产生的微粒残留于双面研磨机内，亦不会在研磨晶圆时伤害晶圆。此时，可于为了双面研磨该晶圆而初次配设该载体以前，进行对配设于该双面研磨机以前的该载体所进行的两阶段双面研磨。依此，即使于制造商出货的新品载体表面已经形成有自然氧化膜等，亦能够抑制起因于此的研磨晶圆的伤痕的产生。又，可将经使用于该晶圆的双面研磨后的载体自该双面研磨机取出而暂时保管，在为了双面研磨下一个晶圆而再度配设以前，进行对配设于该双面研磨机以前的该载体所进行的两阶段双面研磨。虽然为了双面研磨机的保养等会将载体暂时取出而保管，但此用于双面研磨的载体的表面特别具有活性，容易于保管时形成自然氧化膜。又有可能吸附有泥浆残渣、研磨残渣等，经污染的状况。但是，依照如上方法，能够抑制起因于此些的研磨晶圆的伤痕的产生。又，该载体可为金属制。金属制的载体的表面特别具有活性而不安定，容易形成自然氧化膜等。因此，能够于双面研磨以前预先除去此些的本专利技术特别有效。又，于该载体的一次研磨中所使用的泥浆中的磨粒可为直径70nm以上之物。使用如此的磨粒，则能够有效率地，且更加确实地除去于载体表面所形成的自然氧化膜等。又，其中于该载体的两阶段双面研磨中所使用的研磨布可为邵氏A硬度80以上的聚氨酯发泡垫。使用如此之物作为研磨布，则能够有效率地，且更加确实地除去于载体表面所形成的自然氧化膜等。又，该载体的一次研磨的研磨量为单面30nm以上。如此设定一次研磨中的研磨量，则能够为足以除去形成于载体表面的自然氧化膜等的研磨量，而能够更加确实地将其除去。又，该载体的二次研磨中所使用的无机碱溶液的温度可为30℃以上。若是如此，则于二次研磨中，能够有效率地除去一次研磨所产生的残渣，而能够更确实地使其不残留于载体表面。如上所述，依据本专利技术，能够将形成于载体表面的自然氧化膜等于配设以前预先除去，而能够使用该载体进行晶圆的双面研磨，因此能够抑制起因于此些自然氧化膜等，于载体配设紧接之后的研磨晶圆的伤痕的产生。附图说明图1是显示本专利技术的晶圆的双面研磨方法之一例的流程图。图2是显示本专利技术的晶圆的双面研磨方法之另一例的流程图。图3是显示双面研磨机之一例的纵剖面图。图4是显示双面研磨机之一例的平面图。图5是显示已知的晶圆的双面研磨方法之一例的流程图。图6是显示比较例中刮痕之一例的观察图。图7是显示实施例及比较例中，各批的刮痕数的变化的量表图。具体实施方式以下虽参照图式以说明本专利技术的实施例，但本专利技术并不限定于此。首先，图3是显示能够使用于本专利技术的双面研磨方法的双面研磨机的剖面图之一例。又图4是显示双面研磨机之一例的平面图。此处虽以行星式之物说明，但本专利技术并未限定于此，亦可使用摆动式之物。另外，本专利技术中虽然于晶圆研磨用及载体研磨用需要不同的双面研磨机，但其基本构造可为相同，亦可为不同构造。只要为能够适当将晶圆及载体双面研磨之物即可。此处说明使用基本构造相同之物的状况。但是，载体本身为共通。即经载体研磨用的双面研磨机双面研磨的载体，将会使用于以晶圆研磨用的双面研磨机将晶圆双面研磨时。双面研磨机1(使之为晶圆研磨用的双面研磨机A，及载体研磨用的双面研磨机B)，具有上下相对向设置的下定盘2及上定盘3，各定盘2、3的对向面侧，分别贴附有研磨布4。又上定盘3的上部设置有用以供给泥浆等的喷嘴5、于上定盘设置有贯通孔6。并且上定盘3及下定盘2之间的中心部设置有太阳齿轮7，于周缘部设置有内齿轮8。支承于形成于载体9的支承孔10的晶圆W(晶圆W通过图中未显示的插入构件支承于支承孔10)，被夹入于上定盘3与下定盘2之间。另外，图3、4的研磨对象为晶圆W。研磨对象为载体9时，将成为自图3、4除去晶圆W的状态。太阳齿轮7及内齿轮8的各齿部啮合于载体9的外周齿，随着上定盘3及下定盘2通过图中未显示的驱动源而被旋转，载体9将一面进行自转一面围绕太阳齿轮7公转。此时载体9通过上下的研磨布4而双面同时被研磨。又，晶圆W为研磨对象时，晶圆W被支承于载体9的支承孔10，通过上下的研磨布4而双面同时被研磨。另外，各自于研磨时，载体研磨用的泥浆或晶圆研磨用的泥浆自喷嘴5经过贯通孔6而被供给。亦备有温度调节器，而能够将各泥浆以期望的温度供给。另外，载体9的材质虽没有特别限定，但为金属制时本专利技术特别有效。金属制的载体的表面具活性而不安定，容易形成成为研磨晶圆的伤痕的起因的自然氧化膜。本专利技术能够在为了研磨晶圆而将载体配设于上下定盘间之前，将容易形成于其表面的自然氧化膜等预先除去。又，研磨布A虽无特别限定，但于载体研磨用的双面研磨机B中，能够使用例如邵氏A硬度在80以上的聚氨酯发泡垫。因为若使用如此硬度之物，于本专利技术的双面研磨方法中，能够有效率，且更确实地将形成于载体9的表面的自然氧化膜等除去。接着，说明使用如图3、4的双面研磨机的本专利技术的晶圆的双面研磨方法。本专利技术的晶圆的双面研磨方法，能够应用于例如为了将晶圆双面研磨而初次配设于双面研磨机的状况。可以设想为因载体交换，而使用制造商所出货的新品载体的状况(实施例1)。又，能够应用于将已使用于晶圆的双面研磨的载体自双面研磨机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘之间配设载体，形成于该载体的支承孔支承晶圆，并将该晶圆夹在该上下定盘之间而进行双面研磨，其中该载体在被配设于该双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，该一次研磨使用含有磨粒的泥浆，该二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行了该两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.11 JP 2015-2419641.一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘之间配设载体，形成于该载体的支承孔支承晶圆，并将该晶圆夹在该上下定盘之间而进行双面研磨，其中该载体在被配设于该双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，该一次研磨使用含有磨粒的泥浆，该二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行了该两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨该晶圆的该双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。2.如权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其中于为了双面研磨该晶圆而初次配设该载体之前，进行对配设于该双面研磨机之前的该载体所进行的两阶段双面研磨。3.如权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑宜，北爪大地，小林修一，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP