一种制作透射电镜样品的方法技术

本发明专利技术提供了一种制作透射电镜样品的方法，其中，提供一待观测硅片，待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：对待观测硅片中的失效点进行标记以形成标记区域；切割待观测硅片以获取包含标记区域的六面体；提供一单晶硅制成的载体硅片，切割载体硅片的上表面，以获取一凹槽；通过液体胶将六面体与标记区域相邻的侧面粘贴于凹槽内，并使六面体平行于凹槽的边缘；通过粘贴有六面体的载体硅片及六面体进行切割，以获得透射电镜样品。其技术方案的有益效果在于，实现提升制作透射电镜样品精度，提高透射电镜样品制作效率，解决了有技术中制作透射电镜样品易出现失效点打磨过度造成透射电镜样品制作失败的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片失效点分析领域，尤其涉及一种制作透射电镜样品的方法。
技术介绍
集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免，随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。同时失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。目前，采用透射电镜观测芯片失效点是失效分析中的常用手段，通过透射电镜观测芯片失效点需要先制备包含失效点的透射电镜平面样品。现有技术中，制备特定失效点的透射电镜平面样品所采用的方法是：先在聚焦离子束机台内用离子束刻蚀的方法在需要观测的失效点附近做标记，然后用人工研磨的方法将硅片的一个截面研磨到距离失效点约1～2微米，最后竖着放到聚焦离子束机台中制备透射电镜样品，现有的制作方式存在着以下问题，首先用人工机械研磨的方法将硅片的一个截面研磨到距离失效点1～2微米很难把握，很容易将失效点磨过。失效点一般位于单晶硅衬底上的层次，因此在制备平面透射电镜样品过程中会将单晶硅切掉，由于样品未包含单晶硅，在透射电镜中进行观察的时候，无法通过单晶硅进行角度校正，无法保证电子束垂直于样品入射，得到的透射电镜图像就不能真实反应样品的真实形貌和尺寸。
技术实现思路
针对现有技术中在制作透射电镜样品过程中存在的上述问题，现提供一种旨在实现提升制作透射电镜样品精度，提高透射电镜样品制作效率，解决了有技术中制作透射电镜样品易出现失效点打磨过度造成透射电镜样品制作失败的制作透射电镜样品的方法。具体技术方案如下：一种制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一待观测硅片，所述待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：步骤S1、对所述待观测硅片中的所述失效点进行标记以形成标记区域；步骤S2、切割所述待观测硅片以获取包含所述标记区域的六面体；步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片，切割所述载体硅片的上表面，以获取一凹槽；步骤S4、通过液体胶将所述六面体与所述标记区域相邻的侧面粘贴于所述凹槽内，并使所述六面体平行于所述凹槽的边缘；步骤S5、通过粘贴有所述六面体的载体硅片及所述六面体进行切割，以获得透射电镜样品。优选的，所述载体硅片的上表面上设置相互垂直并交叉的槽形成的图案。优选的，所述凹槽为矩形槽，所述矩形槽的四边分别与所述槽的延伸方向平行。优选的，所述凹槽的四边分别与所述凹槽的底部呈45度设置，所述凹槽底部与所述槽的延伸方向平行。优选的，所述六面体的厚度大于所述凹槽的深度。优选的，提供一聚焦离子束机台，通过所述聚焦离子束机台发射的聚焦离子束对所述载体硅片进行切割以形成所述凹槽。优选的，所述聚焦离子束机台还用以对所述待观测硅片进行切割以获取包含所述标记区域的所述六面体。优选的，所述六面体贴合于所述凹槽的方法采用所述载体硅片的表面涂覆一层所述液体胶，所述六面粘贴于所述凹槽内。优选的，所述六面体贴合于所述凹槽的方法采用将所述六面体与所述凹槽贴合的一面涂覆一层所述液体胶，以粘贴于所述凹槽内。优选的，提供一电炉对粘贴于所述载体硅片以及所述六面体之间的所述液体胶进行烘烤固化。上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过切割获得的将包含失效点的六面体粘贴于由单晶硅制成的载体硅片的凹槽中，通过对载体硅片以及六面体进行切割已获得透射电镜样片，制作效率高，克服了现有技术中制作透射电镜样品易出现失效点打磨过度造成透射电镜样品制作失败的缺陷。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1为本专利技术一种制作透射电镜样品的方法实施例的流程图；图2为本专利技术一种制作透射电镜样品的方法实施例中，关于待观测硅片的结构示意图。图3为本专利技术一种制作透射电镜样品的方法实施例中，关于载体硅片的结构示意图。上述说明书各附图标记表示：(1)、待观测硅片；(11)、六面体；(12)、失效点；(2)、载体硅片；(21)、凹槽；(22)、图案。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。本专利技术的技术方案中包括一种制作透射电镜样品的方法。一种制作透射电镜样品的方法的实施例，其中，提供一待观测硅片，待观测硅片中包括一失效点，如图1所示，包括以下步骤：步骤S1、对待观测硅片1中的失效点进行标记以形成标记区域；步骤S2、切割待观测硅片1以获取包含标记区域的六面体11；步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片2，切割载体硅片2的上表面，以获取一凹槽；步骤S4、通过液体胶将六面体11与标记区域相邻的侧面粘贴于凹槽内，并使六面体11平行于凹槽的边缘；步骤S5、通过粘贴有六面体11的载体硅片2及六面体11进行切割，以获得透射电镜样品。透射电镜(TransmissionElectronMicroscope,简称TEM)，可以看到在光学显微镜下无法看清的小于0.2um的细微结构，这些结构称为亚显微结构或超微结构；为了对芯片进行失效分析，需要将芯片进行处理即制作出符合标准的透射电镜样品；上述技术方案中，为了保证制作出标准的六面体11透视电镜样片，首先通过对待观测硅片1进行切割，以取出包含失效点12的六面体11，其中切割出六面体11的方法可通过在包含失效点区域的两侧各切割出一贯穿待观测硅片1的通槽，再将失效点区域的另外两侧进行垂直切割，使切割出的六面体11与待观测硅片1脱离；接着取一由单晶硅制成的载体硅片22，该载体硅片2上可通过切割出一凹槽21，此凹槽21用以放置上述取出的六面体11，在放置六面体11之前，需要在载体硅片2的表面上涂覆一层液体胶，以方便将六面体11粘贴于凹槽21的底部，并在液体胶固化之后，将放置有六面体11的载体硅片2以及六面体11进行切割以获得透射电镜样品，其中与六面体11接触的凹槽21的底部为单晶硅制成，因此在对制成的透射电镜样品进行观察时，可通过调整透射电镜样品位置保证透射电镜的电子束垂直射入进而使得到的透射电镜图像能真实反应样品的真实形貌和尺寸。在一种较优的实施方式中，如图3所示，载体硅片2的上表面上设置相互垂直并交叉的槽形成的图案22。上述技术方案中，载体硅片2上设置的互相垂直并交叉的图案22可以是使使用者参考图案22的位置切割出形状规则的凹槽21。在一种较优的实施方式中，凹槽21为矩形槽，矩形槽的四边分别与图案22的延伸方向平行。在一种较优的实施方式中，凹槽21的四边分别与凹槽21的底部呈45度设置，凹槽21底部于图案22平行。如图2所示，从待观测硅片11中切割出的六面体11可以切割成矩形体，也可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一待观测硅片，所述待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：步骤S1、对所述待观测硅片中的所述失效点进行标记以形成标记区域；步骤S2、切割所述待观测硅片以获取包含所述标记区域的六面体；步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片，切割所述载体硅片的上表面，以获取一凹槽；步骤S4、通过液体胶将所述六面体与所述标记区域相邻的侧面粘贴于所述凹槽内，并使所述六面体平行于所述凹槽的边缘；步骤S5、通过粘贴有所述六面体的载体硅片及所述六面体进行切割，以获得透射电镜样品。

【技术特征摘要】
1.一种制作透射电镜样品的方法，其特征在于，提供一待观测硅片，所述待观测硅片中包括一失效点，包括以下步骤：步骤S1、对所述待观测硅片中的所述失效点进行标记以形成标记区域；步骤S2、切割所述待观测硅片以获取包含所述标记区域的六面体；步骤S3、提供一单晶硅制成的载体硅片，切割所述载体硅片的上表面，以获取一凹槽；步骤S4、通过液体胶将所述六面体与所述标记区域相邻的侧面粘贴于所述凹槽内，并使所述六面体平行于所述凹槽的边缘；步骤S5、通过粘贴有所述六面体的载体硅片及所述六面体进行切割，以获得透射电镜样品。2.根据权利要求1所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述载体硅片的上表面上设置相互垂直并交叉的槽形成的图案。3.根据权利要求2所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述凹槽为矩形槽，所述矩形槽的四边分别与所述槽的延伸方向平行。4.根据权利要求2所述的制作透射电镜样品的方法，其特征在于，所述凹槽的四边分别与所述凹槽的底部呈45度设置，所述凹槽底部与所述槽的延...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟，仝金雨，刘君芳，李桂花，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42