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本发明公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其形成一光阻图案层于一有源图案层上及一部分的栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置。所述光阻图案层包含多个倒梯形块，并可作为一掩膜，以便沉积一金属层于光阻图案层、源极预定位...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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