The first semiconductor substrate layer supports the first transistor, which includes a first source leakage formed by the doping region of the substrate layer. The second semiconductor substrate layer supports second transistors, which include a second source leak formed by the doping region of the substrate layer. The second semiconductor substrate layer is superposed on the first semiconductor substrate layer and separated from the first semiconductor substrate layer through an insulating layer. The metal wiring is extended from the electrical contact with the doped area for the first source leakage, through the insulating layer, and through the electrical isolation structure in the second semiconductor substrate layer, to contact with the doped area for the second source leakage. The electrical isolation structure is formed by a trench isolated or one of the doped regions of the second source. The thickness of the isolation structure is equal to the thickness of the second semiconductor substrate layer.
【技术实现步骤摘要】
堆叠半导体衬底之间的接触沟槽
本专利技术涉及由两个或更多个堆叠半导体衬底形成的集成电路器件,并且具体地涉及用于对两个或更多个堆叠半导体衬底内的掺杂区域进行电互连的沟槽接触。
技术介绍
利用两个或更多个堆叠半导体衬底形成集成电路器件在本领域中是已知的。在这样的器件中,提供金属布线以将支撑于这些衬底中的一个衬底之上以及之内的电路与支撑于这些衬底中的另一个衬底之上以及之内的电路进行电互连。这些金属布线占据了器件布局中的空间,并且这可能存在以阵列形式布置的电路的问题。图像像素电路的阵列是这样的集成电路器件的示例。必须在布局中提供空间以容纳在用于该阵列的每个电路元件的堆叠衬底之间所通过的金属布线。这对将像素间距的距离进行最小化所付出的努力具有不利影响。
技术实现思路
应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步解释。在实施例中,一种集成电路器件包括:第一半导体衬底层;第一晶体管,该第一晶体管形成在该第一半导体衬底层之中及之上,该第一晶体管包括由该第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏;第二半导体衬底层;第二晶体管,该第二晶体管形成在该第二半导体衬底层之中及之上,该第二晶体管包括由该第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏;其中,该第二半导体衬底层置于该第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与该第一半导体衬底层分隔开;以及第一金属布线,该第一金属布线从与用于该第一源漏的该掺杂区域的电接触延伸,通过该中间绝缘层,并且穿过用于该第二源漏的该掺杂区域并与之电接触。在实施例中,一种集成电路器件包括:第一半导体衬底 ...
【技术保护点】
一种集成电路器件,包括:第一半导体衬底层;第一晶体管,所述第一晶体管形成于所述第一半导体衬底层之中及之上,所述第一晶体管包括由所述第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏;第二半导体衬底层;第二晶体管,所述第二晶体管形成在所述第二半导体衬底层之中及之上,所述第二晶体管包括由所述第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏;其中,所述第二半导体衬底层置于所述第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与所述第一半导体衬底层分隔开;以及第一金属布线,所述第一金属布线从与用于所述第一源漏的所述掺杂区域的电接触延伸,通过所述中间绝缘层,并且穿过用于所述第二源漏的所述掺杂区域并与之电接触。
【技术特征摘要】
2016.09.26 US 15/275,6191.一种集成电路器件,包括:第一半导体衬底层;第一晶体管,所述第一晶体管形成于所述第一半导体衬底层之中及之上,所述第一晶体管包括由所述第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏;第二半导体衬底层;第二晶体管,所述第二晶体管形成在所述第二半导体衬底层之中及之上,所述第二晶体管包括由所述第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏;其中,所述第二半导体衬底层置于所述第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与所述第一半导体衬底层分隔开;以及第一金属布线,所述第一金属布线从与用于所述第一源漏的所述掺杂区域的电接触延伸,通过所述中间绝缘层,并且穿过用于所述第二源漏的所述掺杂区域并与之电接触。2.如权利要求1所述的集成电路器件,其中,所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域的厚度等于所述第二半导体衬底层的厚度。3.如权利要求2所述的集成电路器件,其中,所述第二半导体衬底层掺杂有p型掺杂剂,并且所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域掺杂有n型掺杂剂。4.如权利要求1所述的集成电路器件,进一步包括:第一衬底触点,所述第一衬底触点由所述第一半导体衬底层中另外的掺杂区域形成;第二衬底触点,所述第二衬底触点由所述第二半导体衬底层中另外的掺杂区域形成;以及第二金属布线,所述第二金属布线从与用于所述第一源漏的所述另外的掺杂区域的电接触延伸,通过所述中间绝缘层,并且穿过用于所述第二衬底触点的所述另外的掺杂区域并与之电接触。5.如权利要求1所述的集成电路器件,进一步包括:第三晶体管,所述第三晶体管形成于所述第二半导体衬底层之中及之上,所述第三晶体管包括栅极电极;并且其中,所述第一金属布线进一步延伸以与所述第三晶体管的所述栅极电极进行电接触。6.如权利要求1所述的集成电路器件,其中,所述第一金属布线所穿过的所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域用于通过与所述第二半导体衬底层形成横向反向偏置p-n结而将所述第一金属布线与所述第二半导体衬底层电隔离。7.如权利要求1所述的集成电路器件,进一步包括在所述第二半导体衬底层之上的绝缘层,其中,所述第一金属布线完全穿过用于所述第二源漏的所述掺杂区域并且穿进所述第二半导体衬底层之上的所述绝缘层。8.一种集成电路器件,包括:第一半导体衬底层;第一晶体管,所述第一晶体管形成于所述第一半导体衬底层之中及之上,所述第一晶体管包括由所述第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏;第二半导体衬底层;第二晶体管,所述第二晶体管形成在所述第二半导体衬底层之中及之上,所述第二晶体管包括由所述第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏;其中,所述第二半导体衬底层置于所述第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与所述第一半导体衬底层分隔开;沟槽隔离,所述沟槽隔离形成在第二半导体衬底层中,并且所述沟槽隔离的厚度等于所述第二半导体衬底层的厚度;以及第一金属布线,所述第一金属布线从与用...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·罗伊,
申请(专利权)人:意法半导体克洛尔二公司,
类型:发明
国别省市:法国,FR
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