鎓盐、光酸产生剂、感光性树脂组合物及装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是一种下述式(a)所表示的鎓盐。Z‑A‑W‑Y+(R)nX－(a)(所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳‑碳单键、碳‑碳双键及碳‑碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基；X表示一价阴离子)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的若干形态涉及一种鎓盐。另外，本专利技术的若干形态涉及一种包含鎓盐的光酸产生剂及感光性树脂组合物、以及使用这些的装置的制造方法。
技术介绍
近年来，业界盛行利用使用光阻的光刻技术制造液晶显示器(LCD)及有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示器(OLED)等显示装置以及形成半导体元件。所述电子零件或电子产品的封装等广泛利用波长365nm的i射线或波长长于其的h射线(405nm)、g射线(436nm)等光作为活性能量线。其原因在于，可利用廉价且显示出良好的发光强度的中压、高压、及超高压水银灯作为照射光源。因此，认为对从长波长的紫外线到可见光的波长区域显示出高感应性的光酸产生剂的必要性今后会进一步增高。作为这种光阻用的光酸产生剂，已知各种光酸产生剂(参照专利文献1)。光酸产生剂是具有通过照射光而产生酸的功能的感光剂。另一方面，在凸块形成中，随着电子机器的小型化，作为代替以往的使用焊膏形成焊接凸块的方法，使用光阻形成凸块受到关注。在凸块形成用光阻中，期待开发出一种光酸产生剂，其即便为50μm左右的厚膜，光也会到达至膜的最深部，且以充分的效率产生酸。
技术介绍
文献专利文献专利文献1:日本专利特开平11-7124号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]所述专利文献1所记载的N-羟基邻苯二甲酰亚胺化合物的磺酸酯由于在360nm以上的波长区域也具有强吸收，因此有厚膜时光不会到达至膜的最深部的担忧。另外，由于具有牢固的结构等，所以溶解度低，不易制备光阻用的组合物。对i射线等长波长紫外线光的感应性高、且透过率也高以便能够应对厚膜、能够以低成本制造的光酸产生剂非常有限。鉴于这种情况，本专利技术的若干形态的课题之一在于提供一种对i射线等长波长紫外线光的感应性也高的鎓盐。另外，本专利技术的若干形态的课题之一在于提供一种对i射线等长波长紫外线光的摩尔吸光系数为适度的值，能够使光到达至膜的最深部的鎓盐作为厚膜用的光阻光酸产生剂。[解决问题的手段]本专利技术者为了解决所述课题而反复进行了努力研究，结果完成了本专利技术。也就是说，本专利技术的一个形态是一种下述式(a)所表示的鎓盐。Z-A-W-Y+(R)nX－(a)所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基，典型来说，为一价烃基及可以具有取代基的芳基等有机基；X表示一价阴离子。另外，本专利技术的一个形态是一种鎓盐，其具有阳离子部及阴离子部，所述阳离子部至少包含第1芳香族环、第2芳香族环、及阳离子中心，所述阳离子中心和所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个键结，所述第1芳香族环所包含的第1碳原子通过单键直接键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子。本专利技术的一个形态是一种光酸产生剂，其包含所述鎓盐的任一种。本专利技术的一个形态是一种组合物，其包含所述光酸产生剂、及利用酸进行反应的聚合性合成化合物。所述利用酸进行反应的化合物优选具有利用酸进行脱保护的保护基或利用酸进行交联。本专利技术的一个形态是一种装置的制造方法，其包括：第1步骤，使用所述组合物的任一种在基板上形成涂布膜；第2步骤，使用电磁波或粒子束的第1光将所述涂布膜曝光成图案状；以及图案形成步骤，使实施了所述第2步骤的涂布膜显影而获得光阻图案。另外，可以在所述第1步骤和所述第2步骤之间对所述涂布膜进行加热，也可以在所述第2步骤之后对所述涂布膜进行加热，能够根据所使用的所述组合物等适当追加所述第1步骤～所述第3步骤以外的步骤。[专利技术的效果]根据本专利技术的一个形态，能够提供一种对i射线等长波长紫外线光的感度高的鎓盐。另外，根据本专利技术的一个形态，能够提供一种能够使光到达至膜的最深部的鎓盐作为厚膜用的光阻光酸产生剂。附图说明图1表示本专利技术的一个形态的鎓盐的吸收光谱。图2表示使用本专利技术的一个形态的感光性树脂组合物制造集成电路(IC)的装置的工艺。图3-1是将图3分割而成的图。表示使用本专利技术的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。