一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，先在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；再ICP刻蚀蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；再对蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；再对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；再将蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和金刚石热沉衬底进行金属键合；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；最后磁控溅射n型接触金属。本发明专利技术采用高热导率的金刚石做热沉，LED阳极金属与金刚石金属键合接触，散热优势明显；所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合，有效避免了传统的高温键合对LED性能的影响；所述蓝宝石衬底激光剥离过程中，工艺简单。

Diamond heat sink GaN base lateral electrode LED manufacturing method

The invention discloses a production method of GaN diamond heat sink base opposite electrode LED, first on the sapphire substrate MOCVD growth of GaN based LED epitaxial materials; ICP etching of sapphire substrate GaN based LED epitaxial materials for device isolation; then on the sapphire substrate by magnetron sputtering GaN based LED epitaxial material P type contact metal, reflection metal and metal bonding; then the diamond heat sink magnetron sputtering metal substrate surface bonding; the sapphire substrate GaN based LED epitaxial materials and diamond heat sink substrate by metal bonding; laser lift off technique for stripping sapphire substrate by magnetron sputtering; finally n contact metal. The invention adopts the high thermal conductivity of the diamond heat sink, LED anode metal and diamond metal bonded contact, heat dissipation advantages; the LED anode metal and metal bonding diamond under low temperature, high temperature can effectively avoid the traditional key effect on the performance of LED; the sapphire substrate laser stripping process, process simple.

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法
本专利技术属于LED散热
，具体涉及一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法。
技术介绍
GaN基LED作为第四代照明光源，具有高效、使用寿命长、节能、环保等优点，成为国内外重点发展的战略性新兴产业。然而随着照明功率不断地提高，LED产生的热量将急剧升高，如果这些热量没有及时散发出去，LED内部因发热产生的高温将严重影响LED的寿命和照明性能，因此，散热成为LED照明
一个亟待解决的关键性课题。传统的解决LED散热的方法是采用倒装焊技术给同侧电极LED外加铝或者铜散热基板，利用散热基板来导热，一方面由于倒装焊技术工艺比较复杂；另一方面由于铝(237W/m·K)和铜(400W/m·K)有限的热导率，很难满足大功率LED照明的散热需求。金刚石具有极高的的热导率，IIa型天然单晶金刚石的室温热导率高达2000W/m·K，采用金刚石作热沉可以有效地解决LED的散热问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提出一种金刚石热沉衬底GaN基LED制作方法，其目的在于形成以金刚石衬底做热沉的GaN基异侧电极LED，利用金刚石的高热导率来解决GaN基LED大功率照明散热问题。本专利技术采用以下技术方案：一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；S2：ICP刻蚀步骤S1所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；S3：对步骤S2所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；S4：对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；S5：将步骤S3所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和步骤S4所述金刚石热沉衬底进行金属键合；S6：采用激光剥离技术对步骤S5所述蓝宝石衬底进行剥离；S7：对步骤S6所述蓝宝石衬底进行磁控溅射n型接触金属。进一步的，所述步骤S1具体包括以下步骤：S11：分别用丙酮和去离子水各超声2～3分钟对所述蓝宝石衬底进行清洗；S12：将所述蓝宝石衬底在900～1000℃的H2气氛下进行烘烤；S13：以三甲基镓和氨气分别作为Ga源和N源，N2和H2作为载气，在530～580℃下采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上低温生长50nm的GaN成核层；S14：以SiH4为n型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH3为Ga源和N源MOCVD生长n-GaN层，掺杂浓度2×1017～1×1018cm-3；S15：以三甲基镓TMGa，三甲基铟TMIn和氨气NH3分别作为Ga源、In源和N源，N2和H2作为载气MOCVD交替生长GaN/InGaN多量子阱；S16：以CP2Mg为p型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH3为Ga源和N源MOCVD生长p-GaN层，掺杂浓度5×1016～2×1017cm-3，850℃退火；S17：最后PECVD淀积SiO2，厚度1.5μm。进一步的，所述外延材料制备完成后，进行隔离槽刻蚀，包括以下步骤：S21：SiO2光刻、刻蚀，形成隔离刻蚀掩膜图样，单元大小为1mm×1mm；S22：隔离槽ICP干法刻蚀，刻蚀气体采用He:Cl2:BCl3＝10:45:15sccm的混合气体；S23：PECVD淀积SiO2侧墙。进一步的，所述步骤S3具体为：刻蚀、抛光所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料p-GaN表面；分别用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料各2～3分钟，氮气吹干，再在p-GaN表面依次磁控溅射Ni/Au/Al/Ag，厚度依次为50nm/120nm/0.3μm/1μm，850～900℃退火15min。进一步的，所述步骤S4具体为：先对所述金刚石热沉衬底表面进行抛光、平整化处理；再用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗所述金刚石，抛光面磁控溅射Au键合金属，厚度2μm。进一步的，所述金刚石热沉衬底为多晶金刚石，厚度0.3mm，表面键合金属依次为Au；蓝宝石衬底GaN基LED，外延材料p-GaN层表面金属依次为Ni/Au/Al/Ag，其中Ni/Au作p型电极，Al作底面反射镜，Ag为键合金属。进一步的，所述步骤S5具体为：键合时间30min，键合温度250～300℃，施加压力300N，键合所述金刚石热沉衬底与所述宝石衬底GaN基LED外延材料。进一步的，所述步骤S6具体为：用一束波长248～480nm，脉冲宽度38ns的脉冲激光从所宝石的一面扫描整个样品，加热所述蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si三层结构去除所述蓝宝石衬底。进一步的，加热所述蓝宝石衬底到Ga的熔点29℃以上。进一步的，所述步骤S7具体为：S71：用KOH：乙二醇＝5:3溶液移除GaN缓冲层，漏出n-GaN层；S72：所述n-GaN层表面PECVD淀积SiO2，厚度1.5μm；S73：对所述SiO2光刻、刻蚀，形成n型电极图样；S74：依次磁控溅射Cr/Au型电极金属，厚度依次为50nm/300nm，保持550℃退火30min；S75：最后划片封装。与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法方法采用高热导率的金刚石做热沉，LED阳极金属与金刚石金属键合接触，散热优势明显；所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合，有效避免了传统的高温键合对LED性能的影响；蓝宝石衬底激光剥离过程中，工艺简单。进一步的，所述蓝宝石衬底激光剥离过程中，不需要临时支撑材料，工艺简单。进一步的，电极位于LED的异侧，LED正面电极遮光少，底面金属电极上有反射金属，具有反光作用，LED正面出光效率高。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。【附图说明】图1为实施例1蓝宝石衬底GaN基LED外延材料剖面图；图2为实施例1隔离槽ICP干法刻示意图；图3为实施例1隔离槽剖面图；图4为实施例1PECVDSiO2钝化层示意图；图5为实施例2磁控溅射P型电极金属、反射金属层、键合金属示意图；图6为实施例2金刚石热沉表面电子束蒸发键合金属示意图；图7为实施例2蓝宝石衬底GaN基LED外延材料与金刚石热沉金属键合示意图；图8为实施例3激光剥离蓝宝石衬底；图9为实施例3磁控溅射n型电极金属示意图。其中：1.蓝宝石衬底；2.本征GaN缓冲层；3.n-GaN层；4.GaN/InGaN多量子阱；5.p-GaN层；6.SiO2钝化层；7.P型电极；8.反射金属层；9.键合金属；10.金刚石衬底；11.n型电极。【具体实施方式】一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底1上MOCVD生长GaN基LED外延材料；请参阅图1所示，所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料具体为，蓝宝石衬底(0001)单面抛光，厚度500μm，本征GaN缓冲层2的厚度50nm,n-GaN层3的厚度2μm，十对GaN/InGaN多量子阱4，p-GaN层5的厚度0.2μm，蓝宝石衬底上外延生长GaN基LED外延材料后进行隔离槽刻蚀，包括以下步骤：S11：蓝宝石衬底清洗，丙酮、去离子水超声各2～3分钟。S12：将蓝宝石衬底在900～1000℃的H2气氛下进行烘烤，除去表面吸附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；S2：ICP刻蚀步骤S1所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；S3：对步骤S2所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；S4：对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；S5：将步骤S3所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和步骤S4所述金刚石热沉衬底进行金属键合；S6：采用激光剥离技术对步骤S5所述蓝宝石衬底进行剥离；S7：对步骤S6所述蓝宝石衬底进行磁控溅射n型接触金属。

【技术特征摘要】
1.一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；S2：ICP刻蚀步骤S1所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；S3：对步骤S2所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；S4：对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；S5：将步骤S3所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和步骤S4所述金刚石热沉衬底进行金属键合；S6：采用激光剥离技术对步骤S5所述蓝宝石衬底进行剥离；S7：对步骤S6所述蓝宝石衬底进行磁控溅射n型接触金属。2.根据权利要求1所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：S11：分别用丙酮和去离子水各超声2～3分钟对所述蓝宝石衬底进行清洗；S12：将所述蓝宝石衬底在900～1000℃的H2气氛下进行烘烤；S13：以三甲基镓和氨气分别作为Ga源和N源，N2和H2作为载气，在530～580℃下采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上低温生长50nm的GaN成核层；S14：以SiH4为n型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH3为Ga源和N源MOCVD生长n-GaN层，掺杂浓度2×1017～1×1018cm-3；S15：以三甲基镓TMGa，三甲基铟TMIn和氨气NH3分别作为Ga源、In源和N源，N2和H2作为载气MOCVD交替生长GaN/InGaN多量子阱；S16：以CP2Mg为p型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH3为Ga源和N源MOCVD生长p-GaN层，掺杂浓度5×1016～2×1017cm-3，850℃退火；S17：最后PECVD淀积SiO2，厚度1.5μm。3.根据权利要求2所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，所述外延材料制备完成后，进行隔离槽刻蚀，包括以下步骤：S21：SiO2光刻、刻蚀，形成隔离刻蚀掩膜图样，单元大小为1mm×1mm；S22：隔离槽ICP干法刻蚀，刻蚀气体采用He:Cl2:BCl3＝10:45:15sccm的混合气体；S23：PECVD淀积SiO2侧墙。4.根据权利要求1所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王进军，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61