存储设备的编程方法和使用其的存储系统技术方案

一种存储设备的编程方法包括：确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及在执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作。

Programming method of storage device and storage system using it

Including a programming method of storage device: to determine whether the working data is stored in a storage unit of word line and will be performing a program operation choice of the adjacent word line; when the effective data is not stored in the selected word line and word line adjacent the storage unit, will be written into the selected word line the data word line adjacent to the selected word line perform pre programmed operation based on; and after the execution of pre programmed operation, based on the programming commands on the selected word line programming operation is performed.

【技术实现步骤摘要】
存储设备的编程方法和使用其的存储系统对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2016年2月26日提交的韩国专利申请号10-2016-0023629的权益，该专利申请的公开通过引用被整体合并于此。
本专利技术构思的至少一个示例实施例涉及一种存储设备和控制存储设备的方法，并且更具体地涉及一种存储设备的编程方法和使用其的存储系统。
技术介绍
存储设备用于存储数据并且被分类为易失性存储设备和非易失性存储设备。在易失性存储设备中，当电力断开时，存储的数据被擦除。然而，即使当电力断开时，非易失性存储设备也维持存储的数据。作为非易失性存储设备的示例，闪速存储设备可以被应用于便携式电话、数字照相机、个人数字助理(PDA)、计算设备，等等。不管存储数据的位置如何，对于非易失性存储设备都需要某级别或更大的可靠性。
技术实现思路
本专利技术构思的至少一个示例实施例提供一种存储设备的编程方法，该方法增加存储设备中的边缘字线的可靠性。本专利技术构思的至少一个示例实施例也提供一种增加存储设备中的边缘字线的可靠性的存储系统。根据本专利技术构思的至少一些示例实施例，一种存储设备的编程方法包括：确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及在执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作。根据本专利技术构思的至少一些示例实施例，一种存储系统包括：包括连接到多个字线和多个位线的存储单元阵列的非易失性存储设备；和存储器控制器，被配置为基于从主机接收到的编程命令来控制非易失性存储设备的操作，非易失性设备和存储器控制器被配置为使得当有效数据未被存储在与将被执行编程操作的非易失性存储设备的选择字线相邻的字线的存储单元中时，非易失性设备和存储器控制器中的至少一个基于将被写入选择字线的数据对与选择字线相邻的字线执行预编程操作，并且然后，根据编程命令来执行编程操作。根据本专利技术构思的至少一些示例实施例，一种方法包括：执行编程操作，包括将写入数据编程到在存储设备的存储单元阵列中所包括的多个字线当中的第一字线的存储单元中；以及在执行编程操作之前执行初步操作，初步操作包括基于写入数据来确定初步数据和将初步数据编程到相邻的字线的存储单元中，该相邻的字线是多个字线当中的与第一字线相邻的字线。附图说明通过参考附图详细地描述本专利技术构思的示例实施例，本专利技术构思的示例实施例的以上和其他特征和优点将变得更明显。附图意图描绘本专利技术构思的示例实施例并且不应当被解释为限制权利要求的预想范围。附图将不被认为按比例绘制，除非明确地说明。图1是根据实施例的存储系统的示意性框图；图2是根据另一个实施例的存储系统的示意性框图；图3是在图1的存储系统中所包括的存储设备的详细框图；图4是在图2的存储系统中所包括的存储设备的详细框图；图5图示出图3或图4中所图示的存储单元阵列的示例；图6是图示出在图5中图示出的存储单元阵列中所包括的存储块的示例的电路图；图7是图示出在图5中图示出的存储单元阵列中所包括的存储块的另一个示例的电路图；图8是图示出在图6或图7中图示出的存储块中所包括的存储单元的示例的剖面图；图9图示出图1中图示出的存储器控制器的块配置的示例；图10图示出图2中图示出的存储器控制器的块配置的示例；图11图示出在图1或图2的存储系统中的预编程模式被禁用的条件下、在图6或图7的擦除的存储块中所包括的一个单元串中的擦除操作和初始编程操作之后的初始编程状态；图12图示出在图1或图2的存储系统中的预编程模式被禁用的条件下、已经被执行编程操作的存储块中的每个字线的存储单元的保留特性；图13A至图13C图示出在图1或图2的存储系统中的预编程模式被启用的条件下、在关于图6或图7的存储块中所包括的一个单元串的擦除操作之后的编程处理；图14图示出在图1或图2的存储系统中的预编程模式被启用的条件下、已经被执行编程操作的存储块中的每个字线的存储单元的保留特性；图15A至15C图示出在根据一个或多个实施例的存储系统中的擦除的存储块中根据第一编程命令将被写入到选择字线的数据是单个页的数据的情况下的预编程操作处理的示例；图16A至16C图示出在根据一个或多个实施例的存储系统中的擦除的存储块中根据第一编程命令将被写入到选择字线的数据是多个页的数据的情况下的预编程操作处理的示例；图17A至17C图示出在根据一个或多个实施例的存储系统中的擦除的存储块中根据第一编程命令将被写入到选择字线的数据是多个页的数据的情况下的预编程操作处理的另一个示例；图18图示出根据本专利技术构思的至少一个示例实施例的存储设备的编程方法的流程图的示例。图19图示出根据本专利技术构思的至少一个示例实施例的、存储设备的编程方法的流程图的另一个示例。图20图示出根据本专利技术构思的至少一个示例实施例的、存储设备的编程方法的流程图的另一个示例。图21图示出根据本专利技术构思的至少一个示例实施例的、存储设备的编程方法的流程图的另一个示例。图22是图示出对于存储卡系统的根据实施例的存储系统的应用的示例的框图；图23是包括根据实施例的存储系统的计算系统的框图；以及图24是图示出对于SSD系统的根据实施例的存储系统的应用的示例的框图。具体实施方式本专利技术构思的至少一个示例实施例。作为本专利技术构思的领域的传统，在块、单元和/或模块方面，描述了各种示例实施例，并且在附图中图示出各种示例实施例。那些本领域技术人员将理解，通过可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的诸如逻辑电路、分立的组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、有线连接等等的电子(或光学)电路来物理地实施这些块、单元和/或模块。在块、单元和/或模块通过微处理器或类似物被实施的情况下，它们可以使用软件(例如，微指令)被编程以执行在本文讨论的各种功能，并且可以可选地被固件和/或软件来驱动。另外地，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件来实施，或可以被实施为执行一些功能的专用硬件的组合以及执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程微处理器和相关联的整机电路)。而且，在不背离本专利技术构思的范围的情况下，示例实施例的每个块、单元和/或模块可以被物理地分离为两个或更多相互制约和分立的块、单元和/或模块。此外，在不背离本专利技术构思的范围的情况下，实施例的块、单元和/或模块可以被物理地组合为更复杂的块、单元和/或模块。图1是根据实施例的存储系统100A的示意性框图。如图1所图示的，存储系统100A可以包括存储设备10A和存储器控制器20A。存储设备10A可以包括存储单元阵列11和预编程管理器12-1A。根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，存储设备10A和存储器控制器20A可以每个均包括被具体结构化为将在本公开中描述的一些或所有操作执行和/或控制为由存储设备10A(或其元件)或存储器控制器20A(或其元件)执行的一个或多个电路或整机电路(例如，硬件)或由其来实施。根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，存储设备10A和存储器控制器20A可以每个均包括存储器和执行存储在存储器中的计算机可读代码(例如，软件和/或固件)的一个或多个处理器或由其来实施，并且计算机可读代码包括使一个或多个处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储设备的编程方法，该方法包括：确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及在执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作。

