The invention discloses a heating coil used for preparing large diameter single crystals in zone melting. The center of the coil is a circular ring needle eye on the upper and lower surface of the through coil. The outer circumference of the needle eye is separated from the upper and lower surface of the four through coils. One of the diversion joints extends to the coil and is connected to the flange connecting the electrode; the rest of the other three guide joints are in the same width as the width of the needle eye. The gap, the part away from the eye of the needle, is V type. The coils of the invention can provide a stable and uniform growth heat field, improve the melting state of the material, prevent the problems of spines, pockets, and waistband and so on, make the material smooth down, reduce the temperature gradient and thermal stress in the melt, increase the crystal rate, save the raw material of the wire ring and raise the coil life. Life.
【技术实现步骤摘要】
一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈
本专利技术涉及一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,属于集成电路
技术介绍
硅材料作为一种重要的半导体材料具有广泛的应用,关于硅单晶的生长制备工艺也在不断地改进。对于用区熔法所生长的区熔硅单晶,随着所生长单晶直径的不断增大,单晶周围的电磁场分布和其自身的温度分布梯度变大,单晶的成晶难度加大。区熔单晶的热场对于单晶的生长具有关键的作用。如果在单晶生长时热场不合适,容易出现多晶硅料出刺、熔区回熔、熔区出腰带等情况,造成单晶生长失败。所以一个稳定均匀的热场分布对于区熔单晶的生长具有重要的作用。热场的核心部件是加热线圈,线圈的台阶、开缝形状和尺寸、背面斜面的角度、中心“针眼”的直径大小等都会影响单晶的生长,特别是对于大直径单晶的影响更为严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,以使热场分布均匀、熔硅下行顺畅、熔区状态稳定,提高大直径区熔硅单晶的成晶率。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,该线圈中心为贯通线圈上下表面的圆环状针眼,在该针眼的外周等间隔开设有四个贯通线圈上下表面的导流缝,其中一个导流缝延伸至线圈外,与连接电极的法兰连接;其余三个导流缝的结构是:与针眼相接的部分为宽度一致的缝隙,远离针眼的部分为V型结构。在本专利技术中,所述线圈的上表面具有向线圈内部凹陷的环状台阶,该台阶的底端与针眼的上边缘连接成向下倾斜的斜面。在本专利技术中,所述线圈的下表面具有从线圈边缘向针眼的下边缘延伸的向上倾斜的斜面。优选地,所述向上倾斜的斜面与线圈 ...
【技术保护点】
1.一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,其特征在于,该线圈中心为贯通线圈上下表面的圆环状针眼,在该针眼的外周等间隔开设有四个贯通线圈上下表面的导流缝,其中一个导流缝延伸至线圈外,与连接电极的法兰连接;其余三个导流缝的结构是:与针眼相接的部分为宽度一致的缝隙,远离针眼的部分为V型结构。
【技术特征摘要】
1.一种用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,其特征在于,该线圈中心为贯通线圈上下表面的圆环状针眼,在该针眼的外周等间隔开设有四个贯通线圈上下表面的导流缝,其中一个导流缝延伸至线圈外,与连接电极的法兰连接;其余三个导流缝的结构是:与针眼相接的部分为宽度一致的缝隙,远离针眼的部分为V型结构。2.根据权利要求1所述的用于制备区熔大直径单晶的加热线圈,其特征在于,所述线圈的上表面具有向线圈内部凹陷的环状台...
【专利技术属性】
技术研发人员:李宗峰,付斌,李青保,王永涛,陈海滨,李明飞,
申请(专利权)人:有研半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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