【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶硅生产设备领域,尤其是涉及一种用于拉制区熔8 — 12寸硅单晶的热场结构。
技术介绍
区熔法生长单晶硅是目前生产单晶硅最先进的应用技术,因此被应用于中高端电力电子器件,随着电力电子器件的发展,大直径化成为必然趋势,然而随着区熔硅单晶直径的增加,可能出现以下几个问题:首先原料直径增加,所需发生器的功率相应增加,从而导致电离击穿的概率增加,而且上料化料不均或上料出刺概率增加;其次热应力增加,导致位错产生概率增加;再次区熔生长炉内气体及熔体内对流速度增加,易产生温度波动,导致界面处自由能波动而产生位错。现有技术普遍通过加磁场、同时在线圈与保温筒之间加反射环来控制大直径区熔硅单晶的热应力问题,从而降低位错产生的概率,但是,大直径区熔硅单晶的化料难问题仍未得到解决,同时也未明显降低区熔硅单晶的热应力。
技术实现思路
有鉴于此,本技术旨在提出一种可同时改善大直径区熔硅单晶化料难问题和降低单晶应力、减少位错产生的用于拉制区熔8 — 12寸硅单晶的热场结构。为达到上述目的,本技术的技术方案是这样实现的:—种用于拉制区熔8 — 12寸硅单晶的热场结构,包括尖角线圈、中热屏和下热屏;所述尖角线圈位于炉体内多晶棒料与单晶棒料之间的熔区处,所述尖角线圈为一圆形线圈,所述圆形线圈的中心处设置有通孔,所述通孔称为线圈眼,所述圆形线圈外缘与所述线圈眼之间设置有若干条以圆形线圈中心为起点呈圆周分布的线圈缝,所述线圈缝包括一条主缝和若干条副缝,所述主缝一端与所述线圈眼相连通,所述主缝另一端延伸至所述圆形线圈的外缘处,所述副缝的长度短于所述主缝的长度,所述副缝一端与所 ...
【技术保护点】
一种用于拉制区熔8‑12寸硅单晶的热场结构,其特征在于:包括尖角线圈(1)、中热屏(2)和下热屏(3);所述尖角线圈(1)位于炉体内多晶棒料(6)与单晶棒料(5)之间的熔区处,所述尖角线圈(1)为一圆形线圈,所述圆形线圈的中心处设置有通孔,所述通孔称为线圈眼(11),所述圆形线圈外缘与所述线圈眼(11)之间设置有若干条以圆形线圈中心为起点呈圆周分布的线圈缝,所述线圈缝包括一条主缝(13)和若干条副缝(14),所述主缝(13)一端与所述线圈眼(11)相连通,所述主缝(13)另一端延伸至所述圆形线圈的外缘处,所述副缝(14)的长度短于所述主缝(13)的长度,所述副缝(14)一端与所述线圈眼(11)相连通,所述副缝(14)另一端未延伸至尖角线圈(1)的外缘处,所述相邻两线圈缝之间的线圈形成纵截面为一矩形和一三角形相连的尖角台阶(12),所述矩形的侧边与所述三角形的底边相连,且所述矩形与所述三角形相连边的长度相等;所述炉体内设置有环形钢板(4),所述环形钢板(4)位于所述单晶棒料(5)外侧,所述钢板(4)上端固定有中热屏(2),所述中热屏(2)为一圆柱形筒体,所述钢板(4)下端固定有下热屏(3 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:娄中士,刘琨,石海涛,杨旭洲,郝大维,刘铮,张雪囡,由佰玲,王彦君,
申请(专利权)人:天津市环欧半导体材料技术有限公司,
类型:新型
国别省市:天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。