【技术特征摘要】
2016.02.26 KR 10-2016-00236291.一种存储设备的编程方法，该方法包括：确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及在执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中，当编程命令是用于对存储设备的擦除的存储块执行第一编程操作的编程命令时，有效数据被确定为未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，至少一个伪存储单元位于存储设备的存储块中所包括的单元串的主存储单元与地选择晶体管之间，并且当将被执行编程操作的选择字线是与至少一个伪存储单元相邻的主存储单元所连接到的字线时，有效数据被确定为未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中。4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行预编程操作对与单元串的主存储单元相邻的至少一个伪存储单元所连接到的字线执行预编程操作。5.根据权利要求3所述的方法，其中，对与单元串的主存储单元相邻的至少一个伪存储单元所连接到的字线执行预编程操作，并且然后对主存储单元所连接到的选择字线执行根据编程命令的编程操作。6.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：向与选择字线相邻的字线写入与将被写入选择字线的数据相同的数据。7.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：与根据将对选择字线执行的编程操作的编程循环改变的编程电压电平的增加范围相比，将根据编程循环改变的编程电压电平的增加范围设置为更大。8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用一次编程脉冲来执行预编程操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中，预编程操作不包括验证操作。10.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：当将被编程到选择字线中的数据是至少两页的数据时，通过把至少两页的数据组合来确定数据，并且向与选择字线相邻的字线写入所确定的数据。11.根据权利要求10所述的方法，其中，预编程操作包括：通过把将被写入到选择字线的至少两页的数据组合来确定单页数据；以及向与选择字线相邻的字线写入单页数据。12.一种存储系统，包括：包括连接到多个字线...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴一汉，李承宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR