存储装置及其操作方法制造方法及图纸

提供了一种存储装置及其操作方法。一种存储装置可以包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块可以包括沿垂直方向被布置在基板上的多个页面。外围电路可以对所选择的页面执行编程操作。控制逻辑可以控制外围电路以执行对一些所述页面依次进行编程直至第一页面的第一局部编程操作。控制逻辑可以执行对其它未编程页面进行擦除的第一局部擦除操作。控制逻辑可以执行对已执行第一局部擦除操作的页面进行局部编程的第二局部编程操作。

Storage device and its operation method

A storage device and its operation method are provided. A storage device can include memory blocks, peripheral circuits, and control logic. The memory block can include multiple pages arranged on the substrate in the vertical direction. Peripheral circuits can perform programming operations on the selected pages. The control logic can control the peripheral circuit to perform the programming to some of the pages in sequence until the first page of the first local programming operation. The control logic can perform the first local erase operation to erase other non programming pages. The control logic can perform second local programming operations on the local page of the first local erase operation.

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
本公开的一方面总体上涉及一种存储装置及其操作方法，且更具体地，涉及一种三维存储装置的编程方法。
技术介绍
存储装置可以具有能够存储数据的存储器单元。存储器单元可以被分组成多个存储器块。存储装置可以具有用于执行诸如对所选择的存储器块进行编程操作的各种操作的外围电路，并且也可以具有用于控制外围电路的控制逻辑。存储装置可以根据如何布置存储器块中所包括的存储器单元而被分类成两种类别：二维存储装置和三维存储装置。例如，在二维存储装置中，可以相对于基板水平地布置存储器单元，而在三维存储装置中，可以相对于基板垂直地布置存储器单元。在三维存储装置中，存储器单元可以沿着垂直方向被层叠在基板上，以提高集成密度。非易失性存储装置即使在不存在电源的情况下也可以保持其数据。因此，非易失性存储装置被广泛地用作用于便携式电子装置的数据存储装置。
技术实现思路
实施方式提供了一种能够提高存储装置的编程操作的可靠性的存储装置及其操作方法。根据本公开的一方面，提供了一种存储装置，该存储装置包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块可以包括沿垂直方向被布置在基板上的多个页面(page)。外围电路可以对页面当中的所选择的页面执行编程操作。控制逻辑可以控制外围电路以执行对一些所述页面依次进行编程直至第一页面的第一局部编程操作。该控制逻辑可以执行对其它未编程页面进行擦除的第一局部擦除操作。该控制逻辑可以执行对已执行第一局部擦除操作的页面进行局部编程的第二局部编程操作。根据本公开的一方面，提供了一种操作存储装置的方法。该方法可以包括以下步骤：对选择的页面执行第A局部编程操作直至设置页面。该方法可以包括以下步骤：如果完成所述第A局部编程操作直至所述设置页面。该方法可以包括以下步骤：对其它未编程页面执行第B局部擦除操作。该方法可以包括：对已执行所述第B局部擦除操作的所述页面执行第(A+1)局部编程操作。根据本公开的一方面，提供了一种操作存储装置的方法。该方法可以包括以下步骤：对被垂直地布置在基板上的第一串和第二串的存储器单元进行编程。所述第一串和所述第二串可以通过它们的下部彼此联接。位于所述第一串的最上端处的第一存储器单元可以被编程，且然后位于所述第二串的最上端处的第二存储器单元可以被编程。该方法可以包括以下步骤：对位于所述第一存储器单元的下部位置处的第三存储器单元进行编程，且然后对位于所述第二存储器单元的下部位置处的第四存储器单元进行编程。该方法可以包括以下步骤：对所述第一串的第N存储器单元进行编程，对所述第二串的第(N+1)存储器单元进行编程，且然后对位于所述第N存储器单元和所述第(N+1)存储器单元的下部位置处的存储器单元进行擦除。该方法可以包括以下步骤：对所擦除的存储器单元进行编程。根据本公开的一方面，提供了一种操作存储装置的方法。该方法可以包括以下步骤：对被垂直地布置在基板上的第一串和第二串的存储器单元进行编程。所述第一串和所述第二串可以通过它们的下部彼此联接。可以按照从位于所述第一串的最上端处的第一存储器单元到位于下部位置处的存储器单元的顺序执行第一局部编程操作。该方法可以包括以下步骤：如果执行了所述第一局部编程操作直至所述第一串的设置存储器单元，则对在被包括在所述第一串中的所述存储器单元当中的其它未编程存储器单元执行局部擦除操作。该方法可以包括以下步骤：对已执行所述局部擦除操作的所述存储器单元执行第二局部编程操作；以及对被包括在所述第二串中的所述存储器单元执行第三局部编程操作。附图说明图1是例示根据本公开的实施方式的存储系统的示例的示图。图2是例示图1中的存储装置的示例的示图。图3是例示按照三维结构实现的存储器块的示例的立体图。图4是例示根据本公开的实施方式的编程操作的示例的流程图。图5是具体例示根据本公开的实施方式的编程操作的示图。图6是例示根据本公开的实施方式的编程操作的流程图。图7是具体例示根据本公开的实施方式的编程操作的示图。图8是例示具有三维结构的存储器块的示例的立体图。图9是例示根据本公开的实施方式的编程操作的示例的示图。图10是例示根据本公开的实施方式的编程操作的示例的示图。图11是例示根据本公开的实施方式的包括存储装置的存储系统的示例的示图。图12是例示根据本公开的实施方式的包括存储装置的计算系统的示例的示图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施方式；然而，所述示例性实施方式可以按照不同的形式来具体实现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使得本公开将是彻底且完整的，并且将示例性实施方式的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，为了例示清楚起见，可以放大尺寸。将理解的是，当一个元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述一个元件可以是这两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。遍及全文，相同的参考标号指代相同的元件。在下面的详细描述中，简单地通过例示的方式，仅本公开的特定示例性实施方式已被例示并描述。本领域技术人员将意识到的是，在不脱离本公开的精神或范围的所有情况下，可以按照各种不同的方式来修改所描述的实施方式。因此，附图和说明书本质上应被视为例示性的而不是限制性的。在整个说明书中，当一个元件被称为“连接”或者“联接”至另一元件时，所述一个元件可以直接连接或联接至所述另一元件，或者可以利用它们之间插入的一个或更多个中间元件而被间接连接或联接至所述另一元件。另外，当元件被称为“包括”组件时，除非存在不同的公开，否则其指示该元件还可以包括另一组件，而不是排除另一组件。图1是例示根据本公开的实施方式的存储系统的示例的示图。参照图1，存储系统1000可以包括存储装置1100和用于控制存储装置1100的主机1200。这里，主机1200可以是存储装置1100的用户。存储装置1100可以包括用于在其中存储数据的存储装置1110和用于控制存储装置1110的存储控制器1120。主机1200可以通过使用诸如外围组件互连-快速(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行附接SCSI(SAS)的接口协议而与存储装置1100进行通信。另外，主机1200与存储装置1100之间的接口协议不限于上述示例，且可以是诸如通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小硬盘接口(ESDI)和集成驱动电子(IDE)的其它接口协议中的一种。存储控制器1120可以控制存储装置1100的操作，并且可以控制主机1200与存储装置1110之间的数据交换。例如，响应于主机1200的请求，存储控制器1120可以控制存储装置1110来执行编程、读取或擦除操作。存储装置1110可以包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率双倍数据速率4(LPDDR4)SDRAM、图形双倍数据速率(GDDR)SRAM、低功率DDR(LPDDR)、rambus动态随机存取存储器(RDRAM)以及闪速存储器。在实施方式中，将作为示例描述包括闪速存储器的存储装置1110。图2是例示图1中的存储装置的示例的示图。参照图2，存储装置1110可以包括用于存储数据的存储器单元阵列100。存储装置1110可以包括执行下列操作的外围电路20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，该存储装置包括：存储器块，所述存储器块包括沿垂直方向被布置在基板上的多个页面；外围电路，所述外围电路被配置成对选择的页面执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以执行对一些所述页面依次进行编程直至第一页面的第一局部编程操作、执行对其它未编程页面进行擦除的第一局部擦除操作以及执行对已执行所述第一局部擦除操作的所述页面进行局部编程的第二局部编程操作。

【技术特征摘要】
2016.04.11 KR 10-2016-00442811.一种存储装置，该存储装置包括：存储器块，所述存储器块包括沿垂直方向被布置在基板上的多个页面；外围电路，所述外围电路被配置成对选择的页面执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以执行对一些所述页面依次进行编程直至第一页面的第一局部编程操作、执行对其它未编程页面进行擦除的第一局部擦除操作以及执行对已执行所述第一局部擦除操作的所述页面进行局部编程的第二局部编程操作。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储器块包括按照三维结构形成的串。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述串按照I形或U形来形成，并且包括在所述页面中包括的存储器单元。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以按照从位于最上端处的页面到位于下部位置处的页面的顺序来依次对所述页面进行编程。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以对已执行所述第一局部擦除操作的所有所述页面执行所述第二局部编程操作或者对已执行所述第一局部擦除操作的一些所述页面执行所述第二局部编程操作。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，当所述控制逻辑控制所述外围电路以对已执行所述第一局部擦除操作的一些所述页面执行所述第二局部编程操作时，在完成所述第二局部编程操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以对其它未编程页面执行一次或更多次擦除操作和一次或更多次编程操作。7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，当所述控制逻辑控制所述外围电路以执行所述一次或更多次擦除操作和所述一次或更多次编程操作时，所述控制逻辑控制所述外围电路以对还未执行所述局部编程操作的页面执行所述一次或更多次擦除操作。8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑将所述第一页面的地址与所选择的页面的地址进行比较，并且依次对一些所述页面进行编程直至所述第一页面。9.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑：如果执行了所述第一局部编程操作直至所述第一页面，则控制所述外围电路以执行所述第一局部擦除操作；并且如果在执行了所述第一局部编程操作直至所述第一页面之后选择第二页面以执行局部编程操作，则控制所述外围电路以执行所述第一局部擦除操作。10.一种操作存储装置的方法，该方法包括以下步骤：对选择的页面执行第A局部编程操作直至设置页面；如果完成所述第A局部编程操作直至所述设置页面，则对其它未编程页面执行第B局部擦除操作；以及对已执行所述第B局部擦除操作的所述页面执行第(A+1)局部编程操作。11.根据权利要求10所述的方法，其中，对所有或一些所述其它未编程页面执行所述第B局部擦除操作。12.根据权利要求10所述的方法，其中，对已执行所述第B局部擦除操作的所有或一些所述页面执行所述第(A+1)局部编程操作。13.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：当对已执行所述第B局...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，朴志晧，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR