电子器件制造技术

本发明专利技术提供能够抑制盖与基板的位置偏移的产生的电子器件。本发明专利技术所涉及的电子器件的特征在于，具备：基板，其包含具有主面的基板主体以及设置在主面上的线状的金属膜，该金属膜呈包围规定区域的环状；以及盖，其具有与规定区域实质上一致的形状的开口，并且，通过在开口的外缘与金属膜接合，从而与主面一起形成封闭空间，开口的外缘在剖面上具有位于距离基板最近的位置的第一部分和位于与第一部分相比距离基板远的位置的第二部分，金属膜与第二部分重叠，金属膜中与第二部分重叠的部分的膜厚在剖面上随着向从第一部分朝向第二部分的规定方向行进而增加。

Electronic device

The present invention provides an electronic device capable of suppressing the position offset of the cover and the substrate. The characteristics of electronic devices of the invention is provided with a substrate, comprising a substrate with a principal surface body and the metal film is arranged on the main line on the surface of the metal film, and was surrounded by a prescribed region of the ring; and the cover, which has provided the opening, area essentially the same shape and, through engage in opening the outer edge and the metal film, and thus the Lord together to form a closed space, the opening edge has a first portion located in the nearest distance of the substrate and is located in the second part of the far distance compared with the substrate in the first part of the section, metal film and metal film second overlap, with second overlapping part of the film thickness in the section with the first part from the provisions of part towards the second direction increased.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子器件，更确定地说，涉及具备基板以及安装在基板上的盖的电子器件及其制造方法。
技术介绍
作为以往的电子器件，例如，已知有专利文献1所记载的晶体振子。该晶体振子具备陶瓷平板、接合剂、晶体振动元件以及盖。在陶瓷平板的主面上安装有晶体振动元件，并且以包围该晶体振动元件的周围的方式配置接合剂。盖呈在底面具有开口的长方体，并以覆盖晶体振动元件的方式配置在陶瓷平板的主面上。此时，盖的开口的外缘与接合剂接触。然后，在使接合剂熔融之后使其固化。由此，盖固定在陶瓷平板上。然而，专利文献1所记载的晶体振子具有产生盖与陶瓷平板的位置偏移这样的问题。专利文献1：国际公开第2013/172440号
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供能够抑制盖与基板的位置偏移的产生的电子器件。本专利技术的一方式所涉及的电子器件的特征在于，具备：基板，其包含具有主面的基板主体以及设置在该主面上的线状的金属膜，所述金属膜在从相对于该主面的法线方向俯视时呈包围规定区域的环状；以及盖，其具有与上述规定区域实质上一致的形状的开口，并且，通过在该开口的外缘处与上述金属膜接合，从而与上述主面一起形成封闭空间，上述开口的外缘在与上述金属膜延伸的延伸方向正交的第一剖面上，具有位于距离上述基板最近的位置的第一部分和位于与该第一部分相比距离该基板远的位置的第二部分，在从上述法线方向俯视时，上述金属膜与上述第二部分重叠，上述金属膜中与上述第二部分重叠的部分的膜厚在上述第一剖面上，随着向从上述第一部分朝向该第二部分的规定方向行进而增加。根据本专利技术，能够抑制盖与基板的位置偏移的产生。附图说明图1是电子器件10的外观立体图。图2是电子器件10的分解立体图。图3是图1的A－A剖面结构图。图4是图3的C处的放大图。图5是电子器件10的制造时的外观立体图。图6是电子器件10的制造时的外观立体图。图7是电子器件10的制造时的外观立体图。图8是电子器件10的制造时的外观立体图。图9是切割母基板110时的剖面结构图。图10是变形例所涉及的电子器件10a的C处的放大图。具体实施方式(电子器件的结构)以下，参照附图对本专利技术的电子部件的一实施方式所涉及的具备芯片部件的电子器件进行说明。图1是电子器件10的外观立体图。图2是电子器件10的分解立体图。图3是图1的A－A剖面结构图。图4是图3的C处的放大图。以下，将相对于电子器件10的主面的法线方向定义为上下方向，将从上侧俯视时电子器件10的长边延伸的方向定义为左右方向，并将电子器件10的短边延伸的方向定义为前后方向。如图1～图3所示，电子器件10具备基板12、金属盖14以及晶体片16。基板12(电路基板的一个例子)包含基板主体21、外部电极22、26、40、42、44、46、布线24、28、金属化膜(金属膜的一个例子)30、焊料(接合剂的一个例子)50以及通孔导体v1、v2。基板主体21是在从上侧俯视时呈长方形的平板。基板主体21例如，由氧化铝烧结体、莫来石烧结体、氮化铝烧结体、碳化硅烧结体、玻璃陶瓷烧结体等陶瓷系绝缘性材料、晶体、玻璃、硅等制成。基板主体21在上下具有两个主面。将基板主体21的上侧的主面称为表面，并将基板主体21的下侧的主面称为背面。外部电极22是设置在基板主体21的表面的左后角附近的正方形的导体层。外部电极26是设置在基板主体21的表面的左前角附近的正方形或者长方形的导体层。外部电极22与外部电极26在前后方向上排列。外部电极40是设置在基板主体21的背面的左前角附近的正方形的导体层。外部电极42是设置在基板主体21的背面的左后角附近的正方形的导体层。外部电极44是设置在基板主体21的背面的右前角附近的正方形的导体层。外部电极46是设置在基板主体21的背面的右后角附近的正方形的导体层。此外，外部电极40、42、44、46也可以是长方形或者五角形。布线24是设置在基板主体21的表面，并从外部电极22朝向左侧延伸的直线状的导体层。布线24的左端在从上侧俯视时与外部电极42重叠。布线28是从外部电极26朝向前侧延伸之后朝向右侧延伸的线状的导体层。布线28的右端在从上侧俯视时与外部电极44重叠。金属化膜30是设置在基板主体21的表面上的线状的金属膜，在从上侧(相对于表面的法线方向)俯视时呈包围区域R的环状。更详细而言，金属化膜30遍及基板主体21的表面的外缘的全长接触。因此，金属化膜30在从上侧俯视时与基板主体21的表面的四边接触，从而呈框状的长方形。由此，金属化膜30包围长方形的区域R。另外，如图4所示，金属化膜30呈三层结构，包含钼层30a、镍层30b以及金层30c。在基板主体21的表面上从下侧向上侧依次层叠钼层30a、镍层30b以及金层30c。钼层30a例如，通过打印形成，具有20μm左右的厚度。镍层30b以及金层30c例如，通过电镀形成，具有0.5μm～1μm左右的厚度。此外，图4为了理解的容易，而以与实际的尺寸不同的尺寸进行记载。这里，如图4所示，金属化膜30的膜厚在与金属化膜30延伸的延伸方向正交的剖面上，随着向从区域R内朝向区域R外的规定方向(在图4中，是从右侧朝向左侧的方向)行进而增加。在本实施方式中，金属化膜30的膜厚连续地增加，并在基板主体21的外缘处最大。即，金属化膜30的剖面形状呈将穹顶状分割为一半后的形状。此外，在图4中，示出与基板主体21的表面的左侧的短边相接的金属化膜30的剖面形状。因此，从区域R内朝向区域R外的规定方向是从右侧朝向左侧的方向。但是，在与基板主体21的表面的右侧的短边相接的金属化膜30的剖面形状中，规定方向是从左侧朝向右侧的方向。另外，在与基板主体21的表面的前侧的长边相接的金属化膜30的剖面形状中，规定方向是从后侧朝向前侧的方向。在与基板主体21的表面的后侧的长边相接的金属化膜30的剖面形状中，规定方向是从前侧朝向后侧的方向。此外，外部电极22、26、40、42、44、46以及布线24、28与金属化膜30具有相同的三层结构。但是，对于外部电极22、26、40、42、44、46以及布线24、28的层叠结构，由于并不重要所以省略进一步的说明。通孔导体v1在上下方向贯通基板主体21，连接布线24的左端与外部电极42。由此，外部电极22与外部电极42电连接。通孔导体v2在上下方向贯通基板主体21，连接布线28的右端与外部电极44。由此，外部电极26与外部电极44电连接。通孔导体v1、v2通过在形成于基板主体21的通孔埋入钨、镍等导体而制成。晶体片16包含晶体主体17以及外部电极97、98。晶体主体17是在从上侧俯视时呈长方形的平板。晶体主体17例如，是以规定的角度从晶体原石等切出的AT切割型。将晶体主体17的上侧的主面称为表面，将晶体主体17的下侧的主面称为背面。外部电极97是设置在晶体主体17的背面的左后角附近的正方形的导体层。外部电极98是设在晶体主体17的背面的左前角附近的正方形的导体层。外部电极97、98例如，通过在铬的基底层上层叠金来制成。此外，晶体片16也包含晶体主体17以及外部电极97、98以外的构成。然而，晶体片16是与一般的晶体片相同的结构，所以省略详细的说明。晶体片16安装在基板12的表面的区域R。具体而言，外部电极22与外部电极97通过导电性粘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其特征在于，具备：基板，其包括具有主面的基板主体以及线状的金属膜，所述金属膜设置在该主面上且在从相对于该主面的法线方向俯视时呈包围规定区域的环状；以及盖，其具有与所述规定区域实质上一致的形状的开口，并且通过在该开口的外缘处与所述金属膜接合，从而与所述主面一起形成封闭空间，所述开口的外缘在与所述金属膜延伸的延伸方向正交的第一剖面上，具有位于距离所述基板最近的位置的第一部分和位于与该第一部分相比距离该基板远的位置的第二部分，在从所述法线方向俯视时，所述金属膜与所述第二部分重叠，所述金属膜中与所述第二部分重叠的部分的膜厚在所述第一剖面上，随着向从所述第一部分朝向该第二部分的规定方向行进而增加。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.27 JP 2014-2399091.一种电子器件，其特征在于，具备：基板，其包括具有主面的基板主体以及线状的金属膜，所述金属膜设置在该主面上且在从相对于该主面的法线方向俯视时呈包围规定区域的环状；以及盖，其具有与所述规定区域实质上一致的形状的开口，并且通过在该开口的外缘处与所述金属膜接合，从而与所述主面一起形成封闭空间，所述开口的外缘在与所述金属膜延伸的延伸方向正交的第一剖面上，具有位于距离所述基板最近的位置的第一部分和位于与该第一部分相比距离该基板远的位置的第二部分，在从所述法线方向俯视时，所述金属膜与所述第二部分重叠，所述金属膜中与所述第二部分重叠的部分的膜厚在所述第一剖面上，随着向从所述第一部分朝向该第二部分的规定方向行进而增加。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述规定方向是在所述第一剖面上从所述规定区域内朝向该规定区域外的...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田功，小西纯，古井仁哉，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP