基板结构及其制法制造技术

一种基板结构及其制法，该基板结构包括：具有多个端部凸出其表面的导电柱的基板本体、形成于该基板本体与该导电柱上且外露该导电柱端部的绝缘层、以及形成于该导电柱端部上的导电体，使该导电柱的凸出部分作为该基板结构的外接点，且各该导电柱之间于回焊时不会发生桥接的问题，因而得以缩小各该导电柱之间的间距。

Substrate structure and manufacturing method thereof

A substrate structure and manufacturing method thereof, including the substrate structure: substrate with conductive column body, a plurality of end protruding the surface of the conductive body at the end of the conductive column of the substrate body and the conductive columns and the insulating layer, and the exposed part is formed on the conductive column on the end of the project, part of the conductive column as the outer contact of the substrate structure, and between the conductive column does not reflow occurs when bridging problems, so as to narrow the distance between the conductive column.

【技术实现步骤摘要】
基板结构及其制法
本专利技术有关一种基板结构，尤指一种半导体基板结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术，例如芯片尺寸构装(ChipScalePackage，简称CSP)、芯片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi－ChipModule，简称MCM)等覆晶型态的封装模组。图1为现有覆晶型态的半导体封装件1的剖面示意图。如图1所示，提供一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)10，该硅中介板10具有相对的置晶侧10a与转接侧10b、及连通该置晶侧10a与转接侧10b的多个导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)100，且该转接侧10b上具有多个线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)101，以将间距较小的半导体芯片19的电极垫190通过多个焊锡凸块102电性结合至该置晶侧10a上，再以底胶192包覆该些焊锡凸块102，且形成封装胶体18于该硅中介板10上，以覆盖该半导体芯片19，另于该线路重布层101上通过多个如焊锡球的导电元件103电性结合间距较大的封装基板17的焊垫170，并以底胶172包覆该些导电元件103。然而，现有半导体封装件1中，该硅中介板10的置晶侧10a与转接侧10b均通过焊锡结构(即该焊锡凸块102与该导电元件103)外接其它元件(即该半导体芯片19与该封装基板17)，故当该焊锡结构经回焊后形成球体时，各球体之间的间距(pitch)若过小，则会造成桥接，而造成短路现象，致使该硅中介板10无法缩小该间距，导致该半导体封装件1难以符合轻薄短小的需求，进而使电子产品无法达到微小化的目的。因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺点，本专利技术提供一种基板结构及其制法，可缩小各该导电柱之间的间距。本专利技术的基板结构，包括：基板本体，其具有相对的第一表面及第二表面，并于该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面；绝缘层，其形成于该基板本体的第二表面与该导电柱上，且令该导电柱的部分面积外露出该绝缘层；以及导电体，其形成于外露出该绝缘层的该导电柱的部分面积上。前述的基板结构中，该绝缘层形成有开孔，以令该导电柱的部分面积外露于该开孔。例如，该开孔的孔径小于该导电柱的端面宽度。前述的基板结构中，该导电柱凸出该绝缘层，以令该导电柱的端部外露于该绝缘层。本专利技术还提供一种基板结构的制法，包括：提供一具有相对的第一表面及第二表面的基板本体，其中，该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面；形成绝缘层于该基板本体的第二表面与该导电柱上；于该绝缘层上形成开孔，以令该导电柱的部分面积外露于该开孔；以及形成导电凸块于该开孔中，以令该导电凸块电性连接该导电柱。前述的制法中，该开孔的孔径小于该导电柱的端面宽度。本专利技术另提供一种基板结构的制法，包括：提供一具有相对的第一表面及第二表面的基板本体，其中，该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面；形成绝缘层于该基板本体的第二表面与该导电柱上；移除该绝缘层的部分材质，使该导电柱凸出该绝缘层；以及形成导电层于该导电柱凸出该绝缘层的部分上，以令该导电层电性连接该导电柱。