用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法技术

本发明专利技术公开了一种用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于显示的微元件，更具体地，涉及一种用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法。
技术介绍
微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管（MicroLED）技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在制造微元件过程中的一个困难在于：如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。传统转移微元件的方法为借由基板接合（WaferBonding）将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤，首先，转移基板自施体基板提取微元件阵列，接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板，最后再把转移基板移除。其中，提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微元件用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350℃，或者更具体地，小于200℃；否则，微元件的性能会劣化。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法。根据本专利技术的第一个方面，一种用于转移微元件的转置头，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。优选地，所述光学开关组件包括DMD（数字微反射镜）芯片。优选地，所述DMD芯片包含微反射镜，通过改变微反射镜与套件的上表面之间的夹角，以控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关。优选地，所述夹角小于等于12°。优选地，当所述夹角为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径关闭；当所述夹角不为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径打开。根据本专利技术的第二个方面，提供了一种微元件的转移方法，其特征在于：所述微元件的转移方法包含步骤：（1）在第一基板上放置至少一个微元件；（2）采用权利要求1所述的转置头，朝向并接触所述微元件，所述吸嘴使用真空压力吸附所述微元件，藉由光学开关组件控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，以提取所需的微元件；以及（3）采用权利要求1所述的转置头，朝向一第二基板，所述吸嘴使用真空压力释放微元件，藉由光学开关组件控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，以释放所需的微元件于所述第二基板上。优选地，所述微元件的数量为多个，其中步骤（2）仅将部分所述微元件吸附，以提取所需的微元件。优选地，所述微元件的数量为多个，其中步骤（3）仅将部分所述微元件脱附，以释放所需的微元件。优选地，所述光学开关组件包括DMD芯片。优选地，所述DMD芯片包含微反射镜，通过改变微反射镜与套件的上表面之间的夹角，以控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关。优选地，所述夹角小于等于12°。优选地，当所述夹角为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径关闭；当所述夹角不为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径打开。优选地，所述第一基板为生长基板或者承载基板。优选地，所述第二基板为主动元件阵列基板或被动元件阵列基板。另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本专利技术的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者
技术介绍
中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。图1为根据本专利技术实施的微元件的转移方法的流程图。图2~图6为根据本专利技术实施例的微元件的转移方法的过程示意图。图中标示：100：第一基板；200：微元件；300：转置头；301：具有真空路径的腔体；302：套件；303：吸嘴；304：真空路径部件；305：光学开关组件；400：第二基板。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。具体实施例本专利技术的实施例描述了用于转移微元件的转置头及采用该转置头进行转移微元件的方法。其中，微元件可以是微型LED器件、二极管、晶体管、集成电路(IC)芯片等，其尺寸可为1~100μm，但并不一定限于此，并且实施例的某些方面可适用于更大和更小的尺寸。图1显示了一种微元件的转移方法，其主要包括了工艺步骤S100~S300，下面结合图2~6进行说明。如图2所示，提供一第一基板100，该基板可以是生长基板或者承载基板，本实施例优选承载基板，承载基板的材质可为玻璃、硅、聚碳酸酯（Polycarbonate）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（AcrylonitrileButadieneStyrene）或其任意组合。应该了解到，以上所举的承载基板的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本专利技术，本专利技术所属
中具有通常知识者，应视实际需要，灵活选择第一基板100的具体实施方式。在第一基板100上放置若干个微元件200，微元件可以是尚未进行晶片切割工艺的晶圆或者发光二极管或者激光二极管，本实施例优选微元件为薄膜发光二极管（ThinLight-emittingDiode），厚度可为约0.5μm至约100μm。微元件200的形状可为圆柱体，且圆柱体的半径可为约0.5μm至约500μm，但并不限于此，微元件200还可以为三角柱体、立方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体。如图3和4所示，提供一转置头300，朝向并接触位于第一基板100上的微元件200。转置头300包括：具有真空路径的腔体301，以及具有若干个吸嘴303和若干个真空路径部件304的套件302，吸嘴303被设置成分别与真空路径部件304相通，真空路径部件304被形成为分别与形成于腔体301中的真空路径相通，且吸嘴303使用真空压力吸附微元件或释放微元件，真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送。当套件302安装到具有真空路径的腔体301时，套件的上表面设置有光学开关组件305，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。本实施例的吸嘴、真空路径部件、微元件数目均为3个，定义图3中的吸嘴/真本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于转移微元件的转置头，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。

【技术特征摘要】
1.用于转移微元件的转置头，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。2.根据权利要求1所述的用于转移微元件的转置头，其特征在于：所述光学开关组件包括DMD芯片。3.根据权利要求2所述的用于转移微元件的转置头，其特征在于：所述DMD芯片包含微反射镜，通过改变微反射镜与套件的上表面之间的夹角，以控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关。4.根据权利要求3所述的用于转移微元件的转置头，其特征在于：所述夹角小于等于12°。5.根据权利要求3所述的用于转移微元件的转置头，其特征在于：当所述夹角为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径关闭；当所述夹角不为零时，各通路中的真空路径部件与真空路径打开。6.微元件的转移方法，其特征在于：所述微元件的转移方法包含步骤：（1）在第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宸科，郑建森，邵小娟，时军朋，林科闯，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35