LED封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种LED封装结构，例如包括：石英玻璃基底；透光层，设置在所述石英玻璃基底的一侧；LED芯片，设置在所述透光层远离所述石英玻璃基底的一侧，所述石英玻璃基底和所述透光层位于所述LED芯片的正面，且所述LED芯片的背面形成有成对设置的焊盘；光学增透膜，设置在所述LED芯片的侧面、所述透光层的未被所述LED芯片覆盖的表面以及所述石英玻璃基底的未被所述LED芯片覆盖的表面上；以及反射层，设置在所述光学增透膜远离所述石英玻璃基底的一侧。本发明专利技术综合利用各种材料的优势而能够得到具有高可靠性甚至高光取出效率的LED封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装
，尤其涉及一种LED倒装芯片封装基板以及一种LED封装结构。
技术介绍
随着倒装芯片(Flip-Chip)技术的不断发展，该结构芯片的优势将得以充分地展现。无论是可见光还是非可见光领域，倒装芯片技术将是未来光源的主要应用之一。而倒装芯片技术所涉及的支架或者封装基板目前所采用的材料的各性能例如热导率、绝缘性能、稳定性与反射率之间存在相互矛盾，例如镜面铝材料具有高的热导率、反射率及稳定性，而其绝缘电性能差；陶瓷材料具有高的热导率、稳定性和优良的绝缘性能，但反射率偏低，尤其是紫外波段的反射率低；EMC(EpoxyMoldingCompound)/SMC(SiliconeMoldingCompound)等塑封材料具有高的反射率，但热导率、绝缘电性能及稳定性相对偏差，特别是紫外波段的稳定性差。因此如何解决LED倒装芯片支架或封装基板目前所采用的材料的各性能之间的矛盾是目前亟待解决的课题。
技术实现思路
有鉴于此，为克服现有技术中的缺陷和不足，本专利技术提供一种LED倒装芯片封装基板以及一种LED封装结构。具体地，本专利技术实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板，包括：陶瓷基底；导电线路层，设置在所述陶瓷基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层，与所述导电线路层设置在所述陶瓷基底的同一侧并露出所述焊盘；以及金属反射层，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并露出所述焊盘。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘保护层为双马来酰亚胺三嗪体系材料层和/或低温玻璃釉层，所述低温玻璃釉层的熔点低于600℃。在本专利技术的一个实施例中，所述金属反射层在深紫外至红外波段范围内的反射率为95％以上。在本专利技术的一个实施例中，所述LED倒装芯片封装基板还包括光学增透膜，设置在所述金属反射层远离所述绝缘保护层的一侧并露出所述焊盘。在本专利技术的一个实施例中，所述光学增透膜的材料包括氟化镁和/或二氧化硅，且所述光学增透膜为单层膜结构或多层膜结构。在本专利技术的一个实施例中，所述LED倒装芯片封装基板还包括具有碗杯状结构的反射杯，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并环绕以及露出所述焊盘；所述金属反射层位于所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧及所述反射杯的内表面。在本专利技术的一个实施例中，所述反射杯的数量为至少一个，且每一个反射杯所环绕的所述焊盘的数量为至少一对；以及所述绝缘保护层和所述金属反射层部分地位于所述导电线路层上。此外，本专利技术实施例还提出一种LED封装结构，包括：前述任意一种LED倒装芯片封装基板、LED芯片以及透光封装体。所述LED芯片与所述LED倒装芯片封装基板的所述焊盘焊接固定以形成电连接，所述透光封装体覆盖住所述LED芯片。另外，本专利技术实施例再提出一种LED封装结构，其包括：石英玻璃基底；透光层，设置在所述石英玻璃基底的一侧；LED芯片，设置在所述透光层远离所述石英玻璃基底的一侧，所述石英玻璃基底和所述透光层位于所述LED芯片的正面，且所述LED芯片的背面形成有成对设置的焊盘；光学增透膜，设置在所述LED芯片的侧面、所述透光层的未被所述LED芯片覆盖的表面以及所述石英玻璃基底的未被所述LED芯片覆盖的表面上；以及反射层，设置在所述光学增透膜远离所述石英玻璃基底的一侧。在本专利技术的一个实施例中，所述LED封装结构还包括：保护层，设置在所述反射层远离所述光学增透膜的一侧。在本专利技术的一个实施例中，所述透光层的材料为熔点低于600℃的玻璃或改性的硅树脂，所述光学增透膜的材料为氟化镁或二氧化硅，以及所述反射层为金属铝层。由上可知，本专利技术实施例通过综合利用各种材料的优势而能够得到兼具高热导率、高反射率、高稳定性和优良绝缘性能的LED倒装芯片封装基板以及具有高可靠性甚至高光取出效率的LED封装结构。通过以下参考附图的详细说明，本专利技术的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本专利技术的范围的限定。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。附图说明下面将结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为本专利技术第一实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板的俯视示意图。图2为图1所示LED倒装芯片封装基板沿剖面线II-II的剖面结构放大局部示意图。图3为本专利技术第二实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板的俯视示意图。