发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置，包括一基板、多个发光单元、一绝缘层、一电流分布层及一反射层。基板具有一上表面。发光单元配置在上表面上，且包括至少一第一发光二极管及至少一第二发光二极管。第一发光二极管的一第一侧壁与第二发光二极管的一第二侧壁彼此相邻且定义出一暴露出部分上表面的凹部。绝缘层至少覆盖第一侧壁与第二侧壁上。电流分布层覆盖凹部且至少覆盖部分第二发光二极管。反射层覆盖电流分布层，且电性连接第一发光二极管与第二发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本专利技术是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种以发光二极管作为光源的发光装置。
技术介绍
随着发光二极管(LightEmittingDiode，LED)的技术发展，发光二极管已逐渐地取代传统灯泡而被应用于照明领域。由于现有的发光二极管采用直流电驱动，所以只能应用于直流电驱动的环境；或者，需要使用交流-直流电源转换器以及变压器将市用交流电转换成低压直流电，才能够提供给发光二极管使用。然而，一般的市售用电均为110V/220V的交流电，因此，现有采用直流电的发光二极管存在着使用不方便的问题。承上述，有研究者专利技术了交流发光二极管(ACLED)或是高压发光二极管(HVLED)，交流发光二极管无需额外的变压器、整流器或驱动电路，直接使用交流电就可对交流发光二极管进行驱动，而高压发光二极管，则无须转换成低压直流电，可使用一般直流电进行驱动，藉此减少变压器所产生的能量损耗。目前的交流/高压发光二极管都是在尺寸相当微小的单晶片上形成发光二极管单元矩阵以及内连线线路，利用内连线线路串联或并联多个发光二极管单元，以使交流/高压发光二极管具备可调整电压及电流的特性。一般来说，内连线线路通常是采用透明导导电材料，如铟锡氧化物(ITO)所组成。由于此内连线线路仅可提供电性连接的功效，因此在相邻两发光二极管单元的桥接处的发光效率较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置，可增进相邻两发光二极管的桥接处的光反射效果，以提升整体发光装置的发光效率。本专利技术提出一种发光装置，其包括一基板、多个发光单元、一绝缘层、一电流分布层及一反射层。基板具有一上表面。发光单元配置在基板的上表面上。发光单元包括至少一第一发光二极管以及至少一第二发光二极管。第一发光二极管的一第一侧壁与第二发光二极管的一第二侧壁彼此相邻且定义出一凹部，且凹部暴露出基板的部分上表面。绝缘层至少覆盖第一发光二极管的第一侧壁与第二发光二极管的第二侧壁上。电流分布层覆盖凹部，且至少覆盖部分第二发光二极管。反射层覆盖电流分布层，且电性连接第一发光二极管与第二发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括一阻障层，配置在反射层上。在本专利技术的一实施例中，上述的阻障层的材质包括钨、钨化钛或钨化钛/铂。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖被凹部所暴露出的基板的部分上表面，且电流分布层延伸覆盖部分第一发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的电流分布层并未覆盖第一发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖被凹部所暴露出的基板的部分上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的基板的上表面具有一凹陷，凹陷对应凹部设置，且绝缘层还延伸至凹陷内且覆盖凹陷。在本专利技术的一实施例中，上述的基板的上表面具有一凹陷，凹陷对应凹部设置，而绝缘层还延伸至凹陷内且未覆盖凹陷的一底部，电流分布层还覆盖凹陷的底部。在本专利技术的一实施例中，上述的第一发光二极管包括一第一半导体元件层、一第一电极以及一第二电极，第一半导体元件层包括一第一半导体层、一第一发光层以及一第二半导体层。第一发光层配置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极位于第一半导体层上，且第二电极位于第二半导体层上。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘层还覆盖部分第一半导体层，而电流分布层还覆盖部分第一电极。在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括一阻障层，其中阻障层配置在反射层上以及第一发光二极管的第二电极与第二半导体层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的第二发光二极管包括一第二半导体元件层以及一第三电极，第二半导体元件层包括一第三半导体层、一第二发光层以及一第四半导体层。第二发光层配置在第三半导体层与第四半导体层之间，第三电极位于第三半导体层上。绝缘层还覆盖部分第四半导体层。电流分布层覆盖部分第四半导体层，且电流分布层与第四半导体层形成欧姆接触。在本专利技术的一实施例中，上述的第一发光二极管的第一侧壁与第二发光二极管的第二侧壁分别为一倾斜侧壁或一垂直侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘层的材质包括氧化硅或氧化钛。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘层是由两种以上不同折射率材料所组成。在本专利技术的一实施例中，上述的电流分布层的材质包括镍/金、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或上述的组合。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的材质包括银、钛、铝、金、铬、镍、铂或其合金。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层是由多层具有不同反射率材料的金属或金属合金所组成。在本专利技术的一实施例中，上述的第一发光二极管与第二发光二极管以串联或并联的方式电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第一发光二极管与第二发光二极管可为一覆晶式发光二极管。基于上述，本专利技术的反射层除了可具有电性效能以电性连接相邻两发光二极管之外，也具有高反射效率可反射从发光二极管的发光层所发出的光线。因此，相较于现有的高压发光二极管而言，本专利技术的发光装置可具有较佳的发光效率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。附图说明图1示出为本专利技术的一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；图2示出为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；图3示出为本专利技术的又一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；图4示出为本专利技术的再一实施例的一种发光装置的剖面的示意图；图5示出为本专利技术的更一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。附图标记说明：100a、100b、100c、100d、100e：发光装置；110a、110b：基板；112a、112b：上表面；113b：凹陷；115b：底部；120：发光单元；120a：第一发光二极管；120b：第二发光二极管；121a：第一半导体层；121b：第三半导体层；122a：第一半导体元件层；122b：第二半导体元件层；123a：第二半导体层；123b：第四半导体层；124a：第一电极；124b：第三电极；125a：第一发光层；125b：第二发光层；126a：第二电极；127a：第一侧壁；127b：第二侧壁；130a、130b、130c、130d、130e：绝缘层；140a、140b、140c、140d、140e：电流分布层；150a、150b：反射层；160：阻障层；C：凹部。具体实施方式图1示出为本专利技术的一实施例的一种发光装置的剖面的示意图。请参考图1，在本实施例中，发光装置100a包括一基板110a、多个发光单元120、一绝缘层130a、一电流分布层140a及一反射层150a。基板110a具有一上表面112a。发光单元120a配置在基板110a的上表面112a上。发光单元120包括至少一第一发光二极管120a(图1中仅示意地示出一个)以及至少一第二发光二极管120b(图1中仅示意地示出一个)。第一发光二极管120a的一第一侧壁127a与第二发光二极管120b的一第二侧壁127b彼此相邻且定义出一凹部C，且凹部C暴露出基板110a的部分上表面112a。绝缘层130a至少覆盖第一发光二极管120a的第一侧壁127a与第二发光二极管120b的第二侧壁127b上。电流分布层140a覆盖凹部C，且至少覆盖部分第二发光二极管120b。反射层150a覆盖电流分布层140a，且电性连接第一发光二极管120a与第二发光二极管120b。更具体来说，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：一基板；多个发光单元，配置在该基板上，该些发光单元包括：至少一第一发光二极管；以及至少一第二发光二极管，与该第一发光二极管彼此分离，部分该基板暴露于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间；一绝缘层，位于该基板上且至少覆盖该第一发光二极管的一第一侧壁与该第二发光二极管的一第二侧壁；以及一反射导电叠层，配置于该绝缘层上，并电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管，该反射导电叠层包括相互堆叠的一电流分布层及一反射层。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：一基板；多个发光单元，配置在该基板上，该些发光单元包括：至少一第一发光二极管；以及至少一第二发光二极管，与该第一发光二极管彼此分离，部分该基板暴露于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间；一绝缘层，位于该基板上且至少覆盖该第一发光二极管的一第一侧壁与该第二发光二极管的一第二侧壁；以及一反射导电叠层，配置于该绝缘层上，并电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管，该反射导电叠层包括相互堆叠的一电流分布层及一反射层。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该绝缘层是由两种以上不同折射率的材料所组成。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该绝缘层还覆盖在该被暴露的部分该基板上。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄靖恩，黄逸儒，吴志凌，罗玉云，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71