前述的基板结构及其制法中，该基板本体为半导体板体。前述的基板结构及其制法中，该基板本体的第一表面上形成有线路部。前述的基板结构及其制法中，该导电体为焊锡凸块或焊锡层，即该导电凸块为焊锡凸块，且该导电层为焊锡层。由上可知，本专利技术的基板结构及其制法，主要通过该导电柱凸出该第二表面，以作为该基板结构的外接点，且各该导电柱之间于回焊时不会发生桥接的问题，因而得以缩小各该导电柱之间的间距，进而能缩小该基板结构的体积，以符合轻薄短小的需求。附图说明图1为现有半导体封装件的剖面示意图；图2A至图2E为本专利技术的基板结构的制法的第一实施例的剖面示意图；以及图3A至图3E为本专利技术的基板结构的制法的第二实施例的剖面示意图。符号说明1半导体封装件10硅中介板10a置晶侧10b转接侧100导电硅穿孔101,211线路重布层102焊锡凸块103导电元件17封装基板170焊垫172,192底胶18封装胶体19半导体芯片190电极垫2,3基板结构20基板本体20a第一表面20b,20b’第二表面200导电柱200a端部201垫部21线路部210介电层22a第一绝缘层22b第二绝缘层220开孔23晶种层24导电凸块24’焊球30阻层34导电层4电子装置40接点9承载板91结合层D孔径R端面宽度。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2E为本专利技术的基板结构2的制法的第一实施例的剖面示意图。如图2A所示，提供一具有相对的第一表面20a及第二表面20b的基板本体20，并于该基板本体20中具有多个连通该第一表面20a的导电柱200。于本实施例中，该基板本体20为半导体板体，例如硅中介板(Siinterposer)型式。此外，该导电柱200以穿孔镀铜制造方法制作以形成导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)，且该基板本体20的第一表面20a具有电性连接各该导电柱200的一线路部21，该线路部21包含至少一介电层210、及至少一设于该介电层210上的重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)211。又，该导电柱200具有一位于该第一表面20a的垫部201，以电性连接该重布线路层211。另外，该基板本体20以其线路部21结合至一承载板9的结合层91上。如图2B所示，以蚀刻方式移除该基板本体20的第二表面20b的部分材质，使各该导电柱200的端部200a凸出该基板本体20的第二表面20b’。如图2C所示，形成一第一绝缘层22a与一第二绝缘层22b于该基板本体20的第二表面20b’与该导电柱200上。接着，形成多个开孔220于该第一与第二绝缘层22a,22b上，以令各该导电柱200的端部200a对应外露于各该开孔220。于本实施例中，形成该第一绝缘层22a的材质为氮化硅或氧化硅，且形成该第二绝缘层22b的材质为四乙氧基硅烷(tetraethylorthosilicate，简称TEOS)。此外，该开孔220的孔径D小于该导电柱200的端面宽度R。如图2D所示，于该第二绝缘层22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：基板本体，其具有相对的第一表面及第二表面，并于该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面；绝缘层，其形成于该基板本体的第二表面与该导电柱上，且令该导电柱的部分面积外露出该绝缘层；以及导电体，其形成于外露出该绝缘层的该导电柱的部分面积上。

【技术特征摘要】
2015.11.25 TW 1041391151.一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：基板本体，其具有相对的第一表面及第二表面，并于该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面；绝缘层，其形成于该基板本体的第二表面与该导电柱上，且令该导电柱的部分面积外露出该绝缘层；以及导电体，其形成于外露出该绝缘层的该导电柱的部分面积上。2.如权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板本体为半导体板体。3.如权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板本体的第一表面上形成有线路部。4.如权利要求1所述的基板结构，其特征为，该导电体为焊锡凸块或焊锡层。5.如权利要求1所述的基板结构，其特征为，该绝缘层形成有开孔，以令该导电柱的部分面积外露于该开孔。6.如权利要求5所述的基板结构，其特征为，该开孔的孔径小于该导电柱的端面宽度。7.如权利要求1所述的基板结构，其特征为，该导电柱凸出该绝缘层，以令该导电柱的端部外露于该绝缘层。8.一种基板结构的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有相对的第一表面及第二表面的基板本体，其中，该基板本体中具有至少一连通该第一表面的导电柱，且该导电柱凸出该第二表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王信智，蒋静雯，黄晓君，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71