【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺,其特征在于,高高宽比深亚微米、纳米金属结构的形成是:先在硅片正面上淀积电镀衬基,甩底层光刻胶和淀积绝缘层,再用电子束光刻深亚微米、纳米金属结构图形,并以其为掩蔽各向异性刻蚀绝缘层和底层光刻胶形成电镀模子,电镀出高高宽比深亚微米、纳米金属结构,再去中间绝缘层,去除底层光刻胶,最后去除底层光刻胶下的电镀衬基,从而制成高高宽比深亚微米、纳米金属结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:谢常青,叶甜春,陈大鹏,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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