基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜及其制备方法技术

技术编号：41181997 阅读：3 留言：0更新日期：2024-05-07 22:15

本发明专利技术公开了基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，包括94.8～95.1％PMMA，0.1～0.13％溴化铯，0.18～0.22％溴化铜，0.1～0.15％辛胺，4.4～4.7％的蓖麻油，其余为甲苯；还包括制备方法：步骤1、分别制备Cs<subgt;2</subgt;CuBr<subgt;4</subgt;量子点溶液和PMMA甲苯溶液；步骤2、将Cs<subgt;2</subgt;CuBr<subgt;4</subgt;量子点溶液加到PMMA甲苯溶液中，搅拌，冷却至室温，得到铜基钙钛矿量子点防伪溶液；步骤3、将铜基钙钛矿量子点防伪溶液浇筑成膜，得铜基钙钛矿量子点防伪薄膜。本发明专利技术提供的基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜及其制备方法，解决了铜基钙钛矿量子点表面钝化缺陷的配体易脱落，荧光稳定性不佳的问题。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能型薄膜，涉及基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，本专利技术还涉及该荧光防伪薄膜的制备方法。

技术介绍

1、假冒伪劣是一个全球性的问题，不仅造成巨大的经济损失，还给个人、企业甚至整个社会带来巨大危害。对此，大量的先进防伪技术被开发，如荧光、热致变色、等离子体光学、水印及激光全息图案等，其中，荧光防伪因其隐蔽性和多变性受到了广泛关注。

2、钙钛矿量子点是近年来新兴的一种新型光电纳米材料，具有光致发光特性，其中，铜基钙钛矿量子点具有毒性低、荧光效率高、发光可调谐以及色纯度较高等优点，成为了理想的荧光防伪材料。但铜基钙钛矿量子点表面钝化缺陷的配体易脱落，使得荧光稳定性不佳。因此，开发荧光强度高、稳定性好的钙钛矿防伪薄膜至关重要。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，解决了现有技术铜基钙钛矿量子点表面钝化缺陷的配体易脱落，使得荧光稳定性不佳的问题。

2、本专利技术的另一目的在于提供上述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法。

3、本专利技术所采用的第一个技术方案是，基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，以质量百分比计，包括94.8～95.1％的pmma，0.1％～0.13％的溴化铯，0.18％～0.22％的溴化铜，0.1～0.15％的辛胺，4.4～4.7％的蓖麻油，其余成分为甲苯。

4、本专利技术所采用的第二个技术方案是，基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，具体步骤如下：</p>

5、步骤1、分别制备cs2cubr4量子点溶液和pmma甲苯溶液；

6、步骤2、将cs2cubr4量子点溶液加入到pmma甲苯溶液中，75～85℃下磁力搅拌反应，自然冷却至室温，得到铜基钙钛矿量子点防伪溶液；

7、步骤3、将铜基钙钛矿量子点防伪溶液浇筑成膜，即得到基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的成分为，以质量百分比计，包括94.8～95.1％的pmma，0.1％～0.13％的溴化铯，0.18％～0.22％的溴化铜，0.1～0.15％的辛胺，4.4～4.7％的蓖麻油，其余成分为甲苯。

8、本专利技术的特点还在于：

9、制备cs2cubr4量子点溶液的具体步骤为：

10、步骤1.1、分别取溴化铯和溴化铜放入容器中，再加入辛胺和蓖麻油搅拌均匀，常温下超声25～35min形成前驱体溶液；

11、步骤1.2、取甲苯放入另一容器中，取前驱体溶液以0.8～1.5s/滴的速度滴加到甲苯中，75～85℃下磁力搅拌，反应5～10min，自然冷却，再以7500～8500r/min的速率进行离心，去除沉淀后得到cs2cubr4量子点溶液。

12、步骤1.1中各组分质量比为，以质量份计，溴化铯为0.210-0.215份，溴化铜为0.440-0.445份，辛胺为0.259-0.271份，蓖麻油为58.239-58.639份。

13、前驱体溶液与甲苯溶液质量比为1：80.3～80.7。

14、制备pmma甲苯溶液的具体步骤为：取pmma加入到甲苯中，在55～65℃水浴中搅拌2～3h至pmma完全溶解，得到pmma甲苯溶液。

15、pmma与甲苯质量比为0.0286-0.0289：1。

16、步骤2中cs2cubr4量子点溶液与pmma甲苯溶液质量比为1：1。

17、步骤2中磁力搅拌反应时间为8～10min。

18、本专利技术的有益效果是：

19、(1)本专利技术制备方法同时引入蓖麻油和pmma对量子点进行保护，pmma的酯基与蓖麻油的游离脂肪酸中的羧基能够钝化量子点的表面缺陷，长分子链结构能够包覆量子点，进而提高量子点的稳定性和荧光性能；

20、(2)本专利技术制备的防伪薄膜在紫外灯照射下即可显示蓝色发光，制备方法简单易行，可大规模生产。

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【技术保护点】

1.基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，其特征在于，以质量百分比计，包括94.8～95.1％的PMMA，0.1％～0.13％的溴化铯，0.18％～0.22％的溴化铜，0.1～0.15％的辛胺，4.4～4.7％的蓖麻油，其余成分为甲苯。

2.如权利要求1所述的基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

3.根据权利要求2所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备Cs2CuBr4量子点溶液的具体步骤为：

4.根据权利要求3所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1.1中各组分质量比为，以质量份计，溴化铯为0.210-0.215份，溴化铜为0.440-0.445份，辛胺为0.259-0.271份，蓖麻油为58.239-58.639份。

5.根据权利要求3所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液与甲苯溶液质量比为1：80.3～80.7。

6.根据权利要求2所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其

7.根据权利要求6所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述PMMA与甲苯质量比为0.0286-0.0289：1。

8.根据权利要求2所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中Cs2CuBr4量子点溶液与PMMA甲苯溶液质量比为1：1。

9.根据权利要求2所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中磁力搅拌反应时间为8～10min。

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【技术特征摘要】

1.基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜，其特征在于，以质量百分比计，包括94.8～95.1％的pmma，0.1％～0.13％的溴化铯，0.18％～0.22％的溴化铜，0.1～0.15％的辛胺，4.4～4.7％的蓖麻油，其余成分为甲苯。

2.如权利要求1所述的基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

3.根据权利要求2所述基于铜基钙钛矿量子点的荧光防伪薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备cs2cubr4量子点溶液的具体步骤为：

5.根据权利要求3所述基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，欧阳杨，高党鸽，暴欣，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：

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