The utility model provides a InP MOS HEMT device is a low ohmic contact, including followed from laminated substrate, InP buffer layer and InAlAs buffer layer, InGaAs channel layer and InAlAs barrier layer; two-dimensional electron gas is formed between the channel layer and the barrier layer, the barrier layer of the source region and a drain region is provided with a groove, the groove in the growth of epitaxial layer, a source is formed in the epitaxial layer on the source electrode region and the drain electrode in the epitaxial layer is formed on the drain region; a doped cap layer above the drain epitaxial layer and barrier layer on the inner side of the source and the cap layer is provided with a groove to the barrier layer on the surface, and the deposition of Al2O3 medium in the barrier layer on the exposed, a gate formed on Al2O3 media. By the above method, the utility model can effectively improve the concentration of the two-dimensional electron gas in the channel, reduce the ohmic contact resistance, and improve the breakdown voltage of the device.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件。
技术介绍
自从摩尔定律逐步到达极限,在下一代超高速以及低功耗逻辑电路领域,III-V沟道l的器件已经作为一个有效的Si器件替代者被广泛研究。在过去几年中,大量的III-V器件研究集中在栅级制备技术,特征栅极线条已经达到50nm节点,但很少有关注到源极和漏极的形成机制,低的接触电阻可有效的减小器件功耗提高输出功率,并且可极大的缩小器件尺寸。但是,300度的退火却又引起了磷化铟(InP)器件欧姆接触层表面和边缘变得更加粗糙,不利于后续工艺的开展,是阻碍InP器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。自从Si基器件90nm节点之后,在源极和漏极(S/D)区域选择性外延再生长(regrowth)SiGe在先进的Si基制程中已经出现了。源漏再生长技术实现的高掺杂的二次外延层也将提供应力给沟道,有效的提高沟道二维电子气(2DEG)浓度。国内专利搜索可见InAlAs/InGaAsHEMT欧姆接触的专利,但未见InAlAs/InGaAs异质结构的MOSHEMT的专利;目前国内所见的授权的InPMOSHEMT技术并未见到非合金欧姆接触,且源漏再生长技术实现的提高InP沟道二维电子气(2DEG)浓度机理也是国内首次提到。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件,能够有效的提高InP沟道二维电子气(2DEG)的浓度,降低欧姆接触电阻。为解决上述技术问题,本技术采用的一个技术方案是:提供一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件,其特征在于,包括由下至上依次层叠的衬底、非 ...
【技术保护点】
一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件,其特征在于,包括由下至上依次层叠的衬底、非掺杂InP缓冲层、非掺杂InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层;所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气,所述InAlAs势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽,所述沟槽从InAlAs势垒层表面深入InGaAs沟道层内部,所述沟槽内生长有n型InGaN外延层,在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极,在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极;在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层,所述盖帽层开设凹槽至InAlAs势垒层上表面,并在露出的InAlAs势垒层上沉积Al2O3介质,在Al2O3介质上形成有栅极。
【技术特征摘要】
1.一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件,其特征在于,包括由下至上依次层叠的衬底、非掺杂InP缓冲层、非掺杂InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层;所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气,所述InAlAs势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽,所述沟槽从InAlAs势垒层表面深入InGaAs沟道层内部,所述沟槽内生长有n型InGaN外延层,在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极,在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极;在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层,所述盖帽层开设凹槽至InAlAs势垒层上表面,并在露出的InAlAs势垒层上沉积Al2O3介质,在Al2O3介质上形成有栅极。2.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InPMOSHEMT器件,其特征在于:所述源极、漏极以及栅极金属均为多层金属。3.根据权利要求2所述的低欧姆接触的InPMOSHEMT器件,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:黎明,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
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