薄膜晶体管结构的制造方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其形成一光阻图案层于一有源图案层上及一部分的栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置。所述光阻图案层包含多个倒梯形块，并可作为一掩膜，以便沉积一金属层于光阻图案层、源极预定位置及漏极预定位置上；在移除光阻图案层及其上的金属层后，使剩余的金属层图案化成一源极及一漏极。本发明专利技术的薄膜晶体管结构的制造方法不但可简化制造过程，也不形成用来保护背沟道的蚀刻阻挡层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体结构的制造方法，特别是有关于一种薄膜晶体管结构的制造方法。
技术介绍
在传统的氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，例如氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZOTFT)，为了在进行源极与漏极的蚀刻过程中保护背沟道不受蚀刻损伤，通常会在氧化物半导体层上形成一个蚀刻阻挡层(etchingstoplayer；ESL)，从而增加了一次掩膜程序，增加薄膜晶体管制造过程的复杂度。另外，蚀刻阻挡层除了限制沟道的长度之外，在具有更高分辨率的显示装置中难以实行。再者，在传统薄膜晶体管的制造过程中，为了形成源极及漏极，需要一次掩膜程序，增加薄膜晶体管制造过程的复杂度。故，有必要提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，以解决现有技术所存在的制造过程的高复杂度问题，以及使用蚀刻阻挡层所产生的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，其可以简化制造过程，并且不使用蚀刻阻挡层来形成源级及漏极。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应于所述栅极图案层的位置；形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光阻图案层包含多个倒梯形块；以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上；及移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所述金属层图案化成一源极及一漏极。在本专利技术的一实施例中，在所述移除所述光阻图案层的步骤之后，所述方法更包含：覆盖一钝化层于所述源极、所述漏极、所述有源图案层及所述栅极图案层上。在本专利技术的一实施例中，在所述沉积所述金属层的步骤中，以所述光阻图案层为一光掩膜，以溅镀方式形成所述金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上。在本专利技术的一实施例中，所述栅极图案层的材质包含铝、钼或铜。在本专利技术的一实施例中，所述栅极图案层是通过一光刻掩膜法形成。在本专利技术的一实施例中，所述有源图案层是通过一光刻掩膜法形成。在本专利技术的一实施例中，在所述覆盖所述栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上的步骤中，以一物理气相沉积法形成所述栅极绝缘层。在本专利技术的一实施例中，所述多个倒梯形块的每一个包含一下底面及一上底面，其中所述下底面接触所述有源图案层或所述栅极绝缘层，及所述下底面的面积小于所述上底面的面积。在本专利技术的一实施例中，所述多个倒梯形块的每一个包含一左侧面及一右侧面，分别从所述下底面的两侧延伸朝向并连接所述上底面的两侧，其中所述左侧面与所述上底面之间的一第一夹角大于0度且小于90度；及所述右侧面与所述上底面之间的一第二夹角大于0度且小于90度。在本专利技术的一实施例中，所述第一夹角大于等于30度且小于90度；及所述第二夹角大于等于30度且小于90度。与现有技术相比较，本专利技术的薄膜晶体管结构的制造方法不但可简化制造过程，也不形成用来保护背沟道的蚀刻阻挡层。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是根据本专利技术实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法的流程图。图2A至2G是根据本专利技术实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法在各个制作阶段中的剖面示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1所示，图1是根据本专利技术实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法10的流程图。本专利技术实施例的一种薄膜晶体管结构的制造方法10包含：提供一基板(步骤11)；形成一栅极图案层于所述基板上(步骤12)；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上(步骤13)；形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应于所述栅极图案层的位置(步骤14)；形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光阻图案层包含多个倒梯形块(步骤15)；以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上(步骤16)；及移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所述金属层图案化成一源极及一漏极(步骤17)。请一并参照图1至2G，图2A至2G是根据本专利技术实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法10在各个制作阶段中的剖面示意图。请一并参照图1及2A。在步骤11中，提供一基板21。在一实施例中，所述基板21可以是一透明基板。在步骤12中，形成一栅极图案层22于所述基板21上。在一实施例中，所述栅极图案层22是通过一光刻掩膜法形成。在另一实施例中，所述栅极图案层22的材质包含铝、钼或铜。请一并参照图1及2B。在步骤13中，覆盖一栅极绝缘层23于所述栅极图案层22及所述基板21上。在一实施例中，所述栅极绝缘层23是利用一物理气相沉积法来沉积在所述栅极图案层22及所述基板21上。在步骤13中，不需使用掩膜形成所述栅极绝缘层23。请一并参照图1及2C。在步骤14中，形成一有源图案层24于所述栅极绝缘层23上，其中所述有源图案层24的位置对应于所述栅极图案层22的位置。在一实施例中，所述有源图案层24位于所述栅极图案层22的上方。在另一实施例中，所述有源图案层24的材质是氧化物半导体，例如氧化铟镓锌。在又一实施例中，所述有源图案层24是通过一光刻掩膜法形成。请一并参照图1及2D。在步骤15中，形成一光阻图案层25于所述有源图案层24上及一部分的所述栅极绝缘层23上以暴露出所述栅极绝缘层23的一源极预定位置231及一漏极预定位置232，其中所述光阻图案层25包含多个倒梯形块251。所述多个倒梯形块251的效果将在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管结构的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应于所述栅极图案层的位置；形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光阻图案层包含多个倒梯形块；以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上；及移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所述金属层图案化成一源极及一漏极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管结构的制
造方法包含步骤：
提供一基板；
形成一栅极图案层于所述基板上；
覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；
形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应
于所述栅极图案层的位置；
形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以
暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光
阻图案层包含多个倒梯形块；
以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源
极预定位置及所述漏极预定位置上；及
移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所
述金属层图案化成一源极及一漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述移
除所述光阻图案层的步骤之后，更包含：覆盖一钝化层于所述源极、所述
漏极、所述有源图案层及所述栅极图案层上。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述沉
积所述金属层的步骤中，以所述光阻图案层为一光掩膜，以溅镀方式形成
所述金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置
上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：史文，李文辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44