【技术实现步骤摘要】
本技术涉及照明
,特别涉及一种多端开关控制芯片及开关装置。
技术介绍
室内或室外为了照明美观会安装多种灯(如日光灯、白炽灯、LED灯等),以达到照明、绚丽或节能的目的。每一种灯都需要安装一个对应的开关对其进行控制。但是,开关过多会使用户无法记住灯与开关的对应关系;且开关过多会使控制面板拥挤,操作时会引起误触发,并影响开关的整体美观。每一个灯具都需要单独布线,增加布线的难度,并浪费大量的电线。因此有必要对现有技术进行改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处,本技术的目的在于提供一种多端开关控制芯片及开关装置,以解决现有灯具设置的开关较多导致控制面板拥挤、易引起误触发、增加布线难度的问题。为了达到上述目的,本技术采取了以下技术方案:一种多端开关控制芯片,与灯连接,其包括:用于检测外部电源的输入状态并输出对应的外部电源检测信号的检测模块;用于根据外部电源的输入状态进行充放电的电容;用于检测电容放电至小于下限阈值时输出复位信号对多端开关控制芯片进行复位的复位模块;用于根据外部电源检测信号、复位信号和时钟信号记录复位前外部电源的输入次数,根据输入次数输出对应的控制信号来控制若干个灯的亮灭状态,及根据内部计时时间、外部电源检测信号和复位信号输出对应的使能信号的状态控制模块;用于根据使能信号控制时钟信号的输出状态的受控振荡模块;所述检测模块连接复位模块、状态控制模块和电容;所述状态控制模块连接复位模块和受控振荡模块。所述的多端开关控制芯片中,所述电容为外部电容,设置在多端开关控制芯片的外部,外部电容的一端连接多端开关控制芯片的供电脚,外部电容的另一端接地,所述的 ...
【技术保护点】
一种多端开关控制芯片,与灯连接,其特征在于,包括:用于检测外部电源的输入状态并输出对应的外部电源检测信号的检测模块;用于根据外部电源的输入状态进行充放电的电容;用于检测电容放电至小于下限阈值时输出复位信号对多端开关控制芯片进行复位的复位模块;用于根据外部电源检测信号、复位信号和时钟信号记录复位前外部电源的输入次数,根据输入次数输出对应的控制信号来控制若干个灯的亮灭状态,及根据内部计时时间、外部电源检测信号和复位信号输出对应的使能信号的状态控制模块;用于根据使能信号控制时钟信号的输出状态的受控振荡模块;所述检测模块连接复位模块、状态控制模块和电容;所述状态控制模块连接复位模块和受控振荡模块。
【技术特征摘要】
1.一种多端开关控制芯片,与灯连接,其特征在于,包括:用于检测外部电源的输入状态并输出对应的外部电源检测信号的检测模块;用于根据外部电源的输入状态进行充放电的电容;用于检测电容放电至小于下限阈值时输出复位信号对多端开关控制芯片进行复位的复位模块;用于根据外部电源检测信号、复位信号和时钟信号记录复位前外部电源的输入次数,根据输入次数输出对应的控制信号来控制若干个灯的亮灭状态,及根据内部计时时间、外部电源检测信号和复位信号输出对应的使能信号的状态控制模块;用于根据使能信号控制时钟信号的输出状态的受控振荡模块;所述检测模块连接复位模块、状态控制模块和电容;所述状态控制模块连接复位模块和受控振荡模块。2.根据权利要求1所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述电容为外部电容,设置在多端开关控制芯片的外部,外部电容的一端连接多端开关控制芯片的供电脚,外部电容的另一端接地。3.根据权利要求1所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述检测模块包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管和第一电阻;所述电容为内部电容;所述第一二极管的负极连接电源脚,第一二极管的正极连接第二二极管的负极,第二二极管的正极连接第三二极管的负极,第三二极管的正极连接第四二极管的正极和第六二极管的正极;第四二极管的负极连接第五二极管的负极、供电脚和电容的一端;第五二极管的正极接地,第六二极管的负极连接控制模块、还通过第一电阻接地。4.根据权利要求3所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述第一二极管、第二二极管、第三二极管、第五二极管为齐纳二极管。5.根据权利要求3所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述复位模块包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一MOS管、第二MOS管、第一反相器和第二反相器;所述第二电阻的一端连接供电脚,第二电阻的另一端连接第三电阻的一端和第一MOS管的漏极;第三电阻的另一端连接第二MOS管的栅极、还通过第四电阻接地;第一MOS管的源极连接供电脚;第一MOS管的栅极连接第五电阻的一端、第二MOS管的漏极和第一反相器的输入端;第二MOS管的源极接地,第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第二反相器的输出端连接控制模块。6.根据权利要求5所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述第一MOS管为PMOS管,第二MOS管为NMOS管。7.根据权利要求5所述的多端开关控制芯片,其特征在于,所述受控振荡模块包括第一电容、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员:任仕鼎,谢大盛,吴文龙,李松青,
申请(专利权)人:深圳市励创微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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