The invention discloses an array substrate, which comprises a TFT substrate, an insulation protection layer, the pixel electrode and the common electrode, the insulating protective layer is arranged on the TFT substrate, the pixel electrode and the common electrode is arranged independently of each other in the insulation protection layer, the pixel electrode and / or the common electrode made of transparent metal oxide materials and metal materials. The invention also discloses a method for manufacturing the array substrate. The pixel electrode and the common electrode of the invention is made of transparent metal oxide materials and metal materials, can meet the demand of low impedance, and the light can penetrate the thin layer of metal materials, which will greatly enhance the opening rate and light penetration rate.
【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术属于显示
,具体地讲,涉及一种用于液晶面板的阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进,也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展,而在诸多平板显示器中,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性,已被应用于生产生活的各个方面。液晶显示器通常为背光型液晶显示器,其包括相对设置的液晶面板和背光模块。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板(即对盒的彩膜基板(CF基板)和阵列基板(Array基板))当中放置液晶分子,两片玻璃基板通过向液晶分子通电与否来控制液晶分子改变方向,从而将背光模组的光线折射出来产生影像。目前主流的液晶面板的类型分为扭曲向列(TwistedNematic,TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic,STN)型、面内转换(In-PlaneSwitching,IPS)型以及垂直配向(VerticalAlignment,VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式,由于具有较大的可视角度以及响应速度快等优点,所以被用于各种TV显示用途当中。在IPS型液晶面板中,像素电极和公共电极同时形成,二者的制作材料采用Mo/Ti电极替换原始ITO电极,从而在阻抗上有明显的优势。但是Mo/Ti金属材料透光率极低,会大幅度降低液晶面板的开口率和光线穿透率。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题,本专利技术提供了一种能够提高开口率 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极,所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上,所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上,所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括TFT基板、绝缘保护层、像素电极和公共电极,所述绝缘保护层设置在所述TFT基板上,所述像素电极和所述公共电极彼此独立地设置在所述绝缘保护层上,所述像素电极和/或所述公共电极采用透明金属氧化物材料和金属材料制成。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极层、第二像素电极层和第三像素电极层,其中所述第一像素电极层和所述第三像素电极层采用透明金属氧化物材料制成,所述第二像素电极层采用金属材料制成。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极层和/或所述第三像素电极层的厚度在30nm至50nm之间,所述第二像素电极层的厚度在9nm至20nm之间。4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极包括依次设置在所述绝缘保护层上的第一公共电极层、第二公共电极层和第三公共电极层,其中所述第一公共电极层和所述第三公共电极层采用透明金属氧化物材料制成,所述第二公共电极层采用金属材料制成。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极层和/或所述第三公共电极层的厚度在30nm至50nm之间,所述第二公共电极层的厚度在9nm至20nm之间。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明金属氧化物材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种,所述金属为银或金。7.一种阵列基板的制作方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:任维,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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