图4为图3所示LED倒装芯片封装基板沿剖面线IV-IV的剖面结构示意图。图5为本专利技术第三实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板的俯视示意图。图6为图5所示LED倒装芯片封装基板沿剖面线VI-VI的剖面结构示意图。图7为本专利技术第四实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板的俯视示意图。图8为图7所示LED倒装芯片封装基板沿剖面线VIII-VIII的剖面结构示意图。图9为采用本专利技术第一实施例的LED倒装芯片封装基板的一种LED封装结构示意图。图10为本专利技术第五实施例提出的一种芯片级封装紫外LED封装结构的制作方法中的相关结构示意图。图11为图10中单颗芯片级封装紫外LED封装结构的剖面放大示意图。图12为图11所示芯片级封装紫外LED封装结构的仰视图。图13为本专利技术第六实施例提出的一种芯片级封装紫外LED封装结构的剖面示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。【第一实施例】请参见图1和图2，其中图1为本专利技术第一实施例提出的一种LED倒装芯片封装基板的俯视示意图，图2为图1所示LED倒装芯片封装基板沿剖面线II-II的剖面结构放大局部示意图。本实施例的LED倒装芯片封装基板10包括：陶瓷基底11、导电线路层12、绝缘保护层13、金属反射层14、光学增透膜15以及油墨层16。其中，陶瓷基底11优选为氮化铝(AlN)陶瓷基底，氮化铝陶瓷基底具有高的热导率(200W/m.K)、优良的绝缘性能(体积电阻率>1013Ω·cm)以及高化学和热稳定性。导电线路层12设置在陶瓷基底11上且包括多对焊盘12a及12b和成对设置的正负电极12c及12d；多对焊盘12a及12b分别用于与多个LED倒装芯片的正负极通过焊接形成电连接，正负电极12c及12d分别与各个焊盘12a及12b形成连接以便于外接电源以向各个焊盘12a及12b供电。再者，导电线路层12例如是通过厚膜工艺或薄膜工艺制成，其具体例如是以厚膜工艺(例如烧结方式)制作成的银(Ag)层等，或者以薄膜工艺(例如蒸镀或溅射方式)制作成的铜(Cu)/镍(Ni)/金(Au)多层薄膜结构等。绝缘保护层13设置在导电线路层12上表面(也即导电线路层12的远离陶瓷基底11的一侧的表面)并露出导电线路层12的多对焊盘12a及12b，从而绝缘保护层13在陶瓷基底11上环绕焊垫12a及12b设置；绝缘保护层13作为高绝缘性能和高稳定性的保护层，其可以通过印刷工艺制成并且其材料优选为低温玻璃釉等。更具体地，低温玻璃釉为一种600℃以下可熔融的玻璃体系，目前典型地位于400℃-600℃范围内(随着材料的发展趋势其很可能实现400℃以下)，含SiO2、B2O3、Bi2O3、ZnO、Li2O、K2O、Na2O、CaO和BaO中的多种甚至其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED倒装芯片封装基板，其特征在于，包括：陶瓷基底；导电线路层，设置在所述陶瓷基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层，与所述导电线路层设置在所述陶瓷基底的同一侧并露出所述焊盘；以及金属反射层，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并露出所述焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种LED倒装芯片封装基板，其特征在于，包括：陶瓷基底；导电线路层，设置在所述陶瓷基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层，与所述导电线路层设置在所述陶瓷基底的同一侧并露出所述焊盘；以及金属反射层，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并露出所述焊盘。2.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述绝缘保护层为双马来酰亚胺三嗪体系材料层和/或低温玻璃釉层，所述低温玻璃釉层的熔点低于600℃。3.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述金属反射层在深紫外至红外波段范围内的反射率为95％以上。4.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，还包括光学增透膜，设置在所述金属反射层远离所述绝缘保护层的一侧并露出所述焊盘。5.如权利要求4所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述光学增透膜的材料为氟化镁和/或二氧化硅，且所述光学增透膜为单层膜结构或多层膜结构。6.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，还包括具有碗杯状结构的反射杯，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并环绕以及露出所述焊盘；所述金属反射层位于所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧及所述反射杯的内表面。7.如权利要求6所述的LED倒装芯片封装基...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃国恒，洪盟渊，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35