【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路的静电防护装置,由静电防护装置提供静电防护功能给集成电路装置。
技术介绍
请参考图17所示,现有集成电路(integratedcircuit,IC)包含有一电力网81与一核心82,该电力网81包含有多个第一电极811与一接地电极812,该接地电极812呈环状并包含有多个设置区813,该些第一电极811分别设于该些设置区813内。该核心82位于该接地电极812内侧,并电性连接第一电极811与接地电极812。该些第一电极811与接地电极812供连接一电源以接收一工作电压,使该核心82接收该工作电压而作动。随着半导体工艺的进步,集成电路的尺寸已越来越小化,因此静电防护更显重要。为了保护集成电路免于静电的威胁,现有集成电路需要额外设置一静电防护电路,以在该第一电极811生静电时,静电防护电路将静电快速导引至接地电极812而不会到达该核心82,避免核心82受到静电破坏。然而,现有静电防护电路占据集成电路一定的空间,使得集成电路的尺寸无法进一步缩小化。
技术实现思路
因此本专利技术的主要目的是提供一种集成电路的静电防护装置,该静电防护装置不会增加集成电路整体面积,有助于集成电路尺寸的缩小化。本专利技术集成电路的静电防护装置中,该集成电路包含有一基板、一核心与一电力网,该电力网包含有至少一电源电极、一内接地电极与一外封环,该核心形成在该基板上并位于该内接地电极内侧,该电源电极位于该 ...
【技术保护点】
一种集成电路的静电防护装置,该集成电路包含有一基板、一核心与一电力网,该电力网包含有至少一电源电极、一内接地电极与一外封环,该核心形成在该基板上并位于该内接地电极内侧,该电源电极位于该内接地电极与外封环之间,其特征在于,该静电防护装置包含有:多个放电单元,形成在该基板且对应于该电力网所涵盖的区域,并分别电性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及连接在该电源电极与外封环之间;多个开关触发单元,分别电性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及连接在该电源电极与外封环之间,用以检知是否发生静电;多个开关单元,分别电性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及连接在该电源电极与外封环之间,该些开关单元电性连接该些开关触发单元与放电单元,以在任一开关触发单元检知静电时导通放电单元。
【技术特征摘要】
2014.10.09 TW 1031351451.一种集成电路的静电防护装置,该集成电路包含有一基板、一核心与
一电力网,该电力网包含有至少一电源电极、一内接地电极与一外封环,该核
心形成在该基板上并位于该内接地电极内侧,该电源电极位于该内接地电极与
外封环之间,其特征在于,该静电防护装置包含有:
多个放电单元,形成在该基板且对应于该电力网所涵盖的区域,并分别电
性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及连接在该电源电极与外封环之
间;
多个开关触发单元,分别电性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及
连接在该电源电极与外封环之间,用以检知是否发生静电;
多个开关单元,分别电性连接在该电源电极与内接地电极之间,以及连接
在该电源电极与外封环之间,该些开关单元电性连接该些开关触发单元与放电
单元,以在任一开关触发单元检知静电时导通放电单元。
2.根据权利要求1所述的集成电路的静电防护装置,其特征在于,各开
关触发单元包含有一第一电阻与一电容,该第一电阻与电容形成串联并电性连
接在电源电极与内接地电极之间,或连接在电源电极与外封环之间;
该开关单元包含有一电子开关与一第二电阻,该电子开关包含有一第一
端、一第二端与一控制触发端,该控制触发端电性连接该第一电阻与电容的串
接节点,该第一端电性连接该电源电极,该第二端与该第二电阻串联而电性连
接该内接地电极或外封环,且该电子开关与第二电阻的串接节点电性连接该放
电单元的一控制触发端。
3.根据权利要求2所述的集成电路的静电防护装置,该基板具有一P型
阱区,该P型阱区的位置对应于该电力网所涵盖的区域,该P型阱区设有一第
一P型电极区、一第一N型电极区、一第二P型电极区、一第二N型电极区
与一共同N型电极区,该第一P型电极区、第一N型电极区、第二P型电极
区、第二N型电极区电性连接该电力网的接地电极,该共同N型电极区电性
连接该电力网的电源电极;
该共同N型电极区与该第一P型电极区、第一N型电极区构成放电单元,
并与该第二P型电极区、第二N型电极区构成另一放电单元。
4.根据权利要求3所述的集成电路的静电防护装置,该第一P型电极区
与第一N型电极区相邻设置,该第二P型电极区与第二N型电极区相邻设置,
该共同N型电极区位于该第一N型电极区与第二N型电极区之间。
5.根据权利要求4所述的集成电路的静电防护装置,该共同N型电极区、
该第一N型电极区与第二N型电极区之间分别设有一绝缘层。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的集成电路的静电防护装置,其特
征在于,该P型阱区形成有一N型阱区,该N型阱区的顶部连接该共同N型
电极区,该N型阱区的底部往该基板的底部延伸并位于该P型阱区内。
7.根据权利要求2所述的集成电路的静电防护装置,其特征在于,该多
个开关单元形成在该基板,且对应于该电力网所涵盖的区域。
8.根据权利要求7所述的集成电路的静电防护装置,其特征在于,该基
板具有一P型阱区,该P型阱区的位置对应于该电力网所涵盖的区域,该P
型阱区中设有一第一N型阱区,该第一N型阱区中设有一第一P型电极区、
一第二P型电极区、一第三P型电极区、一第四P型电极区与一共同N型电
极区,该第一N型阱区中的该第一、第二P型电极区与共同N型电极区形成
一连接在该电源电极与外封环之间的开关单元,该第一N型阱区中的该第三、
第四P型电极区与共同N型电极区形成一连接在该电源电极与内接地电极之
间的开关单元;
连接在该电源电极与外封环之间的放电单元由设在该P型阱区的一P型电
极区、一第一N型电极区与一第二N型电极区构成;
连接在该电源电极与内接地电极之间的放电单元由设在该P型阱区中的
一P型电极区、一第一N型电极区与一第二N型电极区构成。
9.根据权利要求8所述的集成电路的静电防护装置,其特征在于,所述
放电单元的第一N型电极区分别连接一N型阱区。
10.根据权利要求9所述的集成电路的静电防护装置,其特征在于,各放
电单元的P型电极区、第一N型电极区与第二N型电极区彼此间设有一绝缘
层。
11.根据权利要求8至10中任意一项所述的集成电路的静电防护装置,
该多个开关触发单元形成在该基板,且对应于该电力网所涵盖的区域;
各开关触发单元的该第一电阻由一电阻层构成,该电阻层形成于一绝缘层
\t表面并为反复弯折的结构,各开关触发单元的该电容由一电容层构成,该电容
层形成于所述放电单元的第二N型电极区上;
在该电阻层分布的区域中,该电力网包含有一内辅助导电层与一外辅助导
电层,该内辅助导电层位于该电源电极与内接地电极之间,该外辅助导电层位
于该电源电极与外封环之间;
该些开关触发单元的第一电阻与电容通过该内辅助导电层或外辅助导电
层形成串联。
12.一种集成电路装置,其特征在于,包含有:
一集成电路,包含:
一基板;
一电力网,包含有至少一电源电极、一内接地电极与一外封环,该电
源电极位于该内接地电极与外封环之间;
一核心,形成在该基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:林硕彦,
申请(专利权)人:台湾类比科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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