薄膜器件制造技术

本实用新型专利技术的目的在于提供防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损且可靠性高的薄膜器件。在电阻薄膜(12)中的俯视时与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分，由第一金属薄膜(15a～15c)将电阻薄膜(12)压向基板(1)，所以能够缓和由于在高温状态下树脂层(3)膨胀而施加给薄膜电阻元件(R1、R2)的弯曲应力等，由于在电阻薄膜(12)中的俯视时不与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分形成有第一加强用薄膜(12a)，所以能够防止由于树脂层(3)膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件(R1、R2)破损，能够得到可靠性高的带薄膜电阻元件(R1、R2)的薄膜器件(100)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜器件
本技术涉及具备薄膜电阻元件的薄膜器件。
技术介绍
以往，提供了具备薄膜电阻元件的各种薄膜器件(例如参照专利文献1)。例如，图6所示的以往的薄膜器件500具备：形成在半导体基板501上的集成电路502、配置在集成电路502上的多个电极焊盘503、以及形成在设置在各电极焊盘503间的钝化膜504上的树脂层505。树脂层505由聚酰亚胺树脂、环氧树脂等形成，在树脂层505的与电极焊盘503重叠的位置设置有贯通孔。另外，在树脂层505上形成有在贯通孔内经由阻挡金属层506而与电极焊盘503连接的再布线507。而且，在树脂层505上的被再布线507夹着的位置设置有薄膜电阻元件508。在图6所示的薄膜器件500中，薄膜电阻元件508具备阻挡金属层506和层叠在阻挡金属层506上的种子层509。阻挡金属层506由Ti、TiN、Ni等形成，为了使电极焊盘503与再布线507的紧贴性提高而设置。另外，种子层509作为通过电镀法形成再布线507时的电极发挥作用，由Cu、Al等形成。而且，通过适当地调整阻挡金属层506以及种子层509各自的膜厚，来调整薄膜电阻元件508的电阻值。专利文献1：日本特开2009-267248号公报(段落0012、0016、0017、图1等)然而，图6所示的薄膜器件500在向其它的基板等进行安装等时的热循环中被加热的情况下，由于树脂层505膨胀等而施加给薄膜电阻元件508弯曲应力，而有薄膜电阻元件508破损的担心。
技术实现思路
该技术是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于提供能够得到防止由于树脂层膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件破损、且可靠性高的薄膜器件的技术。为了实现上述的目的，本技术的薄膜器件的特征在于，具备：基板；以及多个树脂层，被层叠在上述基板的一个主面侧，上述多个树脂层包括：第一树脂层，在上述第一树脂层的一个主面设置有薄膜电阻元件；以及第二树脂层，被配置在上述第一树脂层的与上述基板相反侧，并且在上述第二树脂层的一个主面设置有第一金属薄膜，上述薄膜电阻元件具有电阻薄膜和形成在上述电阻薄膜上的第一加强用薄膜，上述第一加强用薄膜被配置在俯视时不与上述第一金属薄膜重叠的部分。在这样构成的技术中，在向其它的基板等进行安装等时的热循环中薄膜器件被加热的情况下，形成有薄膜电阻元件的第一树脂层朝向与热膨胀率较小的基板相反侧膨胀。此时，由于在被配置在第一树脂层的与基板相反侧的第二树脂层形成有第一金属薄膜，所以在薄膜电阻元件具有的电阻薄膜中的俯视时与第一金属薄膜重叠的部分，成为电阻薄膜被第一金属薄膜压向基板的状态。因此，能够缓和由于在高温状态下树脂层膨胀而施加给电阻薄膜的弯曲应力。另一方面，即使在电阻薄膜中的俯视时不与第一金属薄膜重叠的部分，也形成有第一加强用薄膜，所以能够防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损。另外，也可以：上述薄膜电阻元件还具有形成在上述电阻薄膜上的连接电极，上述第一加强用薄膜与上述连接电极通过同一工艺同时形成。若像这样构成，则通过同一工艺使用同一材料同时在电阻薄膜上形成用于降低与同薄膜电阻元件连接的引出电极的接触电阻的连接电极和第一加强用薄膜，从而能够将用于形成第一加强用薄膜的工序简单化。因此，能够不使制造工序增大而使用以往的制造工序，来提供防止了薄膜电阻元件的裂缝、断线的可靠性高的薄膜器件。另外，能够实现薄膜器件的制造成本的降低。另外，也可以上述电阻薄膜含有Si。即使像这样构成，也能够提供防止了由于含有Si而变脆的薄膜电阻元件的破损的、可靠性高的薄膜器件。另外，也可以上述电阻薄膜的电阻率比上述第一加强用薄膜的电阻率大。这样一来，在电阻薄膜中的形成了第一加强用薄膜的部分，利用电阻值取决于第一加强用薄膜的电阻率，在电阻薄膜上以任意的形状以及大小形成第一加强用薄膜，由此能够容易地进行薄膜电阻元件的电阻值设计。另外，也可以：上述多个树脂层还包括第三树脂层，上述第三树脂层被配置在上述第一树脂层的上述基板侧，并且在上述第三树脂层的一个主面设置有第二金属薄膜，上述薄膜电阻元件还具有形成在上述电阻薄膜上的第二加强用薄膜，上述第二加强用薄膜被配置在俯视时不与上述第二金属薄膜重叠的部分。若像这样构成，则在电阻薄膜中的成为夹在第二树脂层的第一金属薄膜与第三树脂层的第二金属薄膜之间的状态的部分，能够进一步缓和由于在高温状态下树脂层膨胀而施加给薄膜电阻元件的弯曲应力。另外，即使在电阻薄膜中的俯视时不与第二金属薄膜重叠的部分，也形成有第二加强用薄膜，所以能够更可靠地防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损。另外，也可以：上述薄膜器件具备：第一外部电极、第二外部电极、第三外部电极及第四外部电极；可变电容型的薄膜电容器元件，被串联连接在上述第一外部电极、第二外部电极间；第一薄膜电阻元件，上述第一薄膜电阻元件的一端与上述第三外部电极连接；以及第二薄膜电阻元件，上述第二薄膜电阻元件的一端与上述第四外部电极连接，上述第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件各自的另一端与上述薄膜电容器元件两端分别连接，以使得上述薄膜电容器元件被插入在上述第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件的另一端间。若像这样构成，则能够提供具备将第一外部电极、第二外部电极作为输入输出端子的可变电容型的薄膜电容器元件的薄膜器件。即，调整第三外部电极、第四外部电极间的电压来任意地调整经由第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件而施加给薄膜电容器元件的两端的电压，由此能够调整薄膜电容器元件的电容。另外，也可以：还具备在产生了规定电压以上的静电放电的情况下形成不经由上述第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件以及上述薄膜电容器元件的电流路径的ESD保护元件。若像这样构成，则若产生起因于规定电压以上的静电放电(ESD：Electro-StaticDischarge)的过电压，则通过ESD保护元件形成不经由第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件以及薄膜电容器元件的电流路径，所以能够保护第一薄膜电阻元件、第二薄膜电阻元件以及薄膜电容器元件免受过电压的损害。根据本技术，在电阻薄膜中的俯视时与第一金属薄膜重叠的部分，由第一金属薄膜将电阻薄膜压向基板，所以能够缓和由于在高温状态下树脂层膨胀而施加给薄膜电阻元件的弯曲应力等，在电阻薄膜中的俯视时不与第一金属薄膜重叠的部分形成有第一加强用薄膜，所以能够防止由于树脂层膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件破损，能够得到可靠性高的带薄膜电阻元件的薄膜器件。附图说明图1是本技术的第一实施方式所涉及的薄膜器件的剖视图。图2是表示图1的薄膜器件的主要部分的俯视图，是用于说明薄膜电阻元件具有的加强用薄膜的配置位置的俯视图。图3是表示图1的薄膜器件具备的电路的图。图4是本技术的第二实施方式所涉及的薄膜器件的剖视图。图5是本技术的第三实施方式所涉及的薄膜器件的剖视图。图6是表示以往的薄膜器件的主要部分放大图，上侧的附图是主要部分的概略剖视图，下侧的附图是表示主要部分的概略顶视透视图的图。具体实施方式＜第一实施方式＞参照图1～图3对本技术的第一实施方式进行说明。此外，在图1以及图2中，为了使说明变得简单，仅图示本技术所涉及的主要结构。另外，在后面的说明中所参照的图4以及图5也与图1以及图2相同地仅图示主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜器件，其特征在于，具备：基板；以及多个树脂层，被层叠在所述基板的一个主面侧，所述多个树脂层包括：第一树脂层，在所述第一树脂层的一个主面设置有薄膜电阻元件；以及第二树脂层，被配置在所述第一树脂层的与所述基板相反侧，并且在所述第二树脂层的一个主面设置有第一金属薄膜，所述薄膜电阻元件具有电阻薄膜和形成在所述电阻薄膜上的第一加强用薄膜，所述第一加强用薄膜被配置在俯视时不与所述第一金属薄膜重叠的部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.13 JP 2015-0983071.一种薄膜器件，其特征在于，具备：基板；以及多个树脂层，被层叠在所述基板的一个主面侧，所述多个树脂层包括：第一树脂层，在所述第一树脂层的一个主面设置有薄膜电阻元件；以及第二树脂层，被配置在所述第一树脂层的与所述基板相反侧，并且在所述第二树脂层的一个主面设置有第一金属薄膜，所述薄膜电阻元件具有电阻薄膜和形成在所述电阻薄膜上的第一加强用薄膜，所述第一加强用薄膜被配置在俯视时不与所述第一金属薄膜重叠的部分。2.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，所述薄膜电阻元件还具有形成在所述电阻薄膜上的连接电极，所述第一加强用薄膜和所述连接电极通过同一工艺同时形成。3.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，所述电阻薄膜含有Si。4.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，所述电阻薄膜的电阻率比所述第一加强用薄膜的电阻率大。5.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，所述多个树脂层还包括第三树脂层，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦峰智行，进藤智，竹岛裕，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP