一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板；该OLED器件的封装结构包括在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。将阻挡层设置为图案化结构，并将缓冲层填充在阻挡层的图案化区域内，当OLED器件发生弯曲时，通过阻挡层的图案化区域内填充的缓冲层释放阻挡层承受的弯曲应力，减小阻挡层承受的弯曲应力，使OLED器件能够弯曲更大的幅度，进而提高OLED器件的弯曲性能。

Packaging structure of OLED device and preparation method thereof, metal mask plate

The invention discloses a OLED device package structure and a preparation method thereof, metal mask plate; package structure of the OLED device is included in the OLED device over several layers of alternating barrier layer and buffer layer, at least one layer of the barrier layer is patterned structure; the buffer layer is filled in the patterned barrier in the area. The barrier layer is set to a patterned structure and buffer layer filled in the patterned region of barrier layer, when the OLED device is bent, the buffer layer through a patterned barrier layer region filled release stop bending stress bearing layer, the barrier layer decreases under bending stress, the OLED device can bend more the amplitude and improve the bending performance of OLED devices.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板
本专利技术涉及OLED器件
，具体而言涉及一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板。
技术介绍
随着显示技术的发展，柔性显示技术逐渐成为平板显示领域的研究热点，OLED显示器也逐渐成为是显示器发展的大方向。OLED显示器中柔性OLED器件成为研究热点，其中，柔性OLED器件对封装结构的要求非常高，水汽透过率小于10-6g/m2/day，氧气穿透率小于10-5cc/m2/day；因此封装结构在OLED器件制作中处于重要的位置，是影响产品良率的关键因素之一。现有技术中，常采用在OLED器件上交替设置无机层和有机层的方式来形成封装结构，以阻隔水氧；其中，主要依靠无机层来实现对水氧的有效阻隔，有机层的厚度增加时，其水氧阻隔能力也随之增加。但当OLED器件弯曲较大幅度的弯曲时，无机层会承受较大的弯曲应力，非常容易从OLED器件上脱落，导致OLED器件的弯曲性能受到影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板，本专利技术的OLED器件的封装结构能够提高OLED器件的弯曲性能。为解决上述技术问题，本专利技术提出的一个技术方案是：提供一种OLED器件的封装结构，该封装结构包括：在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。其中，若干层所述阻挡层中，上一层阻挡层覆盖下一层阻挡层的图案化区域。其中，若干层所述阻挡层中，除最上层的所述阻挡层外其余的所述阻挡层均为图案化结构；其中，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖其下一层的所述阻挡层和缓冲层；或最上层的所述缓冲层整面覆盖其下一层的所述缓冲层和所述阻挡层，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖所述最上层缓冲层。其中，若干层所述阻挡层中，越靠近所述OLED器件，所述阻挡层的厚度越厚。其中，所述阻挡层为金属氧化物；所述缓冲层为有机聚合物、树脂或硅基碳氧化物。其中，所述阻挡层的图案化区域包括多个长方形、多个椭圆形或多个多边形，其中，所述多边形由多个宽度不同的长方形交替连接形成；所述多个长方形、椭圆形或多边形为平行或交错结构。其中，所述封装结构还包括有机平坦层，所述有机平坦层设置在若干层所述阻挡层中最下层的所述阻挡层和所述OLED器件之间。本专利技术还提出的一个技术方案：提出一种OLED器件封装结构的制备方法，该制备方法包括：在OLED器件的上方形成若干层交替的阻挡层和缓冲层；其中，至少一层所述阻挡层通过掩膜板刻蚀形成图案化结构；将所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。其中，制备若干层所述阻挡层时，上一层阻挡层覆盖下一层阻挡层的图案化区域。本专利技术还提出的另一个技术方案：提供一种金属掩膜板，该金属掩膜板用于制造上述OLED器件的封装结构的阻挡层；所述金属掩膜板包括非镂空区和镂空区；所述镂空区离散的设置在所述非镂空区内；镀膜材料从所述镂空区中通过，并被所述非镂空区阻挡，以形成与所述非镂空区和镂空区对应的图案化的所述阻挡层。有益效果：区别于现有技术，本专利技术提供的OLED器件的封装结构包括在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。通过将缓冲层填充在阻挡层的图案化区域内，使得阻挡层不再是一个整面的结构，而是在图案化区域内填充有缓冲层的间隔的结构；当OLED器件弯曲时，填充在图案化区域内的缓冲层对阻挡层承受的弯曲应力进行释放，进而减小阻挡层承受的弯曲应力，使得OLED器件发生较大幅度的弯曲时，阻挡层也不会从OLED器件上脱落，进而提升了OLED器件的弯曲性能。附图说明图1是现有技术中OLED器件的封装结构的结构示意图；图2是本专利技术OLED器件的封装结构第一实施例的结构示意图；图3是本专利技术OLED器件的封装结构第二实施例的结构示意图；图4是本专利技术OLED器件的封装结构第三实施例的结构示意图；图5是本专利技术OLED器件的封装结构第四实施例的结构示意图；图6a-图6e是图2至图5中阻挡层的图案化结构的示意图；图7是本专利技术OLED器件封装结构的制备方法第一实施例的流程示意图；图8是本专利技术OLED器件封装结构的制备方法第二实施例的流程示意图；图9是本专利技术OLED器件封装结构的制备方法第三实施例的流程示意图；图10是本专利技术OLED器件封装结构的制备方法第四实施例的流程示意图；图11a-图11e是本专利技术金属掩膜板实施例的结构示意图。具体实施例为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本专利技术所提供的一种OLED器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板做进一步详细描述。在附图中，相同的标号在整个说明书和附图中用来表示相同的结构和区域。参阅图1，图1是现有技术中OLED器件的封装结构的结构示意图。如图1所示，OLED器件12制备在透明的柔性基底11上，OLED器件12的封装结构100是在OLED器件12上交替形成的互相覆盖的阻挡层13,15,17和缓冲层14,16。其中，阻挡层13,15,17用以有效阻隔水氧，缓冲层14,16用来覆盖阻挡层13,15,17的缺陷，实现平坦化。当OLED器件12发生弯曲时，阻挡层13,15,17和缓冲层14,16也会随之发生弯曲，此时阻挡层13,15,17和缓冲层14,16会受到一定的弯曲应力。由于阻挡层13,15,17是整面覆盖在OLED器件12上方的，因此阻挡层13,15,17会受到较大的弯曲应力，当OLED器件12弯曲的幅度较大时，阻挡层13,15,17会由于弯曲应力的影响而从OLED器件12上脱落。为了避免阻挡层13,15,17的脱落，OLED器件12不能大幅度的弯曲，对OLED器件12的弯曲性能有较大的限制。本专利技术为了解决现有技术中由于阻挡层承受的弯曲应力较大，导致阻挡层从OLED器件上脱落的问题，提出了如下的OLED器件的封装结构，该封装结构包括在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层阻挡层为图案化结构；缓冲层填充在阻挡层的图案化区域内。参阅图2，图2是本专利技术OLED器件的封装结构第一实施例的结构示意图。在图2所示的封装结构200的一种应用例中，阻挡层和缓冲层的层数均为2层(值得注意的是，阻挡层和缓冲层的层数可以根据实际需求进行设置，本实施例并没对此做出限定，图2所示的封装结构200仅是一种示范例)。其中，阻挡层包括第一阻挡层23和第二阻挡层25。缓冲层包括第一缓冲层24和第二缓冲层26。第一阻挡层23和第二阻挡层25均为图案化结构，第一缓冲层24和第二缓冲层26分别填充在第一阻挡层23和第二阻挡层25的图案化区域内。本实施例中，阻挡层为无机物形成的薄膜层，缓存层为有机聚合物形成的薄膜层。可选的，阻挡层和缓冲层的层数设置在2至5层之间，若阻挡层和缓冲层的层数增加，OLED器件的整体厚度也会随之增加。本实施例中，通过阻挡层对水氧进行有效阻隔，填充在阻挡层的图案化区域内的缓冲层能够对阻挡层受到的弯曲应力进行释放。本实施例将阻挡层设置为刻蚀有图案的图案化结构，在阻挡层的图案化区域内填充缓冲层。由于阻挡层的图案化区域的存在，使得阻挡层不再是整面的结构，而是间隔设置的结构，且图案化区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件的封装结构，其特征在于，包括：在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，包括：在OLED器件上方的若干层交替的阻挡层和缓冲层，至少一层所述阻挡层为图案化结构；所述缓冲层填充在所述阻挡层的图案化区域内。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，上一层阻挡层覆盖下一层阻挡层的图案化区域。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，除最上层的所述阻挡层外其余的所述阻挡层均为图案化结构；其中，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖其下一层的所述阻挡层和缓冲层；或最上层的所述缓冲层整面覆盖其下一层的所述缓冲层和所述阻挡层，所述最上层的所述阻挡层整面覆盖所述最上层缓冲层。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，若干层所述阻挡层中，越靠近所述OLED器件，所述阻挡层的厚度越厚。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层为金属氧化物；所述缓冲层为有机聚合物、树脂或硅基碳氧化物。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层的图案化区域包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文杰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44