图3-2是将图3分割而成的图。表示使用本专利技术的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。图3-3是将图3分割而成的图。表示使用本专利技术的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式详细地进行说明。＜1＞鎓盐1本专利技术的一个形态是一种下述式(a)所表示的鎓盐。Z-A-W-Y+(R)nX－(a)所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基，典型来说，为一价烃基及可以具有取代基的芳基等有机基；X表示一价阴离子。所述式(a)中，Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的包含共轭π电子体系的环状结构，典型来说，例如为包含可以具有取代基的苯系芳香族环、可以具有取代基的杂芳香族环或可以具有取代基的非苯系芳香族环的一价有机基。同样地，W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的包含共轭π电子体系的环状结构，典型来说，例如为包含可以具有取代基的苯系芳香族环、可以具有取代基的杂芳香族环或可以具有取代基的非苯系芳香族环的二价有机基。所述苯系芳香族环是环骨架由碳原子形成的芳香族环。作为包含所述苯系芳香族环的一价有机基的具体例，可以列举苯基、联苯基、联三苯基、联四苯基等至少1个苯环直接连结而成的芳香族有机基。其中，在将i射线、h射线及g射线用作所述鎓盐的激发光的情况下，优选苯基、联苯基及联三苯基。进而，作为包含苯系芳香族环的一价有机基的具体例，可以列举萘基、蒽基、菲基、并环戊二烯基、茚基、二环戊二烯并苯基、苊基、茀基、并环庚三烯基、并四苯基(naphthacenyl)、芘基、基及稠四苯基(tetracenyl)等缩合多环芳香族环，其具有构成1个芳香族环的碳原子中的至少2个原子也包含于构成相邻的至少1个芳香族环的碳原子的结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鎓盐，其由下述式(a)所表示，Z‑A‑W‑Y+(R)nX－  (a)(所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳‑碳单键、碳‑碳双键及碳‑碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基；X表示一价阴离子)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.20 JP 2014-235903;2014.05.13 US 61/992,7021.一种鎓盐，其由下述式(a)所表示，Z-A-W-Y+(R)nX－(a)(所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基；X表示一价阴离子)。2.根据权利要求1所述的鎓盐，其中所述Z为选自由一价苯系芳香族环基、一价杂芳香族环基及一价非苯系芳香族环基所组成的群中的任一有机基。3.根据权利要求1或2所述的鎓盐，其中所述W为选自由二价苯系芳香族环基、二价杂芳香族环基及二价非苯系芳香族环基所组成的群中的任一有机基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的鎓盐，其中所述Z及W的至少一个具有至少1个供电子基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的鎓盐，其中所述Z为苯基及/或所述W为亚苯基。6.根据权利要求4或5所述的鎓盐，其中所述至少1个供电子基是选自由烷基(-R1)、芳基(-Ar1)、烷氧基(-OR1)、芳氧基(-OAr1)、羟基、硫醇基、烷硫基(-SR1)、氨基、烷基氨基(-NHR1)、二烷基氨基(-NR1R2)、芳基氨基(-NHAr1)、二芳基氨基(-NAr1Ar2)及N-烷基-N-芳基氨基(-NR1Ar1)所组成的群中的任意基。7.根据权利要求4至6中任一项所述的鎓盐，其中所述至少1个供电子基直接键结于所述Z的所述π电子体系。8.根据权利要求1至7中任一项所述的鎓盐，其中所述A为直接键或亚乙炔基。9.根据权利要求1至8中任一项所述的鎓盐，其中所述R为可以具有取代基的碳数1以上的一价烃基或可以具有取代基的芳基。10.根据权利要求1至9中任一项所述的鎓盐，其中所述X－为选自由CF3CO2－、CH3CO2－、CF3CF2C4H4SO3－、CH3SO3－、(C6F5)4B－、SbF6－、PF6－、BF4－、CF3SO3－、HSO4－...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽贵士，
申请(专利权)人：东洋合成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP